SIC
close

FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
AO4884L_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4884L_001 -
RFQ
 ECAD 6364 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO488 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 40V 10a 13mohm @ 10a，10v 2.7V @ 250µA 33nc @ 10V 1950pf @ 20V 逻辑级别门
NXH010P120MNF1PTNG onsemi NXH010P120MNF1PTNG 192.7200
RFQ
 ECAD 8496 0.00000000 Onmi - 托盘 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 NXH010 （SIC） 250W（TJ） - 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NXH010P120MNF1PTNG Ear99 8541.29.0095 28 2 n 通道（双） 1200V（1.2kV） 114a（TC） 14mohm @ 100a，20v 4.3V @ 40mA 454NC @ 20V 4707pf @ 800V -
AO4813 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4813 0.8700
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO481 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 7.1a 25mohm @ 7.1a，10v 2.5V @ 250µA 19nc @ 10V 1250pf @ 15V 逻辑级别门
SQJB46EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJB46EP-T1_GE3 1.2200
RFQ
 ECAD 4536 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJB46 MOSFET （金属 o化物） 34W（TC） POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 3,000 2 n通道 40V 30A（TC） 8mohm @ 8a，10v 3.3V @ 250µA 32NC @ 10V 1800pf @ 25V -
NDC7002N onsemi NDC7002N 0.5600
RFQ
 ECAD 2258 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 NDC7002 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V 510mA 2ohm @ 510mA，10v 2.5V @ 250µA 1NC @ 10V 20pf @ 25V 逻辑级别门
QS6M3TR Rohm Semiconductor QS6M3Tr 0.6200
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 QS6M3 MOSFET （金属 o化物） 1.25W TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V，20V 1.5a 230MOHM @ 1.5A，4.5V 1.5V @ 1mA 1.6NC @ 4.5V 80pf @ 10V 逻辑级别门
DMN4026SSDQ-13 Diodes Incorporated DMN4026SSDQ-13 0.8700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMN4026 MOSFET （金属 o化物） 1.3W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 7a 24mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 19.1nc @ 10V 1060pf @ 20V 逻辑级别门
IRF7103Q Infineon Technologies IRF7103Q -
RFQ
 ECAD 3804 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF71 MOSFET （金属 o化物） 2.4W 8-so 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 50V 3a 130MOHM @ 3A，10V 3V @ 250µA 15nc @ 10V 255pf @ 25V -
SIA921EDJ-T4-GE3 Vishay Siliconix SIA921EDJ-T4-GE3 0.2467
RFQ
 ECAD 2159 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA921 MOSFET （金属 o化物） 7.8W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 4.5a 59mohm @ 3.6A，4.5V 1.4V @ 250µA 23nc @ 10V - 逻辑级别门
FDS8958 onsemi FDS8958 -
RFQ
 ECAD 7563 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS89 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 7a，5a 28mohm @ 7a，10v 3V @ 250µA 26NC @ 10V 789pf @ 10V 逻辑级别门
IRF7555TRPBF Infineon Technologies IRF7555553TRPBF -
RFQ
 ECAD 2102 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） IRF7555 MOSFET （金属 o化物） 1.25W micro8™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 20V 4.3a 55MOHM @ 4.3A，4.5V 1.2V @ 250µA 15nc @ 5V 1066pf @ 10V 逻辑级别门
DMN3032LFDB-13 Diodes Incorporated DMN3032LFDB-13 0.1234
RFQ
 ECAD 5234 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMN3032 MOSFET （金属 o化物） 1W U-DFN2020-6（B型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10,000 2 n 通道（双） 30V 6.2a 30mohm @ 5.8A，10V 2V @ 250µA 10.6nc @ 10V 500pf @ 15V -
2N7002K36 Rectron USA 2N7002K36 0.0450
RFQ
 ECAD 2683 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 表面安装 SOT-23-6 2N7002 MOSFET （金属 o化物） 350MW（TA） SOT-23-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-2N7002K36TR 8541.10.0080 30,000 2 n 通道（双） 60V 250mA（ta） 3ohm @ 500mA，10v 1.9V @ 250µA - - -
SQJB70EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJB70EP-T1_GE3 0.9600
RFQ
 ECAD 8970 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJB70 MOSFET （金属 o化物） 27W（TC） POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 100V 11.3A（TC） 95MOHM @ 4A，10V 3.5V @ 250µA 7NC @ 10V 220pf @ 25V -
AO6800L_003 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO6800L_003 -
RFQ
 ECAD 2169 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-74，SOT-457 AO680 MOSFET （金属 o化物） 1.15W 6-TSOP 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 30V 3.4a 60mohm @ 3.4a，10v 1.5V @ 250µA 10NC @ 10V 235pf @ 15V 逻辑级别门
NXH020F120MNF1PTG onsemi NXH020F120MNF1PTG 177.7400
RFQ
 ECAD 2861 0.00000000 Onmi - 托盘 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 NXH020 MOSFET （金属 o化物） 119W（TJ） 22-PIM （33.8x42.5） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NXH020F120MNF1PTG Ear99 8541.29.0095 28 4（n n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 51A（TC） 30mohm @ 50a，20v 4.3V @ 20mA 213.5nc @ 20V 2420pf @ 800V -
