SIC
close

FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
SI3139KDWA-TP Micro Commercial Co SI3139KDWA-TP 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI3139 MOSFET （金属 o化物） 150MW（TA） SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 600mA 850MOHM @ 500mA，4.5V 1.1V @ 250µA 0.86NC @ 4.5V 40pf @ 16V -
MSCSM170TAM15CTPAG Microchip Technology MSCSM170TAM15CTPAG 1.0000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM170 （SIC） 843w（tc） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM170TAM15CTPAG Ear99 8541.29.0095 1 6 n 通道（相腿） 1700V（（1.7kV） 179a（TC） 15mohm @ 90a，20v 3.2V @ 7.5mA 534NC @ 20V 9900pf @ 1000V -
MSCSM120DUM11T3AG Microchip Technology MSCSM120DUM11T3AG 310.6600
RFQ
 ECAD 8149 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 1067W（TC） SP3F - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120DUM11T3AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双）公共来源 1200V（1.2kV） 254a（TC） 10.4mohm @ 120A，20V 2.8V @ 3mA 696nc @ 20V 9060pf @ 1000V -
DMTH4014LDVW-7 Diodes Incorporated DMTH4014LDVW-7 0.2426
RFQ
 ECAD 3002 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMTH4014 MOSFET （金属 o化物） 1.16W（TA） PowerDI3333-8（类型UXD） 下载 到达不受影响 31-DMTH4014LDVW-7TR Ear99 8541.29.0095 2,000 2 n 通道（双） 40V 10.2A（ta），27.5a tc） 15mohm @ 20a，10v 3V @ 250µA 11.2nc @ 10V 750pf @ 20V -
SIX3134KA-TP Micro Commercial Co SIX3134KA-TP 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SIX3134 MOSFET （金属 o化物） 180MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 353-SIX3134KA-TPTR Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 750mA 300mohm @ 500mA，4.5V 950mv @ 250µA 0.8NC @ 4.5V 33pf @ 16V -
2SJ653 onsemi 2SJ653 2.8500
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 2SJ65 - 下载 rohs3符合条件 3（168）） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 -
UM6J1NTN Rohm Semiconductor um6j1ntn 0.4800
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UM6J1 MOSFET （金属 o化物） 150MW UMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 200mA 1.4OHM @ 200mA，10v 2.5V @ 1mA - 30pf @ 10V 逻辑级别门
PSMN6R1-40HLX Nexperia USA Inc. PSMN6R1-40HLX 1.8800
RFQ
 ECAD 6199 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 PSMN6R1 MOSFET （金属 o化物） 64W（TA） LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 40V 40a（ta） 6.1MOHM @ 10a，10v 2.1V @ 1mA 22.2nc @ 5V 3000pf @ 25V 逻辑级别门
SI4925BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4925BDY-T1-GE3 1.7000
RFQ
 ECAD 1623年 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4925 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 5.3a 25mohm @ 7.1a，10v 3V @ 250µA 50NC @ 10V - 逻辑级别门
FD6M033N06 Fairchild Semiconductor FD6M033N06 3.8100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 Power-SPM™ 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 EPM15 FD6M033 MOSFET （金属 o化物） - EPM15 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 19 2 n 通道（双） 60V 73a 3.3mohm @ 40a，10v 4V @ 250µA 129nc @ 10V 6010pf @ 25V -
2SJ356(0)-T2-AZ Renesas Electronics America Inc 2SJ356（0）-t2-az 0.9400
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 2SJ356 - 下载 不适用 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 1,000 -
SISF02DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISF02DN-T1-GE3 1.5600
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 PowerPak®1212-8SCD SISF02 MOSFET （金属 o化物） 5.2W（ta），69.4W（TC） PowerPak®1212-8SCD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 25V 30.5A（TA），60a tc） 3.5MOHM @ 7A，10V 2.3V @ 250µA 56nc @ 10V 2650pf @ 10V -
MCH3307-TL-E onsemi MCH3307-TL-E 0.1000
RFQ
 ECAD 138 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 MCH3307 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 3,000 -
PMN42XPEA,125 Nexperia USA Inc. PMN42XPEA，125 -
RFQ
 ECAD 6121 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 大部分 积极的 PMN42 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 -
NDM3000 Fairchild Semiconductor NDM3000 1.6000
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） NDM300 MOSFET （金属 o化物） 1.4W 16-Soic 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 2,500 3n和3p 通道（3相桥） 30V 3a 90MOHM @ 3A，10V 3V @ 250µA 25nc @ 10V 360pf @ 10V 逻辑级别门
NVMFD5853NT1G onsemi NVMFD5853NT1G -
RFQ
