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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSM300D12P2E001 | 852.5400 |  | 67 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | BSM300 | （SIC） | 1875W | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4 | 2 n 通道（半桥） | 1200V（1.2kV） | 300A（TC） | - | 4V @ 68mA | - | 35000pf @ 10V | - | ||
 | DMN3055LFDB-13 | 0.1276 | | 2695 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-udfn暴露垫 | DMN3055 | MOSFET （金属 o化物） | U-DFN2020-6（B型） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10,000 | 2 n 通道（双） | 5A（5A） | 40mohm @ 3A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 5.3nc @ 4.5V | 458pf @ 15V | - | ||||
 | AUIRF7319QTR | - | | 4004 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | AUIRF7319 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | SP001520168 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n和p通道 | 30V | 6.5a，4.9a | 29mohm @ 5.8A，10V | 3V @ 250µA | 33nc @ 10V | 650pf @ 25V | 逻辑级别门 | |
 | SI4226DY-T1-E3 | - | | 2590 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4226 | MOSFET （金属 o化物） | 3.2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 25V | 8a | 19.5mohm @ 7a，4.5V | 2V @ 250µA | 36NC @ 10V | 1255pf @ 15V | - | ||
 | SI7228DN-T1-GE3 | - | | 7066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SI7228 | MOSFET （金属 o化物） | 23W | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 26a | 20mohm @ 8.8a，10v | 2.5V @ 250µA | 13nc @ 10V | 480pf @ 15V | - | |||
 | AON6816 | 1.0100 | | 1 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-powersmd，平面线 | AON681 | MOSFET （金属 o化物） | 2.8W | 8-DFN（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | 30V | 17a | 6.2MOHM @ 16a，10v | 2.2V @ 250µA | 45nc @ 10V | 1540pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
 | JANTXV2N7335 | - | | 8926 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/599 | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 14 浸（0.300英寸，7.62mm） | 2N733 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W | MO-036AB | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4个p通道 | 100V | 750mA | 1.4OHM @ 500mA，10V | 4V @ 250µA | - | - | - | ||
 | DMC3036LSD-13 | - | | 4890 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | DMC3036 | MOSFET （金属 o化物） | 1.5W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | 5A，4.5A | 36mohm @ 6.9a，10v | 2.1V @ 250µA | 7.9NC @ 10V | 431pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
 | 2SK2110-T1-AZ | - | | 4674 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 2SK2110 | - | 下载 | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||
 | NTMD2C02R2SG | - | | 2361 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | NTMD2C | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 20V | 5.2a，3.4a | 43mohm @ 4A，4.5V | 1.2V @ 250µA | 20NC @ 4.5V | 1100pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
 | SI7980DP-T1-GE3 | 1.0500 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SI7980 | MOSFET （金属 o化物） | 19.8W，21.9W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（半桥） | 20V | 8a | 22mohm @ 5a，10v | 2.5V @ 250µA | 27nc @ 10V | 1010pf @ 10V | - | |||
 | AON4803 | - | | 9666 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | AON480 | MOSFET （金属 o化物） | 1.7W | 8-DFN （3x2） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 3.4a | 90MOHM @ 3.4A，4.5V | 1V @ 250µA | 8NC @ 4.5V | 745pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | NTQD4154ZR2 | - | | 6302 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | NTQD41 | MOSFET （金属 o化物） | 1.52W | 8-tssop | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 7.5a | 19mohm @ 7.5a，4.5V | 1.5V @ 250µA | 21.5nc @ 4.5V | 1485pf @ 16V | 逻辑级别门 | ||
 | DMN2004VK-7 | 0.4300 | | 53 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | DMN2004 | MOSFET （金属 o化物） | 250MW | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 540mA | 550MOHM @ 540mA，4.5V | 1V @ 250µA | - | 150pf @ 16V | 逻辑级别门 | ||
| AO8830 | - | | 9936 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | AO883 | MOSFET （金属 o化物） | 1.5W | 8-tssop | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | 20V | - | 27mohm @ 6a，10v | 1V @ 1mA | 5.2nc @ 4.5V | 290pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