BUK9K32-100EX Nexperia USA Inc. BUK9K32-100EX 1.6300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q100，Trenchmos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 buk9k32 MOSFET （金属 o化物） 64W LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 100V 26a 31MOHM @ 5A，10V 2.1V @ 1mA 27.3nc @ 5V 3168pf @ 25V 逻辑级别门
FDZ1323NZ onsemi FDZ1323NZ 1.5000
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-XFBGA，WLCSP FDZ1323 MOSFET （金属 o化物） 500MW 6-WLCSP（1.3x2.3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 5,000 2 n 通道（双）公共排水 20V 10a 13mohm @ 1A，4.5V 1.2V @ 250µA 24NC @ 10V 2055pf @ 10V 逻辑级别门
IRF6723M2DTR1P Infineon Technologies IRF6723M2DTR1P -
RFQ
 ECAD 5860 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 DirectFet™等距 IRF6723 MOSFET （金属 o化物） 2.7W DirectFet™MA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 2 n 通道（双） 30V 15a 6.6mohm @ 15a，10v 2.35V @ 25µA 14NC @ 4.5V 1380pf @ 15V 逻辑级别门
BSL205NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL205NH6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 6552 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 BSL205 MOSFET （金属 o化物） 500MW PG-TSOP6-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001100646 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 2.5a 50mohm @ 2.5a，4.5V 1.2V @ 11µA 3.2nc @ 4.5V 419pf @ 10V 逻辑级别门，4.5V驱动器
DMN3055LFDB-7 Diodes Incorporated DMN3055LFDB-7 0.1457
RFQ
 ECAD 4023 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMN3055 MOSFET （金属 o化物） U-DFN2020-6（B型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 5A（5A） 40mohm @ 3A，4.5V 1.5V @ 250µA 5.3nc @ 4.5V 458pf @ 15V -
EM6M2T2R Rohm Semiconductor EM6M2T2R 0.5300
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 EM6M2 MOSFET （金属 o化物） 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 n和p通道 20V 200mA 1欧姆 @ 200ma，4V 1V @ 1mA - 25pf @ 10V 逻辑级别门
DMN3135LVT-7 Diodes Incorporated DMN3135LVT-7 0.4500
RFQ
 ECAD 3454 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMN3135 MOSFET （金属 o化物） 840MW TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 3.5a 60mohm @ 3.1a，10v 2.2V @ 250µA 4.1nc @ 4.5V 305pf @ 15V 逻辑级别门
GE12160CEA3 GE Aerospace GE12160CEA3 3.0000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 GE航空航天 sic力量 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TC） 底盘安装 模块 GE12160 （SIC） 3.75kW（TC） - 下载 Rohs不合规 不适用 供应商不确定 4014-GE12160CEA3 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 1.425KA（TC） 1.5MOHM @ 475A，20V 4.5V @ 480mA 3744NC @ 18V 90000pf @ 600V -
PMCM650CUNEZ Nexperia USA Inc. PMCM650CUNEZ 0.5900
RFQ
 ECAD 9543 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-XFBGA，WLCSP PMCM650 MOSFET （金属 o化物） 556MW（TA） 6-WLCSP（1.48x0.98） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,500 2 n 通道（双）公共排水 - - - 900mv @ 250µA 13nc @ 4.5V - -
PJX8839_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8839_R1_00001 0.0832
RFQ
 ECAD 3270 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 PJX8839 MOSFET （金属 o化物） 300MW（TA） SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJX8839_R1_00001TR Ear99 8541.21.0095 4,000 2（p 通道（双） 60V 200ma（ta） 4ohm @ 500mA，10v 2.5V @ 250µA 1.1NC @ 4.5V 51pf @ 25V -
SI4554DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4554DY-T1-GE3 0.7900
RFQ
 ECAD 2207 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4554 MOSFET （金属 o化物） 3.1W，3.2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 40V 8a 24mohm @ 6.8a，10v 2.2V @ 250µA 20NC @ 10V 690pf @ 20V 逻辑级别门
SIZF5302DT-T1-RE3 Vishay Siliconix SIZF5302DT-T1-RE3 1.7500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Genv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 12-PowerPair™ SIZF5302 MOSFET （金属 o化物） 3.8W（TA），48.1W（tc） PowerPair®3x3fs 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 742-SIZF5302DT-T1-RE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 28.1a（TA），100A（tc） 3.2MOHM @ 10a，10v 2V @ 250µA 22.2nc @ 10V 1030pf @ 15V -
FF6MR12W2M1B11BOMA1 Infineon Technologies FF6MR12W2M1B11BOMA1 510.6300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 FF6MR12 （SIC） 20MW（TC） Ag-Easy2bm-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001716496 Ear99 8541.21.0095 15 2 n 通道（双） 1200V（1.2kV） 200a（200a tj） 5.63mohm @ 200a，15v 5.55V @ 80mA 496nc @ 15V 14700pf @ 800V -
SSM6P41FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P41FE（TE85L，F） 0.4200
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6P41 MOSFET （金属 o化物） 150MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 2（p 通道（双） 20V 720mA 300MOHM @ 400mA，4.5V 1V @ 1mA 1.76NC @ 4.5V 110pf @ 10V 逻辑级别门
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