 ECAD 5776 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5853 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 40V 12a 10mohm @ 15a，10v 4V @ 250µA 24NC @ 10V 1225pf @ 25V 逻辑级别门
SI1553DL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1553DL-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4161 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1553 MOSFET （金属 o化物） 270MW SC-70-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 660mA，410mA 385MOHM @ 660mA，4.5V 600mv @ 250µA（250µA）） 1.2nc @ 4.5V - 逻辑级别门
SP8K1FRATB Rohm Semiconductor SP8K1FRATB 1.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8K1 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 5A（5A） 51MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 1mA 5.5nc @ 5V 230pf @ 10V -
NXH010P90MNF1PTG onsemi NXH010P90MNF1PTG 169.4400
RFQ
 ECAD 1800 0.00000000 Onmi - 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 NXH010 （SIC） 328W（TJ） - 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NXH010P90MNF1PTG Ear99 8541.29.0095 28 2 n 通道（双）公共来源 900V 154a（TC） 14mohm @ 100a，15v 4.3V @ 40mA 546.4NC @ 15V 7007pf @ 450V -
FDS8958B onsemi FDS8958B 0.9400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS89 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 n和p通道 30V 6.4a，4.5a 26mohm @ 6.4a，10v 3V @ 250µA 12nc @ 10V 540pf @ 15V 逻辑级别门
HUF76113DK8T Fairchild Semiconductor HUF76113DK8T 0.5100
RFQ
 ECAD 77 0.00000000 Fairchild半导体 Ultrafet® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-VFSOP （0.091英寸，2.30mm） HUF76113 MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TA） US8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 6a（6a） 32MOHM @ 6A，10V 3V @ 250µA 19.2nc @ 10V 605pf @ 25V 逻辑级别门
MSCSM70AM025CT6LIAG Microchip Technology MSCSM70AM025CT6LIAG 881.2550
RFQ
 ECAD 5787 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 - 底盘安装 模块 MSCSM70 （SIC） 1882W（TC） sp6c li 下载 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM70AM025CT6LIAG Ear99 8541.29.0095 1 2 n通道 700V 689a（TC） - 2.4V @ 24mA tovice（typ） 1290nc @ 20V 27pf @ 700V -
FDMS5361L Fairchild Semiconductor FDMS5361L 0.4600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 FDMS5361 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 3,000 -
FDMA1023PZ onsemi FDMA1023PZ 0.9500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 FDMA1023 MOSFET （金属 o化物） 700MW 6-microfet（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 FDMA1023PZTR Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 3.7a 72MOHM @ 3.7A，4.5V 1.5V @ 250µA 12nc @ 4.5V 655pf @ 10V 逻辑级别门
DMP4047SSDQ-13 Diodes Incorporated DMP4047SSDQ-13 0.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMP4047 MOSFET （金属 o化物） 1.3W（TA） 8-so - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 40V 5.1a（ta） 45MOHM @ 4.4A，10V 3V @ 250µA 21.5nc @ 10V 1154pf @ 20V -
CMLDM7003T TR Central Semiconductor Corp CMLDM7003T TR 0.4400
RFQ
 ECAD 735 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 CMLDM7003 MOSFET （金属 o化物） 350MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V 280mA 1.5OHM @ 50mA，5V 1.2V @ 250µA 0.76NC @ 4.5V 50pf @ 25V -
FDC6561AN onsemi FDC6561AN 0.6600
RFQ
 ECAD 3114 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 FDC6561 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 2.5a 95MOHM @ 2.5a，10V 3V @ 250µA 3.2nc @ 5V 220pf @ 15V 逻辑级别门
NTMFD4901NFT3G onsemi NTMFD4901NFT3G -
RFQ
 ECAD 7416 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NTMFD4901 MOSFET （金属 o化物） 1.1W，1.2W 8-dfn（5x6）（SO8FL二偶有型号） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双），肖特基 30V 10.3a，17.9a 6.5MOHM @ 10a，10v 2.2V @ 250µA 9.7nc @ 4.5V 1150pf @ 15V 逻辑级别门
FDG6332C-F085P onsemi FDG6332C-F085P -
RFQ
 ECAD 8030 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 FDG6332 MOSFET （金属 o化物） 300MW（TA） SC-70-6 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 700mA（ta），600mA（ta） 300MOHM @ 700mA，4.5V，420MOHM @ 600mA，4.5V 1.5V @ 250µA 1.5NC @ 4.5V，2NC @ 4.5V 113pf @ 10V，114pf @ 10V -
NDS9959 Fairchild Semiconductor NDS9959 0.4700
RFQ
 ECAD 7722 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NDS995 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 50V 2a 300MOHM @ 1.5A，10V 4V @ 250µA 15nc @ 10V 250pf @ 25V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