射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
BLP15M9S30GZ	20.1900	询价	8529	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	SOT-1483-1	BLP15	1.5GHz	LDMOS	SOT1483-1	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.33.0001	500	N沟道	-		30W	19.3分贝	-
CGHV40100P	323.5600	询价	43	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	125V		440206	CGHV40100	0Hz～4GHz	HEMT	440206	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	100		8.7A	600毫安	116W	11分贝	-	50V
BLF245B	-	询价	8772	罗彻斯特电子有限责任公司	-	大部分	过时的	65V		SOT-279A		175兆赫	场效应晶体管	CDFM4	-	不符合RoHS标准		REACH 不出行	2156-BLF245B	EAR99	8541.29.0075	1	2 N 沟道（双）公共源	1毫安	50毫安	30W	18分贝	-	28V
FDMF5804	1.0000	询价	7033	仙童	*	大部分	的积极								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义				3,000
RF3L05150CB4	166.2300	询价	123	意法半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	90V	安装结构	左臂BB		1GHz	LDMOS	左臂BB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100		1微安	500毫安	150W	23分贝	-	28V
BLM10D1822-60ABGYZ	34.1127	询价	8517	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	OMP-400-8G-1	BLM10	1.8GHz～2.2GHz	LDMOS	OMP-400-8G-1	-	符合ROHS3标准			1603-BLM10D1822-60ABGYZTR			300	-	1.4微安	90毫安	-	27.8分贝	-	30V
ON5224,118	-	询价	4710	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-263-5、D²Pak（4引脚+接片）、TO-263BB	ON52	-	-	D2PAK	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	934056731118	EAR99	8541.29.0095	800	-	-		-	-	-
BLC9G22XS-120AGWTZ	-	询价	9442	Ampleon美国公司	BLC	托盘	过时的	65V	表面贴装	SOT-1278-1	BLC9	2.11GHz～2.2GHz	LDMOS	SOT1278-1	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		过时的		20	双重、共同来源	1.4微安	200毫安	120W	17.1分贝	-	28V
AFT21S230SR3	192.4100	询价	1	恩智浦半导体	-	大部分	过时的	65V	表面贴装	NI-780S-6		2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	NI-780S-6	-				2156-AFT21S230SR3			2	N沟道	-	1.5A	50W	16.7dB@2.11GHz	-	28V
CGHV22100F	-	询价	9014	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	管子	过时的	125V		440162		1.8GHz～2.2GHz	HEMT	440162	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1		6A	500毫安	100W	20分贝	-	50V
MHE1003NR3	-	询价	3825	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	OM-780-2	MHE10	2.4GHz～2.5GHz	LDMOS	OM-780-2	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935316198528	EAR99	8541.29.0075	250		10微安	50毫安	53分贝	14.1分贝	-	28V
MAGX-001090-700L00	-	询价	1897年	MACOM技术解决方案	-	大部分	过时的	65V		-		1.03GHz～1.09GHz	HEMT	-	下载		1（无限制）			过时的	0000.00.0000	10		31A	500毫安	700W	20.5分贝	-	50V
MRF6P18190HR6	184.1300	询价	第372章	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	68V	安装结构	NI-1230		1.805GHz～1.88GHz	LDMOS	NI-1230	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1		10微安	2A	44W	15.9分贝	-	28V
MRF6V4300NBR5	108.4700	询价	第442章	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	110V	安装结构	TO-272BB		10MHz～600MHz	LDMOS	TO-272 WB-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		2.5毫安	900毫安	300W	22分贝	-	50V
BLF7G24L-100,112	62.7300	询价	37	恩智浦	-	管子	过时的	65V	安装结构	SOT-502A		2.3GHz～2.4GHz	LDMOS	SOT502A	下载	符合ROHS3标准				5A991G	8541.29.0075	20		28A	900毫安	20W	18分贝	-	28V
A2T26H160-24SR3	167.7800	询价	149	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	65V	安装结构	NI-780S-4L2L		2.58GHz	LDMOS	NI-780S-4L2L	下载					EAR99	8541.29.0075	1	双重的	-	350毫安	28W	15.5分贝	-	28V
MRF8P20100HSR5	-	询价	5508	恩智浦	-	卷带式 (TR)	SIC停产	65V	表面贴装	NI-780S-4L	MRF8	2.03GHz	LDMOS	NI-780S-4L	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50	双重的	-	400毫安	20W	16分贝	-	28V
MMBF5485_NB50012	-	询价	7043	onsemi	-	大部分	过时的	25V	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MMBF54	400兆赫	结型场效应晶体管	SOT-23-3	-		不适用	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	1	N沟道	10毫安		-	-	4分贝	15V
2SK242-5-TB-E	0.0700	询价	147	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
MRFG35010R1	-	询价	9778	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	15V	安装结构	NI-360HF	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管	NI-360HF	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	500		-	180毫安	10W	10分贝	-	12V
ART1K6PHZ	-	询价	3926	Ampleon美国公司	艺术	托盘	的积极	177伏	表面贴装	OMP-1230-4G-1	艺术1K6	1MHz～450MHz	LDMOS	OMP-1230-4G-1	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	20	双重、共同来源	第960章	50毫安	1600W	27.4分贝	-	55V
BLF2425M7L250P,112	-	询价	第1579章	Ampleon美国公司	-	大部分	SIC停产	65V	安装结构	SOT-539A	BLF2425	2.45GHz	LDMOS	SOT539A	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	-	20毫安	250W	15分贝	-	28V
PTRA093608PV1-V1-R2	110.0126	询价	8774	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极			-	PTRA093608				-	符合RoHS标准	1（无限制）				0000.00.0000	250
ATF-36163-TR2G	-	询价	1440	博通有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的	3V		6-TSSOP、SC-88、SOT-363	ATF-36163	4GHz	pHEMT场效应管	SOT-363	-		1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8541.21.0075	10,000		40毫安	15毫安	5分贝	15.8分贝	0.6分贝	2V
MRF6S23100HSR5	-	询价	7920	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	NI-780S	MRF6	2.4GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	50		-	1A	20W	15.4分贝	-	28V
2SK2464-TL-E	1.1000	询价	12	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,500人
BF998E6327	-	询价	4284	英飞凌科技	-	大部分	的积极	12V	表面贴装	TO-253-4、TO-253AA		1GHz	场效应晶体管	SOT143（SC-61）	下载					EAR99	8541.29.0095	1	N沟道	15毫安	10毫安	-	28分贝	2.8分贝	8V
MRF5S21100HSR3	-	询价	5820	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		NI-780S	MRF5	2.16GHz～2.17GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	250		-	1.05安	23W	13.5分贝	-	28V
ON5233,118	0.2000	询价	30	安世半导体美国公司	-	大部分	的积极		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		-	-	DPAK	-					EAR99	8541.29.0095	1	-	-		-	-	-
AFT27S012NT1	12.8987	询价	1430	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	PLD-1.5W	AF27	728MHz～2.7GHz	LDMOS	PLD-1.5W	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935347325515	EAR99	8541.29.0075	1,000		10微安	90毫安	13W	20.9分贝	-	28V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²