射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
ARF465AG	61.8200	询价	30	微芯片	-	大部分	的积极	1200伏		TO-247-3	ARF465	40.68兆赫	场效应晶体管	TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1	N沟道	6A		150W	15分贝	-	300伏
2SK853A-T1-A	-	询价	4733	瑞萨电子美国公司	*	大部分	过时的								下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000
MRF7S18170HSR3	-	询价	8787	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	NI-880S	MRF7	1.81GHz	LDMOS	NI-880S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		-	1.4A	50W	17.5分贝	-	28V
BLC8G09XS-400AVTY	-	询价	2318	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		SOT-1258-7	BLC8	791MHz～960MHz	LDMOS	SOT-1258-7	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	934960058518	EAR99	8541.29.0075	100		2.8微安	第880章	540W	17分贝	-	32V
PN5033	0.4200	询价	1	中央半导体公司	-	大部分	过时的	20V		TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)		1kHz	结型场效应晶体管	TO-92	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	-PN5033	EAR99	8541.21.0095	2,500人	P沟道	-		-	-	2分贝
MRF24300NR3	-	询价	4591	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	OM-780-2	磁流变24	2.45GHz	LDMOS	OM-780-2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		-	100毫安	330W	13.1分贝	-	32V
MRF5S21100HSR3	-	询价	5820	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		NI-780S	MRF5	2.16GHz～2.17GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	250		-	1.05安	23W	13.5分贝	-	28V
ON5233,118	0.2000	询价	30	安世半导体美国公司	-	大部分	的积极		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		-	-	DPAK	-					EAR99	8541.29.0095	1	-	-		-	-	-
CGH27030S-AMP1	765.5400	询价	2	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	大部分	的积极	120V		12-VFDFN 裸露焊盘		6GHz	HEMT	12-DFN (4x3)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）			EAR99	8543.70.9810	1		-	200毫安	30W	21.1分贝	-	28V
TAV2-501+	12.1300	询价	1	迷你电路	-	卷带式 (TR)	的积极	7V	表面贴装	8-TFDFN 裸露焊盘	TAV2	400MHz～3.9GHz	pHEMT	MC1631-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.33.0001	2,000		500纳安	280毫安	-	23.5分贝	1.3分贝	4.5V
UPA608T-T1-A	0.1700	询价	38	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	3,000
AFT27S012NT1	12.8987	询价	1430	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	PLD-1.5W	AF27	728MHz～2.7GHz	LDMOS	PLD-1.5W	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935347325515	EAR99	8541.29.0075	1,000		10微安	90毫安	13W	20.9分贝	-	28V
CLF1G0060S-10U	101.7265	询价	6525	Ampleon美国公司	-	托盘	不适合新设计	150伏	表面贴装	SOT-1227B	CLF1G0060	3GHz～3.5GHz	N化晶体管高电子迁移率晶体管	SOT1227B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		-	50毫安	10W	14.5分贝	-	50V
MRF6V13250HR3	-	询价	1068	恩智浦	-	卷带式 (TR)	SIC停产	120V	安装结构	SOT-957A	MRF6	1.3GHz	LDMOS	NI-780H-2L	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		-	100毫安	250W	22.7分贝	-	50V
RF5L051K5CB4	187.5000	询价	8349	意法半导体	-	大部分	的积极	110V	安装结构	D4E	RF5L051K5	500兆赫	LDMOS	D4E	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	497-RF5L051K5CB4			100	-	1微安	200毫安	1500W	22分贝	-	50V
J310_D75Z	-	询价	8740	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	25V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	J310	450兆赫	结型场效应晶体管	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000	N沟道	60毫安	10毫安	-	12分贝	3分贝	10V
STAC1011-500	208.7250	询价	8570	意法半导体	-	大部分	的积极	110V	表面贴装	STAC780-4F	STAC1011	700MHz～1.2GHz	LDMOS	STAC780-4F	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	497-STAC1011-500			80	N沟道	1微安	200毫安	500W	16分贝	-	50V
ART35FEU	113.2500	询价	7380	Ampleon美国公司	艺术	托盘	的积极	200V	安装结构	SOT-467C	艺术35	1MHz～650MHz	LDMOS	SOT467C	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		1.2微安	20毫安	35W	31分贝	-	65V
BLF6G15L-40BRN,118	-	询价	2089	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-1112A	BLF6G15	1.47GHz～1.51GHz	LDMOS	CDFM6	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934064452118	EAR99	8541.29.0075	100	双重、共同来源	11A	330毫安	2.5W	22分贝	-	28V
BLF8G09LS-400PGWQ	80.1400	询价	29	恩智浦	-	大部分	的积极	65V	安装结构	SOT-1242C		718.5MHz～725.5MHz	LDMOS	CDFM8	下载					EAR99	8541.29.0075	4	双重、共同来源	-	3.4A	95W	20.6分贝	-	28V
MRF7S18170HR5	-	询价	1668	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-957A	MRF7	1.81GHz	LDMOS	NI-880H-2L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	50		-	1.4A	50W	17.5分贝	-	28V
PTFA041501GL V1	-	询价	8709	英飞凌科技	-	托盘	过时的	65V	表面贴装	2 纸张封装，鳍片底部	PTFA041501	470兆赫	LDMOS	PG-63248-2	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		1微安	900毫安	150W	21分贝	-	28V
BLF6G20-230PRN,112	-	询价	5980	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-539A	BLF6G20	1.8GHz～1.88GHz	LDMOS	SOT539A	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934063293112	EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	-	2A	65W	17.5分贝	-	28V
GTRB097152FC-V1-R2	142.7251	询价	第1565章	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	48V	表面贴装	H-37248C-4	GTRB097152	758MHz～960MHz	HEMT	H-37248C-4	-				1697-GTRB097152FC-V1-R2TR			250	-	-		900W	18分贝	-
BLA9H0912LS-250U	-	询价	7975	Ampleon美国公司	-	托盘	SIC停产	106伏	安装结构	SOT-502B	BLA9	960MHz～1.215GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		1.4微安	100毫安	250W	22分贝	-	50V
BF256AG	-	询价	7395	onsemi	-	大部分	过时的	30V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	BF256	800兆赫	结型场效应晶体管	TO-92 (TO-226)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000	N沟道	7毫安		-	11分贝	-
ART700FHU	174.9300	询价	4374	Ampleon美国公司	-	托盘	的积极	177伏	安装结构	SOT-1214A	ART700	1MHz～450MHz	LDMOS	SOT1214A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	20	双重、共同来源	1.4微安	25毫安	700W	28.6分贝	-	55V
MRF6VP11KGSR5	-	询价	9749	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	110V	安装结构	NI-1230S-4 GW	MRF6	130兆赫	LDMOS	NI-1230S-4海鸥	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935314866178	5A991G	8541.29.0095	50	双重的	-	150毫安	1000W	26分贝	-	50V
BF908R,215	-	询价	9836	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	12V	表面贴装	SOT-143R	BF908	200兆赫	场效应晶体管	SOT-143R	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应	40毫安	15毫安	-	-	0.6分贝	8V
PTFB182557SH-V1-R250	110.0163	询价	4767	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	的积极				PTFB182557				下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	250

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2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²