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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDWS9420-F085 | 0.8100 |  | 6697 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | FDWS9 | MOSFET （金属 o化物） | 75W | 8-pqfn（5x6） | 下载 | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 312 | 2 n 通道（双） | 40V | 20A（TC） | 5.8mohm @ 20a，10v | 4V @ 250µA | 43nc @ 10V | 2100pf @ 20V | - | ||
 | SI7946ADP-T1-GE3 | 1.0322 | | 7895 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SI7946 | MOSFET （金属 o化物） | 19.8W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 150V | 7.7A（TC） | 186mohm @ 3a，10v | 3.5V @ 250µA | 6.5NC @ 7.5V | 230pf @ 75V | - | ||||
 | DMC3036LSD-13 | - | | 4890 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | DMC3036 | MOSFET （金属 o化物） | 1.5W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | 5A，4.5A | 36mohm @ 6.9a，10v | 2.1V @ 250µA | 7.9NC @ 10V | 431pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
 | FDS6994S | - | | 8455 | 0.00000000 | Onmi | PoterTrench®，SyncFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | FDS69 | MOSFET （金属 o化物） | 900MW | 8-SOIC | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 6.9a，8.2a | 21mohm @ 6.9a，10v | 3V @ 250µA | 12nc @ 5V | 800pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
 | NTMD2C02R2SG | - | | 2361 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | NTMD2C | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 20V | 5.2a，3.4a | 43mohm @ 4A，4.5V | 1.2V @ 250µA | 20NC @ 4.5V | 1100pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
| MSCSM120DUM31CTBL2NG | 296.3200 | | 5418 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | MSCSM120 | （SIC） | 310W | - | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 150-MSCSM120DUM31CTBL2NG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n通道，常见来源 | 1200V | 79a | 31mohm @ 40a，20v | 2.8V @ 1mA | 232nc @ 20v | 3020pf @ 1000V | - | |
 | SI7228DN-T1-GE3 | - | | 7066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SI7228 | MOSFET （金属 o化物） | 23W | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 26a | 20mohm @ 8.8a，10v | 2.5V @ 250µA | 13nc @ 10V | 480pf @ 15V | - | |||
| JANTXV2N7335 | - | | 8926 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/599 | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 14 浸（0.300英寸，7.62mm） | 2N733 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W | MO-036AB | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4个p通道 | 100V | 750mA | 1.4OHM @ 500mA，10V | 4V @ 250µA | - | - | - | ||
 | SI4226DY-T1-E3 | - | | 2590 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4226 | MOSFET （金属 o化物） | 3.2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 25V | 8a | 19.5mohm @ 7a，4.5V | 2V @ 250µA | 36NC @ 10V | 1255pf @ 15V | - | ||
 | AUIRF7319QTR | - | | 4004 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | AUIRF7319 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | SP001520168 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n和p通道 | 30V | 6.5a，4.9a | 29mohm @ 5.8A，10V | 3V @ 250µA | 33nc @ 10V | 650pf @ 25V | 逻辑级别门 | |
 | ZXMD65N02N8TA | - | | 3886 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | Digi-Reel® | 过时的 | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ZXMD65N02 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-so | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 6.6a | 25mohm @ 6a，4.5V | 700MV @ 250µA | - | - | - | |||
| SQ4917EY-T1_BE3 | 1.5500 | | 22 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SQ4917 | MOSFET （金属 o化物） | 5W（TC） | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 60V | 8A（TC） | 48mohm @ 4.3A，10V | 2.5V @ 250µA | 65nc @ 10V | 1910pf @ 30V | - | ||||
 | AON4803 | - | | 9666 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | AON480 | MOSFET （金属 o化物） | 1.7W | 8-DFN （3x2） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 3.4a | 90MOHM @ 3.4A，4.5V | 1V @ 250µA | 8NC @ 4.5V | 745pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | 2SK2110-T1-AZ | - | | 4674 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 2SK2110 | - | 下载 | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||
 | SI7980DP-T1-GE3 | 1.0500 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SI7980 | MOSFET （金属 o化物） | 19.8W，21.9W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（半桥） | 20V | 8a | 22mohm @ 5a，10v | 2.5V @ 250µA | 27nc @ 10V | 1010pf @ 10V | - | |||
