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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
NTHC5513T1 onsemi NTHC5513T1 -
RFQ
 ECAD 9897 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 NTHC5513 MOSFET （金属 o化物） 1.1W chipfet™ 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 NTHC5513T1OS Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V 2.9a，2.2a 80MOHM @ 2.9a，4.5V 1.2V @ 250µA 4NC @ 4.5V 180pf @ 10V 逻辑级别门
AON7820 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7820 -
RFQ
 ECAD 9611 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn AON782 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-DFN-EP（3x3） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双）公共排水 20V - - 1V @ 250µA 22nc @ 4.5V 2065pf @ 10V 逻辑级别门
2SK3481-Z-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3481-Z-AZ 1.3200
RFQ
 ECAD 373 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 2SK3481 - 下载 不适用 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 1 -
FDPC5018SG onsemi FDPC5018SG 2.1100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDPC5018 MOSFET （金属 o化物） 1W，1.1W 电源夹56 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 17a，32a 5mohm @ 17a，10v 3V @ 250µA 24NC @ 10V 1715pf @ 15V -
PJT138K-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJT138K-AU_R1_000A1 0.3800
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 ECAD 380 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 PJT138 MOSFET （金属 o化物） 236MW（TA） SOT-363 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V 360ma（ta） 1.6ohm @ 500mA，10v 1.5V @ 250µA 1NC @ 4.5V 50pf @ 25V -
FDC6302P Fairchild Semiconductor FDC6302P 0.2800
RFQ
 ECAD 151 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 FDC6302 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 下载 Ear99 8541.21.0095 1 2（p 通道（双） 25V 120mA 10ohm @ 200ma，4.5V 1.5V @ 250µA 0.31NC @ 4.5V 11pf @ 10V 逻辑级别门
NTJD4105CT1G onsemi NTJD4105CT1G 0.4700
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 ECAD 4133 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 NTJD4105 MOSFET （金属 o化物） 270MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V，8V 630mA，775mA 375MOHM @ 630mA，4.5V 1.5V @ 250µA 3NC @ 4.5V 46pf @ 20V 逻辑级别门
ALD210808SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD210808SCL 5.8118
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 ECAD 8523 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） ALD210808 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 50 4 n n通道，匹配对 10.6V 80mA - 20mv @ 10µA - - 逻辑级别门
SIB914DK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB914DK-T1-GE3 -
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 ECAD 8727 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-75-6L双重 SIB914 MOSFET （金属 o化物） 3.1W POWERPAK®SC-75-6L双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 8V 1.5a 113MOHM @ 2.5a，4.5V 800MV @ 250µA 2.6nc @ 5V 125pf @ 4V -
2SD1936T-AC-SY Sanyo 2SD1936T-AC-SY 0.1500
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 ECAD 37 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 2SD1936 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 0000.00.0000 1 -
SI4563DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4563DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6498 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4563 MOSFET （金属 o化物） 3.25W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 40V 8a 16mohm @ 5A，10V 2V @ 250µA 85nc @ 10V 2390pf @ 20V -
NTZD3155CT1G onsemi NTZD3155CT1G 0.4100
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 NTZD3155 MOSFET （金属 o化物） 250MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000 n和p通道 20V 540mA，430mA 550MOHM @ 540mA，4.5V 1V @ 250µA 2.5NC @ 4.5V 150pf @ 16V 逻辑级别门
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 147.5800
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 ECAD 18 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™ 托盘 积极的 - - - FF11MR12 - - - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 18 - 1200V（1.2kV） - - - - - -
DMP2900UVQ-13 Diodes Incorporated DMP2900UVQ-13 0.3600
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 ECAD 10 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMP2900 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） SOT-563 - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 2（p 通道（双） 20V 850mA（ta） 750MOHM @ 430mA，4.5V 1V @ 250µA 0.7NC @ 4.5V 49pf @ 16V 标准
