射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
艺术150PEY	51.4650	询价	3854	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极				艺术150				-	符合ROHS3标准						100
BLF7G27LS-75P,118	-	询价	8712	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	SOT-1121B	BLF7G27	2.3GHz～2.4GHz	LDMOS	LDMOST	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934064558118	EAR99	8541.29.0095	100	双重、共同来源	18A	650毫安	12W	17分贝	-	28V
IGN0912LM500	788.3600	询价	10	Integra技术公司	*	托盘	的积极				IGN0912				下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		2251-IGN0912LM500	EAR99	8541.29.0075	5
BG3430RE6327HTSA1	-	询价	9214	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	8V	表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363		800兆赫	场效应晶体管	PG-SOT363-PO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）	25毫安	14毫安	-	25分贝	1.3分贝	5V
PTVA101K02EV-V1-R0	823.8300	询价	98	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	105V	安装结构	H-36275-4	PTVA101	1.03GHz～1.09GHz	LDMOS	H-36275-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	50		-	150毫安	900W	21分贝	-	50V
ATF-38143-TR2G	-	询价	6885	博通有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的	4.5V		SC-82A、SOT-343	ATF-38143	2GHz	pHEMT场效应管	SOT-343	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000		145毫安	10毫安	12分贝	16分贝	0.4分贝	2V
1214GN-120V	-	询价	第1159章	微芯片	B	大部分	的积极	125V	表面贴装	55-QQ		1.2GHz～1.4GHz	HEMT	55-QQ	下载			REACH 不出行	150-1214GN-120V	EAR99	8541.29.0095	1		-	30毫安	130W	17.16分贝	-	50V
SCH2301-TL-E	0.2400	询价	5	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	5,000
BLM8AD22S-60ABGY	50.9200	询价	97	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	SIC停产	65V	表面贴装	OMP-780-16G-1	BLM8	2.1GHz～2.2GHz	LDMOS	OMP-780-16G-1	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100	双重的	1.4微安	105毫安	45W	28.2分贝	-	28V
PXAE261908NF-V1-R5	65.0147	询价	4366	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	PG-HBSOF-6-3	PXAE261908	2.515GHz～2.675GHz	LDMOS（双）	PG-HBSOF-6-3	-				1697-PXAE261908NF-V1-R5TR			500	-	10微安	450毫安	240W	13.5分贝	-	28V
NE5531079A-T1A-A	-	询价	5523	西尔	-	卷带式 (TR)	过时的	30V		4-SMD，写入		460兆赫	LDMOS	79A	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	5,000		3A	200毫安	40分贝	-	-	7.5V
BLF2425M7LS100U	-	询价	第1156章	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF2425	2.3GHz～2.4GHz	LDMOS	SOT502B	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934067901112	过时的	0000.00.0000	20		-	900毫安	20W	18分贝	-	28V
MRF1513NT1	-	询价	5131	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	40V	表面贴装	PLD-1.5	MRF15	520兆赫	LDMOS	PLD-1.5	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1,000		2A	50毫安	3W	15分贝	-	12.5V
MMRF1020-04GNR3	266.1723	询价	3118	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	105V	表面贴装	OM-780G-4L	MMRF1020	920兆赫	LDMOS	OM-780G-4L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935318203528	EAR99	8541.29.0075	250	双重的	-	第860章	100W	19.5分贝	-	48V
BPF0910H9X600Z	-	询价	2406	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	106伏		模块	BPF0910	902MHz～928MHz	LDMOS	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	2		2.8微安	90毫安	600W	19分贝	-	50V
C4H2327N110AZ	47.3500	询价	185	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	50V	表面贴装	6-VDFN 裸露焊盘		2.3GHz～2.69GHz	-	6-DFN (7x6.5)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	-	-		-	15分贝	-
MRF9060NR1	34.8500	询价	第247章	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	65V		TO-270AA	MRF90	945兆赫	LDMOS	TO-270-2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1		-	450毫安	60W	18分贝	-	26V
MRF6S9060NBR1	-	询价	8198	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	TO-272BC	MRF6	880兆赫	LDMOS	TO-272-2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500		-	450毫安	14W	21.4分贝	-	28V
2N5950	-	询价	8947	仙童	-	大部分	过时的	30V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)		-	结型场效应晶体管	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.21.0095	1	N沟道	15毫安		-	-	-
MRF5S21090HR5	-	询价	4248	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-957A	MRF5	2.11GHz	LDMOS	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	50		-	850毫安	19W	14.5分贝	-	28V
UF28100M	351.3583	询价	7124	MACOM技术解决方案	-	大部分	的积极	65V	安装结构	4L-FLG	UF28100	100MHz～500MHz	N沟道	-	-				1465-UF28100M			1	N沟道	3毫安	600毫安	100W	10分贝	-	28V
BLL6H0514-25,112	267.6400	询价	1	Ampleon美国公司	-	托盘	不适合新设计	100伏	安装结构	SOT-467C	BLL6	1.2GHz～1.4GHz	LDMOS	SOT467C	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		2.5A	50毫安	25W	21分贝	-	50V
MRF6S19140HR3	112.6200	询价	405	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	68V	安装结构	SOT-957A		1.93GHz～1.99GHz	LDMOS	NI-880H-2L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	250		10微安	1.15安	29W	16分贝	-	28V
MRF7P20040HSR3	46.9500	询价	20	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	65V	安装结构	NI-780S-4		1.8GHz～2.2GHz	LDMOS	NI-780S-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250	双重的	10微安	150毫安	10W	18.2分贝	-	32V
PTVA120252MT-V1-R1K	16.9246	询价	4162	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	105V		16-TDFN 裸露焊盘	PTVA120252	500MHz～1.4GHz	LDMOS	PG-SON-16	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0075	1,000	双重的	10微安		30.2W	20.2分贝	-
MMRF1015GNR1	18.9720	询价	7999	恩智浦	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	68V	表面贴装	TO-270BA	MMRF1015	960兆赫	LDMOS	TO-270-2海鸥	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935315212528	EAR99	8541.29.0075	500		-	125毫安	10W	18分贝	-	28V
MRF8P20165WHSR5	117.6600	询价	39	飞思卡尔半导体	-	大部分	过时的	65V	安装结构	NI-780S-4		1.88GHz～2.025GHz	LDMOS	NI-780S-4	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0075	50	双重的	10微安	550毫安	37W	14.8分贝	-	28V
BLF9G38-10GU	-	询价	3428	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	28V	表面贴装	SOT-975C		3.4GHz～3.8GHz	LDMOS	CDFM2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	60		-		10W	-	-
SCH1305-TL-E	0.0700	询价	60	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	5,000
MHT2025NR1	-	询价	4929	恩智浦	*	卷带式 (TR)	过时的				MHT20				-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	935341634528	过时的		500

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²