 | SI6926ADQ-T1-GE3 | 0.9700 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6926 | MOSFET （金属 o化物） | 830MW | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 4.1a | 30mohm @ 4.5A，4.5V | 1V @ 250µA | 10.5NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
| BSM600D12P4G103 | 1.0000 | | 5523 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 盒子 | 积极的 | 175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | BSM600 | （SIC） | 1.78kW（TC） | 模块 | 下载 | （1 （无限） | 846-BSM600D12P4G103 | 4 | 2 n通道 | 1200V | 567a（TC） | - | 4.8V @ 291.2mA | - | 59000pf @ 10V | 标准 | |||||
 | AO4806L | - | | 3926 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | AO480 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 20V | - | 14mohm @ 9.4a，10v | 1V @ 250µA | 17.9nc @ 4.5V | 1810pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
| AOCA32116E | 0.2223 | | 3124 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 4-SMD，没有铅 | AOCA32116 | MOSFET （金属 o化物） | 1.7W（TA） | 4-Alphadfn（1.2x1.2） | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 8,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | 20V | 6a（6a） | 36mohm @ 3a，4.5V | 1.3V @ 250µA | 5.5nc @ 4.5V | - | - | ||
| OP533,005 | 0.3375 | | 5733 | 0.00000000 | Ween半导体 | * | 托盘 | 积极的 | OP533 | - | - | （1 （无限） | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||
 | UM6K34NTCN | 0.3900 | | 449 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | UM6K34 | MOSFET （金属 o化物） | 120MW | UMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 50V | 200mA | 2.2OHM @ 200mA，4.5V | 800mv @ 1mA | - | 26pf @ 10V | 逻辑水平门，0.9V | ||
 | ALD114804SCL | 5.7644 | | 1045 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 表面安装 | 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） | ALD114804 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1056 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n n通道，匹配对 | 10.6V | 12mA，3mA | 500OHM @ 3.6V | 360mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | 耗尽模式 | |
 | CPH6328-TL-E | 0.4400 | | 2 | 0.00000000 | Sanyo | * | 大部分 | 积极的 | CPH6328 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | ||||||||||||||
 | 2N7002DW | 0.0270 | | 600 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 2N7002 | MOSFET （金属 o化物） | 300MW | SOT-363 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-2N7002DWTR | Ear99 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 340mA | 2.5Ohm @ 300mA，10v | 2.5V @ 250µA | - | 50pf @ 25V | - | |||
| sta508a | - | | 8384 | 0.00000000 | 桑肯 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C | 通过洞 | 10-sip | STA508 | MOSFET （金属 o化物） | （4W）（ta），20W（20W）TC） | 10-sip | 下载 | Rohs符合条件 | 1261-STA508A | Ear99 | 8541.29.0095 | 440 | 4 n通道 | 120V | 6a（6a） | 200mohm @ 4a，10v | 2V @ 250µA | - | 400pf @ 10V | 标准 | |||
| 2SJ664-e-sy | 0.7200 | | 20 | 0.00000000 | Sanyo | * | 大部分 | 积极的 | 2SJ664 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||
 | FDZ2553N | 0.5900 | | 135 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 18-WFBGA | FDZ25 | MOSFET （金属 o化物） | 2.1W | 18-BGA（2.5x4） | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 9.6a | 14mohm @ 9.6a，4.5V | 1.5V @ 250µA | 17nc @ 4.5V | 1299pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||
 | PSMN045-100HLX | 1.7300 | | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | SOT-12205，8-LFPAK56 | PSMN045 | MOSFET （金属 o化物） | 53W（ta） | LFPAK56D | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道（双） | 100V | 21a（21a） | 42MOHM @ 5A，10V | 2.1V @ 1mA | 18.5nc @ 5V | 2152pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
 | PJT7808_R1_00001 | 0.4900 | | 5 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | PJT7808 | MOSFET （金属 o化物） | 350MW（TA） | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 3757-PJT7808_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 500mA（ta） | 400mohm @ 500mA，4.5V | 900mv @ 250µA | 1.4NC @ 4.5V | 67pf @ 10V | 逻辑级别门，1.2V驱动器 | |
 | BSO211PH | 0.3300 | | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™p | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 532-BFBGA，FCBGA | BSO211 | MOSFET （金属 o化物） | 1.6W（TA） | 532-FCBGA（23x23） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 20V | 4A（ta） | 67MOHM @ 4.6A，4.5V | 1.2V @ 25µA | 10NC @ 4.5V | 1095pf @ 15V | 逻辑水平门，2.5V |
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