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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
IRF7304QTRPBF Infineon Technologies IRF7304QTRPBF -
RFQ
 ECAD 1606 0.00000000 Infineon技术 - （CT） 过时的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF73 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 20V 4.3a 90MOHM @ 2.2a，4.5V 700MV @ 250µA 22nc @ 4.5V 610pf @ 15V 逻辑级别门
ECH8651R-TL-HX onsemi ECH8651R-TL-HX -
RFQ
 ECAD 7858 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 ECH8651 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 8-ech - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 24V 10a 14mohm @ 5A，4.5V - 24NC @ 10V - 逻辑级别门
BSO211PNTMA1 Infineon Technologies BSO211PNTMA1 0.8600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） BSO211 MOSFET （金属 o化物） 2W PG-DSO-8 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 20V 4.7a 67MOHM @ 4.7A，4.5V 1.2V @ 25µA 23.9nc @ 4.5V 920pf @ 15V 逻辑级别门
SIA975DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA975DJ-T1-GE3 0.6400
RFQ
 ECAD 179 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA975 MOSFET （金属 o化物） 7.8W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 4.5a 41MOHM @ 4.3A，4.5V 1V @ 250µA 26NC @ 8V 1500pf @ 6V 逻辑级别门
UPA2385T1P-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA2385T1P-E1-A -
RFQ
 ECAD 5732 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 UPA2385 - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 -
RFD3055SM9AS2479 Harris Corporation RFD3055SM9AS2479 1.0000
RFQ
 ECAD 4241 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 RFD3055 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 2,500 -
SP8K5FU6TB Rohm Semiconductor SP8K5FU6TB -
RFQ
 ECAD 4558 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8K5 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 3.5a 83mohm @ 3.5A，10V 2.5V @ 1mA 3.5nc @ 5V 140pf @ 10V 逻辑级别门
SI5515DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5515DC-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8255 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 SI5515 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V 4.4a，3a 40mohm @ 4.4a，4.5V 1V @ 250µA 7.5NC @ 4.5V - 逻辑级别门
DMC25D1UVT-7 Diodes Incorporated DMC25D1UVT-7 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMC25 MOSFET （金属 o化物） 1.3W TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 25V，12V 500mA，3.9a 4ohm @ 400mA，4.5V 1.5V @ 250µA 0.9NC @ 10V 27.6pf @ 10V -
WAS530M12BM3 Wolfspeed, Inc. WAS530M12BM3 1.0000
RFQ
 ECAD 5110 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 WAS530 （SIC） - - 下载 不适用 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 630a（TC） 3.47mohm @ 530a，15v 3.6V @ 127mA 1362nc @ 15V 38900pf @ 800V -
QS6K21FRATR Rohm Semiconductor QS6K21FRATR 0.6900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 QS6K21 MOSFET （金属 o化物） 950MW（TA） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 45V 1A（1A） 420MOHM @ 1A，4.5V 1.5V @ 1mA 2.1nc @ 4.5V 95pf @ 10V -
IRF7304TR Infineon Technologies IRF7304Tr -
RFQ
 ECAD 3014 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF73 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 20V 4.3a 90MOHM @ 2.2a，4.5V 700MV @ 250µA 22nc @ 4.5V 610pf @ 15V 逻辑级别门
G200P04S2 Goford Semiconductor G200P04S2 0.9100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 g 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） G200 MOSFET （金属 o化物） 2.1W（TC） 8-sop 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 40V 9A（TC） 20mohm @ 7a，10v 2.5V @ 250µA 42NC @ 10V 2365pf @ 20V -
DMC3028LSDXQ-13 Diodes Incorporated DMC3028LSDXQ-13 0.7500
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMC3028 MOSFET （金属 o化物） 1.2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 5.5a，5.8a 27mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 13.2nc @ 5V 641pf @ 15V -
APTC80A15T1G Microsemi Corporation APTC80A15T1G -
RFQ
 ECAD 9850 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTC80 MOSFET （金属 o化物） 277W SP1 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 800V 28a 150mohm @ 14a，10v 3.9V @ 2mA 180nc @ 10V 4507pf @ 25V -
CSD88599Q5DC Texas Instruments CSD88599Q5DC 4.1700
RFQ
