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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
ZXMHC3A01N8TC Diodes Incorporated ZXMHC3A01N8TC 1.0400
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ZXMHC3A01 MOSFET （金属 o化物） 870MW 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2n和2p通道（半桥） 30V 2.17a，1.64a 125MOHM @ 2.5A，10V 3V @ 250µA 3.9nc @ 10V 190pf @ 25V 逻辑级别门
SI1902CDL-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1902CDL-T1-BE3 0.4500
RFQ
 ECAD 8039 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1902 MOSFET （金属 o化物） 300MW（TA），420MW（TC） SC-70-6 下载 （1 （无限） 到达不受影响 742-SI1902CDL-T1-BE3TR Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 1A（1A），1.1A（1A）（TC） 235mohm @ 1A，4.5V 1.5V @ 250µA 3NC @ 10V 62pf @ 10V -
FC6943010R Panasonic Electronic Components FC6943010R -
RFQ
 ECAD 2100 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 FC694301 MOSFET （金属 o化物） 125MW ssmini6-f3-b 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 2 n 通道（双） 30V 100mA 8ohm @ 10mA，4V 1.5V @ 1µA - 12pf @ 3V -
IRF8915PBF International Rectifier IRF8915pbf 0.2000
RFQ
 ECAD 3472 0.00000000 国际整流器 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF89 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 355 2 n 通道（双） 20V 8.9a 18.3mohm @ 8.9a，10v 2.5V @ 250µA 7.4NC @ 4.5V 540pf @ 10V 逻辑级别门
DMN3032LFDB-7 Diodes Incorporated DMN3032LFDB-7 0.4000
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMN3032 MOSFET （金属 o化物） 1W U-DFN2020-6（B型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 6.2a 30mohm @ 5.8A，10V 2V @ 250µA 10.6nc @ 10V 500pf @ 15V -
DMT3020LFDB-13 Diodes Incorporated DMT3020LFDB-13 0.1948
RFQ
 ECAD 2005 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMT3020 MOSFET （金属 o化物） 700MW U-DFN2020-6（B型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 30V 7.7a（ta） 20mohm @ 9a，10v 3V @ 250µA 7NC @ 10V 393pf @ 15V -
SSM6N44FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N44FE，LM 0.4300
RFQ
 ECAD 111 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6N44 MOSFET （金属 o化物） 150MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道（双） 30V 100mA 4ohm @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA - 8.5pf @ 3V 逻辑级别门
DMT3009UDT-7 Diodes Incorporated DMT3009UDT-7 0.3304
RFQ
 ECAD 2797 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-vdfn暴露垫 DMT3009 MOSFET （金属 o化物） 1.1W（TA），16w（tc） V-DFN3030-8（KS类型） 下载 到达不受影响 31-DMT3009UDT-7TR Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双）公共来源 30V 10.6a（ta），30a（tc） 11.1mohm @ 11a，10v 1.8V @ 250µA 14.6nc @ 10V 894pf @ 15V -
APTC60DDAM70CT1G Microsemi Corporation APTC60DAM70CT1G -
RFQ
 ECAD 8383 0.00000000 Microsemi Corporation coolmos™ 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 250W SP1 - （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 600V 39a 70mohm @ 39a，10v 3.9V @ 2.7mA 259nc @ 10V 7000pf @ 25V 超交界处
AUIRF9952QTR Infineon Technologies AUIRF9952QTR -
RFQ
 ECAD 6192 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AUIRF9952 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001517940 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道 30V 3.5a，2.3a 100mohm @ 2.2a，10v 3V @ 250µA 14NC @ 10V 190pf @ 15V 逻辑级别门
SI4804BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4804BDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8729 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4804 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 5.7a 22mohm @ 7.5a，10v 3V @ 250µA 11NC @ 4.5V - 逻辑级别门
FDC6000NZ_F077 onsemi FDC6000NZ_F077 -
RFQ
 ECAD 4196 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-SSOT平高，Supersot™-6 FLMP FDC6000 MOSFET （金属 o化物） 1.2W supersot™-6 flmp 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 7.3a 20mohm @ 6.5a，4.5V 1.5V @ 250µA 11NC @ 4.5V 840pf @ 10V 逻辑级别门
IRFH4251DTRPBF Infineon Technologies IRFH4251DTRPBF -
RFQ
 ECAD 3738 0.00000000 Infineon技术 Fastirfet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn IRFH4251 MOSFET （金属 o化物） 31W，63W PG-Tison-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双），肖特基 25V 64a，188a 3.2MOHM @ 30a，10V 2.1V @ 35µA 15nc @ 4.5V 1314pf @ 13V 逻辑级别门
PMCXB900UEZ Nexperia USA Inc. PMCXB900UEZ 0.4000
RFQ
 ECAD 165 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-xfdfn暴露垫 PMCXB900 MOSFET （金属 o化物） 265MW DFN1010B-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 5,000 n和p通道互补 20V 600mA，500mA 620MOHM @ 600mA，4.5V 950mv @ 250µA 0.7NC @ 4.5V 21.3pf @ 10V 逻辑级别门