 | CAS310M17BM3 | 1.0000 | | 9806 | 0.00000000 | Wolfspeed，Inc。 | - | 盒子 | 积极的 | - | 底盘安装 | 模块 | CAS310 | MOSFET （金属 o化物） | - | - | 下载 | 不适用 | 1697-CAS310M17BM3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 1700V | 310a | - | - | - | - | 标准 | |||
| SQ4917EY-T1_BE3 | 1.5500 | | 22 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SQ4917 | MOSFET （金属 o化物） | 5W（TC） | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 60V | 8A（TC） | 48mohm @ 4.3A，10V | 2.5V @ 250µA | 65nc @ 10V | 1910pf @ 30V | - | ||||
| MSCSM120DUM31CTBL2NG | 296.3200 | | 5418 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | MSCSM120 | （SIC） | 310W | - | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 150-MSCSM120DUM31CTBL2NG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n通道，常见来源 | 1200V | 79a | 31mohm @ 40a，20v | 2.8V @ 1mA | 232nc @ 20v | 3020pf @ 1000V | - | |
| APTML202UM18R010T3AG | - | | 7447 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP3 | APTML202 | MOSFET （金属 o化物） | 480W | SP3 | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 200V | 109a（TC） | 19mohm @ 50a，10v | 4V @ 2.5mA | - | 9880pf @ 25V | - | |||
 | DMC3016LNS-7 | 0.2475 | | 2535 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powervdfn | DMC3016 | MOSFET （金属 o化物） | 1.3W（TA） | PowerDI3333-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n和p通道互补 | 30V | （9A）（6.8a）（6.8a）（ta） | 16mohm @ 7a，10v，28mohm @ 7a，10v | 2V @ 250µA | 9.5NC @ 4.5V | 1184pf @ 15V，1188pf @ 15V | - | ||
| SIS990DN-T1-GE3 | 0.9200 | | 7977 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SIS990 | MOSFET （金属 o化物） | 25W | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 100V | 12.1a | 85mohm @ 8a，10v | 4V @ 250µA | 8NC @ 10V | 250pf @ 50V | - | |||
 | PMGD175XNEX | 0.4400 | | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | PMGD175 | MOSFET （金属 o化物） | 260MW（TA） | 6-TSSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 870ma（ta） | 252MOHM @ 900mA，4.5V | 1.25V @ 250µA | 1.65nc @ 4.5V | 81pf @ 15V | - | ||
 | FDG6303N_G | - | | 9100 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | FDG6303 | MOSFET （金属 o化物） | 300MW | SC-88 （SC-70-6） | - | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 25V | 500mA | 450MOHM @ 500mA，4.5V | 1.5V @ 250µA | 2.3nc @ 4.5V | 50pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
| SI7214DN-T1-E3 | - | | 1688年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SI7214 | MOSFET （金属 o化物） | 1.3W | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 4.6a | 40mohm @ 6.4a，10v | 3V @ 250µA | 6.5nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||
 | 2SK4085LS-CBC11 | 1.2800 | | 239 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | 2SK4085 | - | 下载 | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | ||||||||||||||
| DMNH4026SSD-13 | 0.8100 | | 2 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | DMNH4026 | MOSFET （金属 o化物） | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 7.5A（ta） | 24mohm @ 6a，10v | 3V @ 250µA | 8.8nc @ 4.5V | 1060pf @ 20V | - | ||||
 | SH8J31GZETB | 1.7600 | | 27 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SH8J31 | - | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 60V | 4.5a | 70MOHM @ 4.5A，10V | 3V @ 1mA | 40NC @ 10V | 2500pf @ 10V | - | ||
| RJM0603JSC-00 ＃13 | - | | 7417 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 汽车，AEC-Q101 | - | 过时的 | 175°C | 表面安装 | 20-SOIC （0.433英寸，11.00mm宽度） | RJM0603 | MOSFET （金属 o化物） | 54W | 20-hsop | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 3n和3p 通道（3相桥） | 60V | 20a | 20mohm @ 10a，10v | 2.5V @ 1mA | 43nc @ 10V | 2600pf @ 10V | 逻辑级别门，4.5V驱动器 | |||
 | FDS6975 | 1.4700 | | 1 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | FDS69 | MOSFET （金属 o化物） | 900MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 30V | 6a | 32MOHM @ 6A，10V | 3V @ 250µA | 20nc @ 5V | 1540pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
 | BSS84AKW，115 | 1.0000 | | 7745 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BSS84 | - | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | - |
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