SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs (ciss)(最大(ciss) @ vds fet
RM4606S8 Rectron USA RM4606S8 0.1100
RFQ
ECAD 4982 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) RM4606 MOSFET (金属 o化物) 2W(TA) 8-sop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2516-RM4606S8TR 8541.10.0080 40,000 n和p通道 30V 6.5a(6),7a ta(7a ta) 30mohm @ 6a,10v,33mohm @ 6.5a,10v 3V @ 250µA,2.5V @ 250µA 13nc @ 10v,9.2nc @ 10V 255pf @ 15V,520pf @ 15V -
BTS7904BATMA1 Infineon Technologies BTS7904BATMA1 -
RFQ
ECAD 3139 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-6,D²Pak(5 + tab),TO-263BA BTS7904 MOSFET (金属 o化物) 69W,96W pg-to263-5-1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n和p通道 55V,30V 40a 11.7mohm @ 20a,10v 2.2V @ 40µA 121nc @ 10V 6100pf @ 25V 逻辑级别门
IPG20N06S415ATMA1 Infineon Technologies IPG20N06S415ATMA1 -
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ECAD 8826 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn IPG20N MOSFET (金属 o化物) 50W PG-TDSON-8-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道(双) 60V 20a 15.5mohm @ 17a,10v 4V @ 20µA 29nc @ 10V 2260pf @ 25V -
TM3055-TL-E Sanyo TM3055-TL-E 0.1900
RFQ
ECAD 112 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 TM3055 - - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 700 -
FW217A-TL-2W onsemi FW217A-TL-2W -
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ECAD 1789年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) FW217 MOSFET (金属 o化物) 2.2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 35V 6a 39mohm @ 6a,10v - 10NC @ 10V 470pf @ 20V 逻辑级别门,4.5V驱动器
STS1DNF20 STMicroelectronics STS1DNF20 -
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ECAD 3343 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - - - sts1d - - - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 - - - - - - - -
SSM6N16FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FUTE85LF 0.5000
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ECAD 600 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SSM6N16 MOSFET (金属 o化物) 200MW US6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双) 20V 100mA 3ohm @ 10mA,4V 1.1V @ 100µA - 9.3pf @ 3V -
DMN67D8LDW-7 Diodes Incorporated DMN67D8LDW-7 0.0756
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ECAD 3181 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 DMN67 MOSFET (金属 o化物) 320MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双) 60V 230mA 5ohm @ 500mA,10v 2.5V @ 250µA 0.82NC @ 10V 22pf @ 25V -
SISF00DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISF00DN-T1-GE3 1.4700
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ECAD 15 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 POWERPAK®1212-8SCD双重 SISF00 MOSFET (金属 o化物) 69.4W(TC) POWERPAK®1212-8SCD双重 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双)公共排水 30V 60a(TC) 5mohm @ 10a,10v 2.1V @ 250µA 53nc @ 10V 2700pf @ 15V -
BUK9K17-60EX Nexperia USA Inc. BUK9K17-60EX 1.6100
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ECAD 265 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SOT-12205,8-LFPAK56 buk9k17 MOSFET (金属 o化物) 53W LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道(双) 60V 26a 15.6mohm @ 10a,10v 2.1V @ 1mA 16.5nc @ 5V 2223pf @ 25V 逻辑级别门
ALD111910PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD111910PAL -
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ECAD 4901 0.00000000 高级线性设备公司 - 管子 过时的 - - - ALD111910 - - - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1014-1220 Ear99 8541.29.0095 50 - - - - - - - -
BUK6209-30C-NEX Nexperia USA Inc. BUK6209-30C-NEX -
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ECAD 7843 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 大部分 积极的 BUK6209 - 下载 不适用 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 0000.00.0000 1 -
2SJ413-TH-ON onsemi 2SJ413-ON 4.5700
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ECAD 300 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 2SJ413 - - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 0000.00.0000 1 -
AUIRF7309QTR Infineon Technologies AUIRF7309QTR 2.2200
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ECAD 7512 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) AUIRF7309 MOSFET (金属 o化物) 1.4W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道 30V 4a,3a 50mohm @ 2.4a,10v 3V @ 250µA 25nc @ 4.5V 520pf @ 15V 逻辑级别门
HP8M31TB1 Rohm Semiconductor HP8M31TB1 2.4200
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ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN HP8M31 MOSFET (金属 o化物) (3W)(TA) 8-hsop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 60V 8.5a(ta) 65mohm @ 8.5a,10v,70mohm @ 8.5a,10v 3V @ 1mA 12.3nc @ 10v,38nc @ 10v 470pf @ 30v,2300pf @ 30V -
DMN2991UDJ Diodes Incorporated DMN2991UDJ -