IAUC60N04S6L045HATMA1 Infineon Technologies IAUC60N04S6L045HATMA1 2.0500
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn IAUC60 MOSFET （金属 o化物） 52W（TC） PG-TDSON-8-57 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（半桥） 40V 60a（TJ） 4.5mohm @ 30a，10v 2V @ 13µA 19nc @ 10V 1136pf @ 25V 逻辑级别门
NTMD4N03R2G onsemi NTMD4N03R2G 0.8000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NTMD4 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 4a 60mohm @ 4A，10V 3V @ 250µA 16NC @ 10V 400pf @ 20V 逻辑级别门
RFD20N03SM9AR4761 Harris Corporation RFD20N03SM9AR4761 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 RFD20 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 2,500 -
NTJD3158CT2G onsemi NTJD3158CT2G -
RFQ
 ECAD 5682 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 NTJD31 MOSFET （金属 o化物） 270MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 630mA，820mA 375MOHM @ 630mA，4.5V 1.5V @ 250µA 3NC @ 4.5V 46pf @ 20V 逻辑级别门
RFIS70N06SM Harris Corporation RFIS70N06SM 1.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 RFIS70 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
DMT2005UDV-7 Diodes Incorporated DMT2005UDV-7 0.2289
RFQ
 ECAD 1869年 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMT2005 MOSFET （金属 o化物） 900MW（TA） PowerDI3333-8（UXC） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 2 n 通道（双） 24V 50A（TC） 7mohm @ 14a，10v 1.5V @ 250µA 46.7nc @ 10V 2060pf @ 10V -
APTM50DHM65T3G Microsemi Corporation APTM50DHM65T3G -
RFQ
 ECAD 9594 0.00000000 Microsemi Corporation Power MOS 8™ 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTM50 MOSFET （金属 o化物） 390W SP3 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 500V 51a 78mohm @ 42a，10v 5V @ 2.5mA 340NC @ 10V 10800pf @ 25V -
AO4805 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4805 0.9300
RFQ
 ECAD 149 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO480 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 9a 19mohm @ 8a，10v 2.8V @ 250µA 39nc @ 10V 2600pf @ 15V 逻辑级别门
NDS8936 onsemi NDS8936 -
RFQ
 ECAD 3558 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NDS893 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 5.3a 35mohm @ 5.3a，10v 2.8V @ 250µA 30nc @ 10V 720pf @ 15V 逻辑级别门
AO4852L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4852L -
RFQ
 ECAD 1024 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO485 MOSFET （金属 o化物） 1.4W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 60V 3a 90MOHM @ 3A，10V 2.6V @ 250µA 9.2nc @ 10V 450pf @ 30V 逻辑级别门
IRF7351TRPBF Infineon Technologies IRF7351TRPBF 1.7400
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF7351 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 60V 8a 17.8mohm @ 8a，10v 4V @ 50µA 36NC @ 10V 1330pf @ 30V 逻辑级别门
AO4946 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4946 -
RFQ
 ECAD 9155 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 SRFET™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO494 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V - 16mohm @ 8.6a，10v 2.4V @ 250µA 31nc @ 10V 1885pf @ 15V 逻辑级别门
AO4828L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4828L -
RFQ
 ECAD 9828 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO482 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 60V - 56mohm @ 4.5A，10V 3V @ 250µA 10.5NC @ 10V 540pf @ 30V 逻辑级别门
FF4MR20KM1HHPSA1 Infineon Technologies FF4MR20KM1HHPSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Infineon技术 c 托盘 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 FF4MR20 （SIC） - Ag-62mmhb - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 10 2 n通道 2000V （2KV） 280a（TC） 5.3MOHM @ 300A，18V 5.15V @ 168mA 1170nc @ 18V 36100pf @ 1.2KV （SIC）
SQJ958EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ958EP-T1_GE3 1.1100
RFQ
 ECAD 3783 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ958 MOSFET （金属 o化物） 35W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 20A（TC） 34.9mohm @ 4.5A，10V 2.5V @ 250µA 23nc @ 10V 1075pf @ 30V -
FDMD8440L onsemi FDMD8440L 6.9300
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 ECAD 4421 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDMD8440 MOSFET （金属 o化物） 2.1W（TA），33W（tc） 电源3.3x5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 21a（21A），87a tc（87a） 2.6mohm @ 21a，10v 3V @ 250µA 62NC @ 10V 4150pf @ 20V -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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