DMT47M2LDVQ-7 Diodes Incorporated DMT47M2LDVQ-7 1.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMT47 MOSFET （金属 o化物） 2.34W（TA），14.8W（tc） PowerDI3333-8（UXC） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 2 n 通道（双） 40V 11.9a（ta），30.2a tc） 10.8mohm @ 20a，10v 2.3V @ 250µA 14NC @ 10V 891pf @ 20V -
FDI9406 Fairchild Semiconductor FDI9406 1.8500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 FDI940 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
SI4914DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4914DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6056 0.00000000 Vishay Siliconix Littlefoot® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4914 MOSFET （金属 o化物） 1.1W，1.16W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（半桥） 30V 5.5a，5.7a 23mohm @ 7a，10v 2.5V @ 250µA 8.5nc @ 4.5V - 逻辑级别门
IRF7754TRPBF Infineon Technologies IRF7754TRPBF -
RFQ
 ECAD 3308 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） IRF775 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-tssop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 12V 5.5a 25mohm @ 5.4a，4.5V 900mv @ 250µA 22nc @ 4.5V 1984pf @ 6V 逻辑级别门
MP6K31TCR Rohm Semiconductor MP6K31TCR -
RFQ
 ECAD 3293 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 MP6K31 MOSFET （金属 o化物） 2W MPT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 2 n 通道（双） 60V 2a 290MOHM @ 2A，10V 2.5V @ 1mA 2NC @ 5V 110pf @ 10V 逻辑水平门，4V驱动器
NTZD5110NT1G onsemi NTZD5110NT1G 0.3900
RFQ
 ECAD 8561 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 NTZD5110 MOSFET （金属 o化物） 250MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道（双） 60V 294MA 1.6ohm @ 500mA，10v 2.5V @ 250µA 0.7NC @ 4.5V 24.5pf @ 20V 逻辑级别门
MSCSM170AM039CT6AG Microchip Technology MSCSM170AM039CT6AG 1.0000
RFQ
 ECAD 8001 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM170 （SIC） 2.4kW（TC） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM170AM039CT6AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1700V（（1.7kV） 523a（TC） 5mohm @ 270a，20v 3.3V @ 22.5mA 1602NC @ 20V 29700pf @ 1000V -
SIZ350DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ350DT-T1-GE3 1.1300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn SIZ350 MOSFET （金属 o化物） 3.7W（TA），16.7W（tc） 8-Power33（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 18.5a（ta），30a（tc） 6.75mohm @ 15a，10v 2.4V @ 250µA 20.3nc @ 10V 940pf @ 15V -
DMN3270UVT-13 Diodes Incorporated DMN3270UVT-13 0.1201
RFQ
 ECAD 7839 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMN3270 MOSFET （金属 o化物） 760MW（TA） TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 30V 1.6a（ta） 270MOHM @ 650mA，4.5V 900MV @ 40µA 3.07NC @ 4.5V 161pf @ 15V -
CAB008A12GM3 Wolfspeed, Inc. CAB008A12GM3 327.0000
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 CAB008 （SIC） 10MW（TC） - 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 18 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 182a（TJ） 10.4mohm @ 150a，15v 3.6V @ 46mA 472nc @ 15V 13600pf @ 800V -
SI7911DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7911DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 5080 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®1212-8 SI7911 MOSFET （金属 o化物） 1.3W POWERPAK®1212-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 4.2a 51MOHM @ 5.7A，4.5V 1V @ 250µA 15nc @ 4.5V - 逻辑级别门
IRFI4019HG-117P Infineon Technologies IRFI4019HG-117P -
RFQ
 ECAD 2372 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-5完整包，形成的线索 IRFI4019 MOSFET （金属 o化物） 18W TO-220-5 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 2 n 通道（双） 150V 8.7a 95MOHM @ 5.2A，10V 4.9V @ 50µA 20NC @ 10V 810pf @ 25V -
DMG9926UDM-7 Diodes Incorporated DMG9926UDM-7 0.5100
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 DMG9926 MOSFET （金属 o化物） 980MW SOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 20V 4.2a 28mohm @ 8.2a，4.5V 900mv @ 250µA 8.3nc @ 4.5V 856pf @ 10V 逻辑级别门
FSS248-TL-E-SY Sanyo FSS248-TL-E-SY 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 FSS248 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1,000 -
SFR9230BTMAM002 Fairchild Semiconductor SFR9230BTMAM002 -
RFQ
 ECAD 7165 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 SFR9230 - - 不适用 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 -
FD6M033N06 onsemi FD6M033N06 -
RFQ
 ECAD 6945 0.00000000 Onmi Power-SPM™ 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 EPM15 FD6M033 MOSFET （金属 o化物） - EPM15 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 19 2 n 通道（双） 60V 73a 3.3mohm @ 40a，10v 4V @ 250µA 129nc @ 10V 6010pf @ 25V -
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    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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