SIC
close

FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
BUK9K89-100E,115 NXP USA Inc. BUK9K89-100E，115 1.0000
RFQ
 ECAD 6523 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车，AEC-Q101，Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 BUK9K89 MOSFET （金属 o化物） 38W LFPAK56D 下载 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 100V 12.5a 85MOHM @ 5A，10V 2.1V @ 1mA 16.8nc @ 10V 1108pf @ 25V 逻辑级别门
PSMN6R8-40HSX Nexperia USA Inc. PSMN6R8-40HSX 1.7800
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 PSMN6R8 MOSFET （金属 o化物） 64W（TA） LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 40V 40a（ta） 6.8mohm @ 20a，10v 4V @ 1mA 28.9nc @ 10V 1947pf @ 25V -
FQS4903TF onsemi FQS4903TF 1.6500
RFQ
 ECAD 113 0.00000000 Onmi QFET® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FQS4903 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 500V 370mA 6.2OHM @ 185mA，10v 4V @ 250µA 8.2nc @ 10V 200pf @ 25V -
AUIRF9952QTR International Rectifier AUIRF9952QTR 0.5700
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 国际整流器 Hexfet® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AUIRF9952 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 不适用 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 4,000 n和p通道 30V 3.5a，2.3a 100mohm @ 2.2a，10v 3V @ 250µA 14NC @ 10V 190pf @ 15V 逻辑级别门
NVMFD5873NLWFT1G onsemi NVMFD5873NLWFT1G -
RFQ
 ECAD 1270 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5873 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 10a 13mohm @ 15a，10v 2.5V @ 250µA 30.5nc @ 10V 1560pf @ 25V 逻辑级别门
SSM6N37FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N37FE，LM 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6N37 MOSFET （金属 o化物） 150MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道（双） 20V 250mA 2.2OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 1mA - 12pf @ 10V 逻辑级别门
NVTJD4001NT2G onsemi NVTJD4001NT2G -
RFQ
 ECAD 1790年 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 NVTJD40 MOSFET （金属 o化物） 272MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 250mA 1.5OHM @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA 1.3nc @ 5V 33pf @ 5V -
NVMFD5C668NLT1G onsemi NVMFD5C668NLT1G 3.2900
RFQ
 ECAD 5400 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5 MOSFET （金属 o化物） 3W（3），57.5W（TC） 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 15.5A（ta），68a tc） 6.5MOHM @ 20A，10V 2V @ 50µA 21.3nc @ 10V 1440pf @ 25V -
SLA5059 Sanken SLA5059 -
RFQ
 ECAD 4751 0.00000000 桑肯 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 12-SIP裸露的选项卡 Sla50 MOSFET （金属 o化物） 5W 12-sip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） SLA5059 DK Ear99 8541.29.0095 180 3n和3p 通道（3相桥） 60V 4a 550MOHM @ 2A，4V 2V @ 250µA - 150pf @ 10V 逻辑级别门
CSD85312Q3E Texas Instruments CSD85312Q3E 1.2800
RFQ
 ECAD 2011 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn CSD85312 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-VSON（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双）公共来源 20V 39a 12.4mohm @ 10a，8v 1.4V @ 250µA 15.2nc @ 4.5V 2390pf @ 10V 逻辑水平门，5v驱动器
FDS6984AS Fairchild Semiconductor FDS6984AS 0.4200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Fairchild半导体 PoterTrench®，SyncFet™ 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS69 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 1 2 n 通道（双） 30V 5.5a，8.5a 31MOHM @ 5.5A，10V 3V @ 250µA 11NC @ 10V 420pf @ 15V 逻辑级别门
NTHD4502NT1 onsemi NTHD4502NT1 -
RFQ
 ECAD 6361 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 NTHD4502 MOSFET （金属 o化物） 640MW chipfet™ 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 2.2a 85mohm @ 2.9a，10v 3V @ 250µA 7NC @ 10V 140pf @ 15V 逻辑级别门
WAS310M17BM3 Wolfspeed, Inc. WAS310M17BM3 1.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 盒子 积极的 - 底盘安装 模块 WAS310 MOSFET （金属 o化物） - - 下载 不适用 1697-WAS310M17BM3 Ear99 8541.29.0095 1 - 1700V 310a - - - - 标准
US5K3TR Rohm Semiconductor US5K3TR -
RFQ
 ECAD 1213 0.00000000 Rohm半导体 * （CT） 过时的 US5K3 - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 US5K3CT Ear99 8541.29.0095 3,000 -
EFC6605R-TR onsemi EFC6605R-Tr 0.5800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 EFC6605 MOSFET （金属 o化物） 1.6W 6-EFCP（1.9x1.46） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） - - - - 19.8nc @ 4.5V - 逻辑水平门，2.5V
