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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
NE3210S01	-	RFQ	1602	cel	-	条	过时的	4 V		4-SMD		12GHz	GAAS HJ-FET	SMD	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1		15mA	10 MA	-	13.5dB	0.35dB	2 v
Art1k6phz	-	RFQ	3926	Ampleon USA Inc.	艺术	托盘	积极的	177 v	表面安装	OMP-1230-4G-1	Art1k6	1MHz〜450MHz	ldmos	OMP-1230-4G-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	双重，共同来源	960NA	50 mA	1600W	27.4db	-	55 v
blc9g22xs-1220Agwty	-	RFQ	7316	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	SOT-1278-1	BLC9	2.11GHz〜2.2GHz	ldmos	SOT1278-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的		100		1.4µA		120W	17.1db	-
MW7IC2020NT1528	-	RFQ	1347	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				MW7IC				下载						0000.00.0000	1
BLF6G27LS-40PGJ	-	RFQ	7564	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-1121E	BLF6	2.5GHz〜2.7GHz	ldmos	CDFM4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934068916118	Ear99	8541.29.0095	100	双重，共同来源	-	450 MA	12W	17.5db	-	28 V
NE3517S03-T1C-A	-	RFQ	6910	cel	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	4 V		4-SMD，平坦的铅		20GHz	GAAS HJ-FET	S03	-		（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8542.33.0001	2,000		15mA	10 MA	-	13.5dB	0.7dB	2 v
MMRF1310HR5	115.0100	RFQ	50	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	133 v	底盘安装	NI-780-4	MMRF1310	230MHz	ldmos	NI-780-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的	-	100 ma	300W	26.5db	-	50 V
STAC4932B	117.9750	RFQ	7106	Stmicroelectronics	-	托盘	积极的	200 v		STAC244B	STAC4932	123MHz	MOSFET	STAC244B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-10703	Ear99	8541.29.0095	20	n通道	-	500 MA	1000W	26dB	-	100 v
BF991,215	-	RFQ	9394	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	20 v	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BF991	100MHz	MOSFET	SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门	20mA	10 MA	-	29dB	0.7dB	10 v
MRF6V2300NBR1	-	RFQ	1329	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v	底盘安装	TO-272BB	MRF6	220MHz	ldmos	TO-272 WB-4	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500		-	900 MA	300W	25.5db	-	50 V
PTVA120251EAV2XWSA1	-	RFQ	6807	Infineon技术	-	托盘	过时的	50 V	表面安装	H-36265-2		500MHz〜1.4GHz	ldmos	H-36265-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001210504	Ear99	8541.29.0095	50		-		30W	16dB	-
NE3508M04-T2-A	-	RFQ	7890	cel	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	4 V		SOT-343F		2GHz	GAAS HJ-FET	F4TSMM，M04	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		120mA	10 MA	18dbm	14dB	0.45dB	2 v
MRF6S27050HSR5	-	RFQ	8775	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	底盘安装	NI-780	MRF6	2.62GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50		-	500 MA	7W	16dB	-	28 V
FW341-TL-E	0.3000	RFQ	17	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
3SK264-5-TG-E	-	RFQ	2032	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	15 v	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	3SK26	200MHz	MOSFET	4-CP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门	30mA	10 MA	-	23dB	2.2dB	6 V
AFV141KHR5	603.9620	RFQ	4677	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v	底盘安装	SOT-979A	AFV141	1.4GHz	ldmos	NI-1230-4H	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935320646178	Ear99	8541.29.0075	50	双重的	-	100 ma	1000W	17.7dB	-	50 V
MRF6S1120HR3	-	RFQ	8593	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	底盘安装	SOT-957A	MRF6	1.99GHz	ldmos	NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	1 a	19w	15DB	-	28 V
BLL8H1214LS-250U	202.3650	RFQ	2777	Ampleon USA Inc.	-	托盘	不适合新设计	100 v	底盘安装	SOT-502B	BLL8	1.2GHz〜1.4GHz	ldmos	SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	20		-	100 ma	250W	17dB	-	50 V
BF1206,115	-	RFQ	4985	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	6 V	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BF120	400MHz	MOSFET	6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门	30mA	18 ma	-	30dB	1.3dB	5 v
ARF446G	-	RFQ	1637年	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	900 v		TO-247-3	ARF446	40.68MHz	MOSFET	TO-247	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道	6.5a		140W	15DB	-	250 v
BF998E6327	-	RFQ	4284	Infineon技术	-	大部分	积极的	12 v	表面安装	TO-253-4，TO-253AA		1GHz	MOSFET	SOT143（SC-61）	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道	15mA	10 MA	-	28DB	2.8dB	8 V
A2T18H455W23NR6	-	RFQ	3983	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	OM-1230-4L2S	A2T18	1.805GHZ〜1.88GHz	ldmos	OM-1230-4L2S	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935318707564	Ear99	8541.29.0075	150		10µA	1.08 a	56DBM	14.5db	-	31.5 v
MRFE6S9046GNR1	-	RFQ	5531	自由度半导体	-	大部分	积极的	66 v	表面安装	TO-270BB		920MHz〜960MHz	ldmos	TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1		10µA	300 MA	35.5W	19db	-	28 V
MRF18085BLSR3	29.7300	RFQ	146	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v	底盘安装	NI-780		1.93GHZ〜1.99GHz	MOSFET	NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	57	n通道	10µA	800 MA	85W	12.5db	-	26 V
CLF1G0060S-10U	101.7265	RFQ	6525	Ampleon USA Inc.	-	托盘	不适合新设计	150 v	表面安装	SOT-1227B	CLF1G0060	3GHz〜3.5GHz	甘姆特	SOT1227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20		-	50 mA	10W	14.5db	-	50 V
PTRA093302FC-V1-R2	-	RFQ	7453	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	105 v	底盘安装	H-37248-4	PTRA093302	768MHz	ldmos	H-37248-4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	250		10µA	400 MA	79W	17.25db	-	48 v
ARF444	-	RFQ	3686	Microsemi Corporation	-	管子	过时的			-		-	-	-	-	Rohs不合规	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1	-	-		-	-	-
BLF7G20LS-90P，112	64.1700	RFQ	100	NXP USA Inc.	-	管子	积极的	65 v	表面安装	SOT-1121b		2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	最多	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	6	双重，共同来源	2µA	550 MA	90W	19.5db	-	28 V
MRF7S38075HR5	-	RFQ	4257	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-957A	MRF7	3.4GHz〜3.6GHz	ldmos	NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	900 MA	12W	14dB	-	30 V
blf984pu	144.4400	RFQ	526	Ampleon USA Inc.	-	托盘	积极的	104 v	底盘安装	SOT-1121A	BLF984	470MHz〜860MHz	ldmos	CDFM4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源	1.4µA	650 MA	350W	21dB	-	50 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²