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ECAD 3342 0.00000000 二极管合并 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-963 DMN2991 MOSFET (金属 o化物) 400MW(TA) SOT-963 下载 到达不受影响 31-DMN2991UDJ Ear99 8541.21.0095 1 2 n 通道(双) 20V 520mA(ta) 990MOHM @ 100mA,4.5V 1V @ 250µA 0.35c @ 4.5V 21.5pf @ 15V -
TPS2013APWR Texas Instruments TPS2013APWR 0.5500
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ECAD 630 0.00000000 Texas Instruments * 大部分 积极的 TPS2013 - - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 630 -
DMP3048LSD-13 Diodes Incorporated DMP3048LSD-13 0.2097
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ECAD 5062 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) DMP3048 MOSFET (金属 o化物) 1.7W 8-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2(p 通道(双) 30V 4.8A(ta) 48mohm @ 5a,10v 1.3V @ 250µA 13.5nc @ 4.5V 1438pf @ 15V -
CAB006A12GM3 Wolfspeed, Inc. CAB006A12GM3 355.3000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Wolfspeed,Inc。 - 托盘 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 CAB006 (SIC) 10MW(TC) - 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 18 2 n 通道(半桥) 1200V(1.2kV) 200a(200a tj) 6.9mohm @ 200a,15v 3.6V @ 69mA 708nc @ 15V 20400pf @ 800V -
SI4992EY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4992EY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6227 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4992 MOSFET (金属 o化物) 1.4W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 75V 3.6a 48mohm @ 4.8A,10V 3V @ 250µA 21NC @ 10V - 逻辑级别门
FDWS9520L-F085 onsemi FDWS9520L-F085 -
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ECAD 8917 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN FDWS9520 MOSFET (金属 o化物) 75W(TC) 8-pqfn(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2(p 通道(双) 40V 60.8A(TC) 12.5MOHM @ 20A,10V 3V @ 250µA 33nc @ 10V 2370pf @ 20V -
AOTE21115C Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTE21115C 0.2619
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ECAD 4625 0.00000000 Alpha&欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) AOTE21115 MOSFET (金属 o化物) 1.5W(TA) 8-tssop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 785-AOTE21115CTR Ear99 8541.29.0095 3,000 2(p 通道(双)公共排水 20V 5.1a(ta) 40mohm @ 5.1a,4.5V 950mv @ 250µA 17nc @ 4.5V 930pf @ 10V -
PMDPB70EN,115 Nexperia USA Inc. PMDPB70EN,115 -
RFQ
ECAD 7317 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-UFDFN暴露垫 PMDPB70 MOSFET (金属 o化物) 510MW 6-Huson(2x2) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双) 30V 3.5a 57MOHM @ 3.5A,10V 2.5V @ 250µA 4.5NC @ 10V 130pf @ 15V 逻辑级别门
ZXMN2A04DN8TC Diodes Incorporated ZXMN2A04DN8TC -
RFQ
ECAD 2942 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ZXMN2 MOSFET (金属 o化物) 1.8W 8-so 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 20V 5.9a 25mohm @ 5.9a,4.5V 700mv @ 250µA(250µA)) 22.1nc @ 5V 1880pf @ 10V 逻辑级别门
AOC2804B Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC2804B -
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ECAD 5564 0.00000000 Alpha&欧米茄半导体公司 alphamos 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-XDFN AOC280 MOSFET (金属 o化物) 1.3W 4-DFN(1.5x1.5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双)公共排水 - - - 1.3V @ 250µA 9.5NC @ 4.5V - -
AO4801A Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4801A 0.2109
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ECAD 1856年 0.00000000 Alpha&欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) AO480 MOSFET (金属 o化物) 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2(p 通道(双) 30V 5a 48mohm @ 5a,10v 1.3V @ 250µA 9NC @ 4.5V 780pf @ 15V 逻辑级别门
FF1MR12KM1HHPSA1 Infineon Technologies FF1MR12KM1HHPSA1 1.0000
RFQ
ECAD 3974 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 FF1MR12 - - rohs3符合条件 到达不受影响 10 -
IRF6723M2DTR1P Infineon Technologies IRF6723M2DTR1P -
RFQ
ECAD 5860 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 DirectFet™等距 IRF6723 MOSFET (金属 o化物) 2.7W DirectFet™MA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 2 n 通道(双) 30V 15a 6.6mohm @ 15a,10v 2.35V @ 25µA 14NC @ 4.5V 1380pf @ 15V 逻辑级别门
AO4924 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4924 -
RFQ
ECAD 9960 0.00000000 Alpha&欧米茄半导体公司 SRFET™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) AO492 MOSFET (金属 o化物) 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 30V - 15.8mohm @ 9a,10v 2.4V @ 250µA 31nc @ 10V 1885pf @ 15V 逻辑级别门
SI5504DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5504DC-T1-E3 -
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ECAD 9547 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 SI5504 MOSFET (金属 o化物) 1.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 2.9a,2.1a 85mohm @ 2.9a,10v 1V @ 250µA(250µA) 7.5NC @ 10V - 逻辑级别门
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库