2SK3618-TL-E-SY Sanyo 2SK3618-TL-E-SY 0.6600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 2SK3618 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 700 -
APTM50HM38FG Microchip Technology APTM50HM38FG 309.9825
RFQ
 ECAD 1175 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM50 MOSFET （金属 o化物） 694W SP6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 500V 90a 45MOHM @ 45A，10V 5V @ 5mA 246nc @ 10V 11200pf @ 25V -
AO4828 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4828 0.2311
RFQ
 ECAD 9849 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO482 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V - 56mohm @ 4.5A，10V 3V @ 250µA 10.5NC @ 10V 540pf @ 30V 逻辑级别门
ECH8654-TL-HQ onsemi ECH8654-TL-HQ -
RFQ
 ECAD 4016 0.00000000 Onmi * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 8-SMD，平坦的铅 ECH8654 - 8-ech - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 -
SH8MC5TB1 Rohm Semiconductor SH8MC5TB1 1.8000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8MC5 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 60V 6.5a（6），7a ta（7a ta） 32mohm @ 6.5a，10v，33mohm @ 7a，10v 2.5V @ 1mA 7.6nc @ 10V，50NC @ 10V 460pf @ 30v，2630pf @ 30V -
APTC90H12T1G Microsemi Corporation APTC90H12T1G -
RFQ
 ECAD 7795 0.00000000 Microsemi Corporation coolmos™ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTC90 MOSFET （金属 o化物） 250W SP1 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 100 4（n n 通道（半桥） 900V 30a 120mohm @ 26a，10v 3.5V @ 3mA 270NC @ 10V 6800pf @ 100V 超交界处
APTM120A20DG Microchip Technology APTM120A20DG 309.5600
RFQ
 ECAD 9790 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM120 MOSFET （金属 o化物） 1250W SP6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 50a 240mohm @ 25a，10v 5V @ 6mA 600NC @ 10V 15200pf @ 25V -
IRF7904TRPBF Infineon Technologies IRF7904TRPBF 1.1600
RFQ
 ECAD 7805 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF7904 MOSFET （金属 o化物） 1.4W，2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（半桥） 30V 7.6a，11a 16.2MOHM @ 7.6A，10V 2.25V @ 25µA 11NC @ 4.5V 910pf @ 15V 逻辑级别门
UPA1764G(0)-E2-AT Renesas Electronics America Inc UPA1764G（0）-e2-at -
RFQ
 ECAD 9926 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 UPA1764 - 下载 rohs3符合条件 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 3,000 -
SI7900AEDN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7900AEDN-T1-E3 1.7000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®1212-8 SI7900 MOSFET （金属 o化物） 1.5W POWERPAK®1212-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 20V 6a 26mohm @ 8.5a，4.5V 900mv @ 250µA 16nc @ 4.5V - 逻辑级别门
NTLJD3183CZTAG onsemi NTLJD3183CZTAG -
RFQ
 ECAD 2746 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 NTLJD31 MOSFET （金属 o化物） 710MW 6-WDFN（2x2） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 2.6a，2.2a 68mohm @ 2A，4.5V 1V @ 250µA 7NC @ 4.5V 355pf @ 10V 逻辑级别门
SI4650DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4650DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4186 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4650 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（半桥） 30V 8a 18mohm @ 8a，10v 3V @ 1mA 40NC @ 10V 1550pf @ 15V -
APTM50DSKM65T3G Microsemi Corporation APTM50DKM65T3G -
RFQ
 ECAD 3508 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTM50 MOSFET （金属 o化物） 390W SP3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 500V 51a 78MOHM @ 25.5A，10V 5V @ 2.5mA 140NC @ 10V 7000pf @ 25V -
APTM100A40FT1G Microsemi Corporation APTM100A40FT1G -
RFQ
 ECAD 2624 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTM100 MOSFET （金属 o化物） 390W SP1 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1000V （1kV） 21a 480MOHM @ 18A，10V 5V @ 2.5mA 305nc @ 10V 7868pf @ 25V -
FC6946010R Panasonic Electronic Components FC6946010R -
RFQ
 ECAD 7659 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 FC694601 MOSFET （金属 o化物） 125MW ssmini6-f3-b 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 2 n 通道（双） 60V 100mA 12ohm @ 10mA，4V 1.5V @ 1µA - 12pf @ 3V 逻辑级别门
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