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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
FDBL9406 Fairchild Semiconductor FDBL9406 -
RFQ
 ECAD 8611 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 FDBL940 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 2,000 -
SI7964DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7964DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3188 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SI7964 MOSFET （金属 o化物） 1.4W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 6.1a 23mohm @ 9.6a，10v 4.5V @ 250µA 65nc @ 10V - -
APTJC120AM13VCT1AG Microsemi Corporation APTJC120AM13VCT1AG -
RFQ
 ECAD 1840年 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - 底盘安装 模块 APTJC120 - - 模块 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 7 - - - - - - - -
ALD310702ASCL Advanced Linear Devices Inc. ALD310702ASCL 7.4692
RFQ
 ECAD 5116 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 0°C〜70°C 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） ALD310702 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1290 Ear99 8541.21.0095 50 4个p通道，匹配对 8V - - 180MV @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
NTJD2152PT2 onsemi NTJD2152PT2 -
RFQ
 ECAD 1313 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 NTJD21 MOSFET （金属 o化物） 270MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 8V 775MA 300MOHM @ 570mA，4.5V 1V @ 250µA 4NC @ 4.5V 225pf @ 8V 逻辑级别门
DMTH4007SPDQ-13 Diodes Incorporated DMTH4007SPDQ-13 1.2500
RFQ
 ECAD 7974 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMTH4007 MOSFET （金属 o化物） 2.6W PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 14.2a 8.6mohm @ 17a，10v 4V @ 250µA 41.9NC @ 10V 2026pf @ 30V -
NVMFD5877NLT1G onsemi NVMFD5877NLT1G -
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 ECAD 2502 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5877 MOSFET （金属 o化物） 3.2W 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 6a 39mohm @ 7.5a，10v 3V @ 250µA 20NC @ 10V 540pf @ 25V 逻辑级别门
CSD86356Q5D Texas Instruments CSD86356Q5D 1.0929
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 ECAD 4380 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN CSD86356 MOSFET （金属 o化物） 12W（ta） 8-VSON-CLIP（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（半桥） 25V 40a（ta） 4.5MOHM @ 20a，5v，0.8Mohm @ 20a，5v 1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA 7.9nc @ 4.5V，19.3nc @ 4.5V 1040pf @ 12.5V，2510pf @ 12.5V 逻辑水平门，5v驱动器
SIZF916DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZF916DT-T1-GE3 1.6400
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 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn SIZF916 MOSFET （金属 o化物） 3.4W（TA），26.6w（tc），4W ta（4W ta），60w （tc） 8-Powerpair®（6x5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 23A（23A），40a（tc） 4mohm @ 10a，10v，1.25mohm @ 10a，10v 2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA 22nc @ 10v，95nc @ 10V 1060pf @ 15V，4320pf @ 15V -
PSMN9R3-60HSX Nexperia USA Inc. PSMN9R3-60HSX 2.0300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 PSMN9R3 MOSFET （金属 o化物） 68W（TA） LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 40a（ta） 9.3mohm @ 10a，10v 4V @ 1mA 34.2NC @ 10V 2348pf @ 25V -
AOD609G Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD609G 0.9600
RFQ
 ECAD 8427 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-5，DPAK（ + 4 +选项卡，TO-252AD AOD60 MOSFET （金属 o化物） （2W）（27W）（27W tc），2W（ta（2W（ta），30w（tc（TC）（TC） TO-252-4L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道互补 40V 12A（TC） 30mohm @ 12a，10v，45mohm @ 12a，10v 3V @ 250µA 13nc @ 10v，21nc @ 10v 545pf @ 20v，890pf @ 20V -
CXT-PLA3SA12450AA CISSOID CXT-Pla3SA12450AA 3.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 cissoid - 托盘 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 cxt-pla3 （SIC） 模块 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 3276-CXT-PLA3SA12450AA Ear99 8542.39.0000 1 6 n通道（3相桥） 1200V（1.2kV） 450a 3.25MOHM @ 300A 295nc @ 15V 30000pf @ 600V -
MSCSM120TLM16C3AG Microchip Technology MSCSM120TLM16C3AG 470.3100
RFQ
 ECAD 8513 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 745W（TC） SP3F - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120TLM16C3AG Ear99 8541.29.0095 1 （4 n 通道（三级逆变器） 1200V（1.2kV） 173a（TC） 16mohm @ 80a，20v 2.8V @ 2mA 464NC @ 20V 6040pf @ 1000V -
SI1551DL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1551DL-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5875 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1551 MOSFET （金属 o化物） 270MW SC-70-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 290mA，410mA 1.9OHM @ 290mA，4.5V 1.5V @ 250µA 1.5NC @ 4.5V - 逻辑级别门
SIA950DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA950DJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3492 0.00000000 Vishay Siliconix Littlefoot® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA950 MOSFET （金属 o化物） 7W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 190V 950mA 3.8OHM @ 360mA，4.5V 1.4V @ 250µA 4.5NC @ 10V 90pf @ 100V 逻辑级别门
