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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
BLF6G20-110,112	-	RFQ	1486年	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502A		1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos	SOT502A	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	20		29a	900 MA	25W	19db	-	28 V
275x2-501N16A-00	-	RFQ	8481	ixys-rf	de	管子	过时的	500 v		8-SMD，平坦的铅裸垫	275x2-501	-	MOSFET	DE275	下载		（1 （无限）	到达受影响	DE275X2-501N16A-00	Ear99	8541.29.0095	20	2 n 通道（双）	16a		1180W	-	-
PTFA261301E V1	-	RFQ	3652	Infineon技术	Goldmos®	托盘	过时的	65 v	表面安装	2-flatpack，鳍线		2.68GHz	ldmos	H-30260-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	35		10µA	1.4 a	130W	13.5dB	-	28 V
2SK3979-TL-E	-	RFQ	8146	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	700
BLF8G20LS-140VJ	-	RFQ	4433	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-1244B		1.81GHZ〜1.88GHz	ldmos	CDFM6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934068306118	Ear99	8541.29.0095	100		-	900 MA	35W	18.5db	-	28 V
MRF1570NT1	-	RFQ	5432	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40 V	底盘安装	TO-272-8	MRF15	470MHz	ldmos	TO-272-8包装	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	935313761528	Ear99	8541.21.0075	500		-	800 MA	70W	11.5db	-	12.5 v
GTRB424908FC/1-V1-R0	210.0922	RFQ	2807	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	48 v	表面安装	H-37248KC-6/2	GTRB424908	3.7GHz〜4GHz	hemt	H-37248KC-6/2	-				1697-GTRB424908FC/1-V1-R0TR			50	-	-		450W	12DB	-
PTFA192001FV4FWSA1	-	RFQ	7354	Infineon技术	-	托盘	过时的	65 v	表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰	PTFA192001	1.99GHz	ldmos	H-37260-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40		10µA	1.8 a	50W	15.9db	-	30 V
MRFE6S9200HSR3	-	RFQ	1422	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	66 v	表面安装	NI-880S	MRFE6	880MHz	ldmos	NI-880S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	1.4 a	58W	21dB	-	28 V
BF244C	-	RFQ	1213	中央半导体公司	*	大部分	过时的								-					过时的	0000.00.0000	2,500
MRF8S18120HSR3	-	RFQ	7139	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-780	MRF8	1.81GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	250		-	800 MA	72W	18.2db	-	28 V
BLF8G19LS-170BV	-	RFQ	6364	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-1120B		1.8GHZ〜1.99GHz	ldmos	最多	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		60	双重，共同来源	4.5µA	1.3 a	170W	18db	-	32 v
ARF469BG	70.8500	RFQ	1245	微芯片技术	-	管子	积极的	500 v	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ARF469	45MHz	MOSFET	TO-264	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道	30a	250 µA	350W	16dB	-	150 v
Blu6H0410L-600P，11	828.1500	RFQ	9763	Ampleon USA Inc.	-	托盘	不适合新设计	110 v	底盘安装	SOT-539A	蓝色	860MHz	ldmos	SOT539A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源	-	1.3 a	250W	21dB	-	50 V
2SK212F-SPA	1.0000	RFQ	3395	Onmi	*	大部分	积极的								-						0000.00.0000	1
MRFE6VP100HSR5	112.5908	RFQ	4457	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	133 v	表面安装	NI-780S-4L	MRFE6	512MHz	ldmos	NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935314736178	Ear99	8541.29.0095	50		-	100 ma	100W	26dB	-	50 V
blc9g22xs-1220Agwty	-	RFQ	7316	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	SOT-1278-1	BLC9	2.11GHz〜2.2GHz	ldmos	SOT1278-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的		100		1.4µA		120W	17.1db	-
MRF151	-	RFQ	5763	MACOM技术解决方案	-	托盘	积极的	125 v		-		175MHz	MOSFET	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1465-1153	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	16a	250 MA	150W	13db〜22dB	-	50 V
CGH40035F	197.6500	RFQ	3502	Wolfspeed，Inc。	甘	托盘	积极的	84 v		440193	CGH40	0Hz〜4GHz	hemt	440193	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		CGH40035FE	Ear99	8541.29.0075	120		10.5a	500 MA	45W	14dB	-	28 V
MW7IC2020NT1528	-	RFQ	1347	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				MW7IC				下载						0000.00.0000	1
Art1k6phz	-	RFQ	3926	Ampleon USA Inc.	艺术	托盘	积极的	177 v	表面安装	OMP-1230-4G-1	Art1k6	1MHz〜450MHz	ldmos	OMP-1230-4G-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	双重，共同来源	960NA	50 mA	1600W	27.4db	-	55 v
MRF6V2300NR5	-	RFQ	3789	自由度半导体	-	大部分	积极的	110 v		TO-270AB	MRF6	220MHz	ldmos	TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	1		-	900 MA	300W	25.5db	-	50 V
BLF6G27LS-40PGJ	-	RFQ	7564	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-1121E	BLF6	2.5GHz〜2.7GHz	ldmos	CDFM4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934068916118	Ear99	8541.29.0095	100	双重，共同来源	-	450 MA	12W	17.5db	-	28 V
BLF7G24LS-100,112	-	RFQ	9438	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502B	BLF7	2.3GHz〜2.4GHz	ldmos	SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		28a	900 MA	20W	18db	-	28 V
NE3210S01	-	RFQ	1602	cel	-	条	过时的	4 V		4-SMD		12GHz	GAAS HJ-FET	SMD	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1		15mA	10 MA	-	13.5dB	0.35dB	2 v
ATF-551M4-BLK	-	RFQ	5995	Broadcom Limited	-	大部分	过时的	5 v		0505（1412公制）	ATF-551M4	2GHz	Phemt fet	Minipak 1412	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	100		100mA	10 MA	14.6dBm	17.5db	0.5dB	2.7 v
BLF7G27LS-75P，118	-	RFQ	8712	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	SOT-1121b	BLF7G27	2.3GHz〜2.4GHz	ldmos	最多	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934064558118	Ear99	8541.29.0095	100	双重，共同来源	18a	650 MA	12W	17dB	-	28 V
MRF6P23190HR6	-	RFQ	5371	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	底盘安装	NI-1230	MRF6	2.39GHz	ldmos	NI-1230	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150		-	1.9 a	40W	14dB	-	28 V
MMRF1310HR5	115.0100	RFQ	50	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	133 v	底盘安装	NI-780-4	MMRF1310	230MHz	ldmos	NI-780-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的	-	100 ma	300W	26.5db	-	50 V
NE3517S03-T1C-A	-	RFQ	6910	cel	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	4 V		4-SMD，平坦的铅		20GHz	GAAS HJ-FET	S03	-		（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8542.33.0001	2,000		15mA	10 MA	-	13.5dB	0.7dB	2 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²