射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
0912GN-15EL	-	询价	7015	微芯片	EL	大部分	的积极	150伏	表面贴装	55-QQP		960MHz～1.215GHz	-	55-QQP	下载			REACH 不出行	150-0912GN-15EL	EAR99	8541.29.0095	1	-	-	10毫安	19W	18.1分贝	-	50V
MAGX-000035-01000S	-	询价	第1683章	MACOM技术解决方案	-	大部分	过时的	65V		-		30MHz～3.5GHz	HEMT	-	下载		1（无限制）	REACH 不出行	1465-1076	EAR99	8541.29.0095	10		-	第490章	40分贝	17.5分贝	-	50V
PD57018TR-E	30.3600	询价	4020	意法半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	65V		PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2个结构楼梯）	PD57018	945兆赫	LDMOS	PowerSO-10RF（成型原理）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	600		2.5A	100毫安	18W	16.5分贝	-	28V
PTVA035002EV-V1-R250	369.1500	询价	4583	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	105V	安装结构	H-36275-4	PTVA035002	390MHz～450MHz	LDMOS	H-36275-4	下载	符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0075	250	双重、共同来源	10微安	500毫安	500W	18分贝	-	50V
IXZH10N50L2B	-	询价	5022	IXYS-RF	Z-MOS™	管子	过时的	500V		TO-247-3		70兆赫兹	场效应晶体管	TO-247 (IXFH)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	30	N沟道	10A		200W	17分贝	-	100伏
ON5453,518	-	询价	5984	安世半导体美国公司	*	大部分	的积极								-		供应商未定义	REACH 不出行	2156-ON5453,518-1727			1
BLC8G24LS-241AVZ	-	询价	5794	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-1252-1	BLC8	2.3GHz～2.4GHz	LDMOS	DFM8	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	-	500毫安	56W	14.5分贝	-	28V
BF1101,215	-	询价	4938	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	7V	表面贴装	TO-253-4、TO-253AA	BF110	800兆赫	场效应晶体管	SOT-143B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应	30毫安	12毫安	-	-	1.7分贝	5V
BLP05H6110XRGY	38.1300	询价	10	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	135V	表面贴装	4-BESOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	BLP05	108兆赫	LDMOS	4-HSOP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100	双重、共同来源	-	20毫安	110W	27分贝	-	50V
2N5951_D27Z	-	询价	6644	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	30V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	2N5951	1kHz	结型场效应晶体管	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000	N沟道	13毫安		-	-	2分贝	15V
MRFE6S8046NR1	-	询价	1997年	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	66伏	表面贴装	TO-270AB	MRFE6	894兆赫	LDMOS	TO-270 WB-4	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	500		-	300毫安	35.5W	19.8分贝	-	28V
MMRF2010NR1	365.1500	询价	第398章	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	100伏	安装结构	TO-270-14 变体，薄牛皮	MMRF2010	1.09GHz	LDMOS	TO-270 WB-14	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.33.0001	500		10微安	80毫安	250W	32.1分贝	-	50V
MAGX-000035-01000P	-	询价	9789	MACOM技术解决方案	-	大部分	过时的	65V		-		3.5GHz	HEMT	-	下载		1（无限制）			过时的	0000.00.0000	10		500毫安	30毫安	10W	17分贝	-	50V
PD85035STR-E	30.8300	询价	9481	意法半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	40V		PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2条直读）	PD85035	870兆赫	LDMOS	PowerSO-10RF（直读）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	-1138-PD85035STR-ETR	EAR99	8541.29.0095	600		8A	350毫安	15W	17分贝	-	13.6V
PXAC182908FV-V1-R250	-	询价	2800	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	过时的				PXAC182908				下载	符合RoHS标准	1（无限制）			过时的		250
MMBFJ310	-	询价	第1654章	仙童	-	大部分	的积极	25V		TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MMBFJ3	450兆赫	结型场效应晶体管	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	3,000	N沟道	60毫安	10毫安	-	12分贝	3分贝	10V
PXFE181507FC-V1-R0	66.3392	询价	3136	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	65V	表面贴装	H-37248G-4/2	PXFE181507	1.805GHz～1.88GHz	LDMOS	H-37248G-4/2	下载				1697-PXFE181507FC-V1-R0TR	EAR99	8541.29.0075	50		10微安	900毫安	175W	20分贝	-	28V
2N5950_J18Z	-	询价	3538	onsemi	-	大部分	过时的	30V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	2N5950	-	结型场效应晶体管	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000	N沟道	15毫安		-	-	-
MMRF1004GNR1	24.8182	询价	2878	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	68V	表面贴装	TO-270BA	MMRF1004	2.17GHz	LDMOS	TO-270-2海鸥	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935320363528	EAR99	8541.29.0075	500		-	130毫安	10W	15.5分贝	-	28V
BF1201WR,115	-	询价	1974年	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	10V	表面贴装	SC-82A、SOT-343	BF120	400兆赫	场效应晶体管	CMPAK-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应	30毫安	15毫安	-	29分贝	1分贝	5V
VRF152GMP	356.1300	询价	10	微芯片	-	大部分	的积极				VRF152				-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	150-VRF152GMP	EAR99	8541.29.0095	1
MRFG35010NT1	37.5500	询价	2	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	15V		PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管	PLD-1.5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1,000		-	180毫安	9W	10分贝	-	12V
MRF24301HR5178	1.0000	询价	9953	恩智浦	*	大部分	的积极								下载						0000.00.0000	1
MRFG35020AR1	-	询价	8870	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	15V	安装结构	NI-360	MRFG35	3.5GHz	pHEMT场效应管	NI-360	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500		-	300毫安	2W	11.5分贝	-	12V
CLF1G0035-100,112	262.5150	询价	8366	Ampleon美国公司	-	托盘	不适合新设计	150伏	安装结构	SOT-467C	CLF1G0035	3GHz	N化晶体管高电子迁移率晶体管	SOT467C	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		-	330毫安	100W	12分贝	-	50V
MWT-9F	53.2500	询价	3301	微波科技公司	-	案件	的积极	6V		死	MWT-9	500MHz～18GHz	场效应管	芯片	下载				1203-MWT-9F	EAR99	8541.29.0040	10		270毫安	270毫安	26.5分贝	8.5分贝	-	4V
PTFB092707FH-V1-R0	-	询价	8760	沃尔夫斯皮德公司	-	条	过时的	65V	表面贴装	H-37288L-4/2		960兆赫	LDMOS	H-37288L-4/2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8542.33.0001	50		-	2.15安	60W	19分贝	-	28V
2SK1740-5-TB-E	1.1600	询价	2	三洋	*	大部分	的积极								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义			0000.00.0000	1
UPA570T-T1-A	0.2000	询价	33	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	3,000
CLF1G0035-100P	202.5400	询价	9	恩智浦半导体	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-CLF1G0035-100P-954			1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²