AO4612L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4612L -
RFQ
 ECAD 5343 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO461 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 60V 4.5a（ta），3.2a（ta） 56mohm @ 4.5a，10v，105mohm @ 3.2a，10v 3V @ 250µA 10.5nc @ 10v，20nc @ 10v 540pf @ 30v，1120pf @ 30V -
MSCSM120AM16T1AG Microchip Technology MSCSM120AM16T1AG 181.2600
RFQ
 ECAD 1333 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 745W（TC） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120AM16T1AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1200V（1.2kV） 173a（TC） 16mohm @ 80a，20v 2.8V @ 6mA 464NC @ 20V 6040pf @ 1000V -
NTLJD3119CTBG onsemi NTLJD3119CTBG 0.8600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onmi µ -Cool™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 NTLJD3119 MOSFET （金属 o化物） 710MW 6-WDFN（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 2.6a，2.3a 65MOHM @ 3.8A，4.5V 1V @ 250µA 3.7nc @ 4.5V 271pf @ 10V 逻辑级别门
DMC3026LSD-13 Diodes Incorporated DMC3026LSD-13 0.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMC3026 MOSFET （金属 o化物） 1.6W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道互补 30V 8.2a（ta），8a ta（8a ta） 25mohm @ 6a，10v，28mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 6NC @ 4.5V，10.9nc @ 4.5V 641pf @ 15V，1241pf @ 15V -
DMC2038LVTQ-7-52 Diodes Incorporated DMC2038LVTQ-7-52 0.1219
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 ECAD 7094 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMC2038 MOSFET （金属 o化物） 800MW（TA） TSOT-26 下载 31-DMC2038LVTQ-7-52 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道互补 20V 3.7a（ta），2.6a（ta） 35MOHM @ 4A，4.5V，74MOHM @ 3A，4.5V 1V @ 250µA 17nc @ 10v，14nc @ 10V 530pf @ 10V，705pf @ 10V 标准
NVMD3P03R2G Fairchild Semiconductor NVMD3P03R2G -
RFQ
 ECAD 3256 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NVMD3 MOSFET （金属 o化物） 730MW（TA） 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 1 2（p 通道（双） 30V 2.34a（TJ） 85MOHM @ 3.05a，10V 2.5V @ 250µA 25nc @ 10V 750pf @ 24V -
SI5903DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5903DC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3675 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 SI5903 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 2.1a 155mohm @ 2.1a，4.5V 600mv @ 250µA（250µA）） 6NC @ 4.5V - 逻辑级别门
AO6602G Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO6602G 0.1804
RFQ
 ECAD 7479 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-74，SOT-457 AO660 MOSFET （金属 o化物） 1.15W（TA） 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 785-AO6602GTR Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 3.5A（TA），2.7a ta（2.7a） 50mohm @ 3.5A，10V 2.5V @ 250µA 4.05NC @ 10V 210pf @ 15V 标准
MCCD2007A-TP Micro Commercial Co MCCD2007A-TP -
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 ECAD 3189 0.00000000 微商业公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WFDFN暴露垫 MCCD2007 MOSFET （金属 o化物） - DFN2030-6 - 353-MCCD2007A-TP Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 20V 7a 20mohm @ 7a，10v 1V @ 250µA 15nc @ 4.5V 1150pf @ 10V -
SLA5074 Sanken SLA5074 -
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 ECAD 2505 0.00000000 桑肯 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 15 sip裸露的选项卡，形成铅 Sla50 MOSFET （金属 o化物） 4.8W 15-zip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） SLA5074 DK Ear99 8541.29.0095 180 4（n n 通道（半桥） 60V 5a 300MOHM @ 3A，4V 2V @ 250µA - 320pf @ 10V 逻辑级别门
DMG1026UVQ-7 Diodes Incorporated DMG1026UVQ-7 0.1196
RFQ
 ECAD 1329 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMG1026 MOSFET （金属 o化物） 650MW SOT-563 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 440mA ta） 1.8Ohm @ 500mA，10v 1.8V @ 250µA 0.45pc @ 4.5V 32pf @ 25V 逻辑级别门
NDS8958 onsemi NDS8958 -
RFQ
 ECAD 2817 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NDS895 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 n和p通道 30V 5.3a，4a 35mohm @ 5.3a，10v 2.8V @ 250µA 30nc @ 10V 720pf @ 15V 逻辑级别门
SI4936ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4936ADY-T1-GE3 0.9072
RFQ
 ECAD 5028 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4936 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 4.4a 36mohm @ 5.9a，10v 3V @ 250µA 20NC @ 10V - 逻辑级别门
CCB016M12GM3T Wolfspeed, Inc. CCB016M12GM3T 329.7700
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 ECAD 7808 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 盒子 积极的 CCB016 - 不适用 1697-CCB016M12GM3T 18
DMC1028UFDB-13 Diodes Incorporated DMC1028UFDB-13 0.2730
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 ECAD 2365 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMC1028 MOSFET （金属 o化物） 1.36W U-DFN2020-6（B型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DMC1028UFDB-13DI Ear99 8541.29.0095 10,000 n和p通道 12V，20V 6a，3.4a 25mohm @ 5.2A，4.5V 1V @ 250µA 18.5nc @ 8v 787pf @ 6V -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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