 ECAD 547 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 22-POWERTFDFN CSD88599Q5 MOSFET （金属 o化物） 12W 22-VSON-CLIP（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（半桥） 60V - 2.1MOHM @ 30a，10v 2.5V @ 250µA 27nc @ 4.5V 4840pf @ 30V -
DMN52D0UV-7 Diodes Incorporated DMN52D0UV-7 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMN52 MOSFET （金属 o化物） 480MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 31-DMN52D0UV-7CT Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V 480ma（ta） 2ohm @ 5mA，5v 1V @ 250µA 1.5NC @ 10V 39pf @ 25V -
SIA913DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA913DJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2829 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA913 MOSFET （金属 o化物） 6.5W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 4.5a 70mohm @ 3.3a，4.5V 1V @ 250µA 12nc @ 8v 400pf @ 6V -
DMN13M9UCA6-7 Diodes Incorporated DMN13M9UCA6-7 0.4343
RFQ
 ECAD 5606 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 DMN13 MOSFET （金属 o化物） 2.67W X3-DSN3518-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） - - - 1.3V @ 1mA 56.5nc @ 4.5V 3315pf @ 6V -
SI4542DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4542DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8855 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4542 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V - 25mohm @ 6.9a，10v 1V @ 250µA（250µA） 50NC @ 10V - 逻辑级别门
SH8JB5TB1 Rohm Semiconductor SH8JB5TB1 2.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8JB5 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SH8JB5TB1TR Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 40V 8.5a（ta） 15.3mohm @ 8.5a，10v 2.5V @ 1mA 51NC @ 10V 2870pf @ 20V -
AO4826 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4826 -
RFQ
 ECAD 3205 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO482 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V - 25mohm @ 6.3a，10v 3V @ 250µA 58nc @ 10V 2300pf @ 30V 逻辑级别门
AON6884 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6884 0.5410
RFQ
 ECAD 5667 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-powersmd，平面线 AON688 MOSFET （金属 o化物） 1.6W 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 9a 11.3mohm @ 10a，10v 2.7V @ 250µA 33nc @ 10V 1950pf @ 20V 逻辑级别门
AO4854L_102 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4854L_102 -
RFQ
 ECAD 2438 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO485 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 30V 8a 19mohm @ 8a，10v 2.4V @ 250µA 18NC @ 10V 888pf @ 15V 逻辑级别门
MCM3400A-TP Micro Commercial Co MCM3400A-TP 0.4200
RFQ
 ECAD 81 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 MCM3400 MOSFET （金属 o化物） 1.4W DFN2020-6L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n通道 30V 5a 32MOHM @ 5.8A，10V 1.5V @ 250µA - 1155pf @ 15V -
FDJ1028N onsemi FDJ1028N -
RFQ
 ECAD 9473 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-75-6 FLMP FDJ1028 MOSFET （金属 o化物） 1.5W SC75-6 FLMP 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 3.2a 90MOHM @ 3.2A，4.5V 1.5V @ 250µA 3NC @ 4.5V 200pf @ 10V 逻辑级别门
SIB900EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB900EDK-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2706 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-75-6L双重 SIB900 MOSFET （金属 o化物） 3.1W POWERPAK®SC-75-6L双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 1.5a 225mohm @ 1.6A，4.5V 1V @ 250µA 1.7NC @ 4.5V - 逻辑级别门
FDMA1028NZ Fairchild Semiconductor FDMA1028NZ 0.4600
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 FDMA1028 MOSFET （金属 o化物） 700MW 6-microfet（2x2） 下载 Ear99 8541.29.0095 654 2 n 通道（双） 20V 3.7a 68mohm @ 3.7A，4.5V 1.5V @ 250µA 6NC @ 4.5V 340pf @ 10V 逻辑级别门
FDG6332C onsemi FDG6332C 0.5000
RFQ
 ECAD 2054 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 FDG6332 MOSFET （金属 o化物） 300MW SC-88 （SC-70-6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 700mA，600mA 300MOHM @ 700mA，4.5V 1.5V @ 250µA 1.5NC @ 4.5V 113pf @ 10V 逻辑级别门
AON6932 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6932 -
RFQ
 ECAD 7333 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn AON693 MOSFET （金属 o化物） 3.6W，4.3W 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（半桥） 30V 22a，36a 5mohm @ 20a，10v 2.2V @ 250µA 22nc @ 10V 1037pf @ 15V 逻辑级别门
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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