射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
CLF1G0035-100P	202.5400	询价	9	恩智浦半导体	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-CLF1G0035-100P-954			1
BLF8G09LS-400PGWJ	-	询价	4328	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-1242C	BLF8	718.5MHz～725.5MHz	LDMOS	CDFM8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100	双重、共同来源	-	3.4A	95W	20.6分贝	-	28V
MRF8S23120HSR5	-	询价	7190	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780S	MRF8	2.3GHz	LDMOS	NI-780S	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	800毫安	28W	16分贝	-	28V
MRF7S15100HSR3	-	询价	5839	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780S	MRF7	1.51GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935317045128	EAR99	8541.29.0075	250		-	600毫安	23W	19.5分贝	-	28V
ATF-36077-TR1	-	询价	1525	博通有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的	3V		4-SMD（77包）		12GHz	pHEMT场效应管	77	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1,000		45毫安	10毫安	5分贝	12分贝	0.5分贝	1.5V
BLF6G20-45,112	-	询价	3474	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-608A	BLF6G20	1.8GHz～1.88GHz	LDMOS	CDFM2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		13A	360毫安	2.5W	19.2分贝	-	28V
BLM7G1822S-80ABGY	-	询价	4335	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	SOT-1212-2	BLM7	2.17GHz	LDMOS	16-HSOP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.33.0001	100	双重的	-	40毫安	4W	31分贝	-	28V
A2T26H300-24SR6	-	询价	8973	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-1230-4LS2L	A2T26	2.5GHz	LDMOS	NI-1230-4LS2L	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	150	双重的	-	800毫安	60W	14.5分贝	-	28V
PTFB091507FH-V1-R250	70.1521	询价	7382	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极				PTFB091507				下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	250
MMBFJ310	-	询价	第1654章	仙童	-	大部分	的积极	25V		TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MMBFJ3	450兆赫	结型场效应晶体管	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	3,000	N沟道	60毫安	10毫安	-	12分贝	3分贝	10V
VRF152GMP	356.1300	询价	10	微芯片	-	大部分	的积极				VRF152				-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	150-VRF152GMP	EAR99	8541.29.0095	1
2N5950_J18Z	-	询价	3538	onsemi	-	大部分	过时的	30V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	2N5950	-	结型场效应晶体管	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000	N沟道	15毫安		-	-	-
MAGX-000035-01000P	-	询价	9789	MACOM技术解决方案	-	大部分	过时的	65V		-		3.5GHz	HEMT	-	下载		1（无限制）			过时的	0000.00.0000	10		500毫安	30毫安	10W	17分贝	-	50V
MRFG35010NT1	37.5500	询价	2	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	15V		PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管	PLD-1.5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1,000		-	180毫安	9W	10分贝	-	12V
PD85035STR-E	30.8300	询价	9481	意法半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	40V		PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2条直读）	PD85035	870兆赫	LDMOS	PowerSO-10RF（直读）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	-1138-PD85035STR-ETR	EAR99	8541.29.0095	600		8A	350毫安	15W	17分贝	-	13.6V
MRFE6S8046NR1	-	询价	1997年	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	66伏	表面贴装	TO-270AB	MRFE6	894兆赫	LDMOS	TO-270 WB-4	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	500		-	300毫安	35.5W	19.8分贝	-	28V
2N5951_D27Z	-	询价	6644	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	30V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	2N5951	1kHz	结型场效应晶体管	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000	N沟道	13毫安		-	-	2分贝	15V
MMRF1004GNR1	24.8182	询价	2878	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	68V	表面贴装	TO-270BA	MMRF1004	2.17GHz	LDMOS	TO-270-2海鸥	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935320363528	EAR99	8541.29.0075	500		-	130毫安	10W	15.5分贝	-	28V
PXAC182908FV-V1-R250	-	询价	2800	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	过时的				PXAC182908				下载	符合RoHS标准	1（无限制）			过时的		250
MMRF1310HR5	115.0100	询价	50	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	133伏	安装结构	NI-780-4	MMRF1310	230兆赫	LDMOS	NI-780-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50	双重的	-	100毫安	300W	26.5分贝	-	50V
PXFE181507FC-V1-R0	66.3392	询价	3136	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	65V	表面贴装	H-37248G-4/2	PXFE181507	1.805GHz～1.88GHz	LDMOS	H-37248G-4/2	下载				1697-PXFE181507FC-V1-R0TR	EAR99	8541.29.0075	50		10微安	900毫安	175W	20分贝	-	28V
BLS7G2729L-350P,11	-	询价	第1733章	恩智浦半导体	-	大部分	的积极								-				2156-BLS7G2729L-350P,11			1
MRF5S19150HSR5	127.4800	询价	150	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	65V		NI-880S	MRF5	1.93GHz～1.99GHz	LDMOS	NI-880S	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	50		-	1.4A	32W	14分贝	-	28V
MRF6S19200HSR5	-	询价	7514	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	66伏	安装结构	NI-780S	MRF6	1.93GHz～1.99GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	1.6安	56W	17.9分贝	-	28V
BLF6G27LS-40PGJ	-	询价	7564	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-1121E	BLF6	2.5GHz～2.7GHz	LDMOS	CDFM4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934068916118	EAR99	8541.29.0095	100	双重、共同来源	-	450毫安	12W	17.5分贝	-	28V
GTVA263202FC-V1-R0	178.5784	询价	9988	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V	表面贴装	H-37248-4	GTVA263202	2.62GHz～2.69GHz	HEMT	H-37248-4	下载	符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0075	50		-	200毫安	340W	17分贝	-	48V
PTFA212001FV4XWSA1	-	询价	4527	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	2 箔封装、翅片安装、法兰式	PTFA212001	2.14GHz	LDMOS	H-37260-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	40		10微安	1.6安	50W	15.8分贝	-	30V
CLF1G0035-100,112	262.5150	询价	8366	Ampleon美国公司	-	托盘	不适合新设计	150伏	安装结构	SOT-467C	CLF1G0035	3GHz	N化晶体管高电子迁移率晶体管	SOT467C	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		-	330毫安	100W	12分贝	-	50V
CPH3303-TL-E	0.1600	询价	18	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	3,000
BF1201WR,115	-	询价	1974年	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	10V	表面贴装	SC-82A、SOT-343	BF120	400兆赫	场效应晶体管	CMPAK-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应	30毫安	15毫安	-	29分贝	1分贝	5V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²