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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RM4606S8 | 0.1100 |  | 4982 | 0.00000000 | 美国直发 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | RM4606 | MOSFET （金属 o化物） | 2W（TA） | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 2516-RM4606S8TR | 8541.10.0080 | 40,000 | n和p通道 | 30V | 6.5a（6），7a ta（7a ta） | 30mohm @ 6a，10v，33mohm @ 6.5a，10v | 3V @ 250µA，2.5V @ 250µA | 13nc @ 10v，9.2nc @ 10V | 255pf @ 15V，520pf @ 15V | - | |||
 | BTS7904BATMA1 | - | | 3139 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA | BTS7904 | MOSFET （金属 o化物） | 69W，96W | pg-to263-5-1 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n和p通道 | 55V，30V | 40a | 11.7mohm @ 20a，10v | 2.2V @ 40µA | 121nc @ 10V | 6100pf @ 25V | 逻辑级别门 | |||
 | IPG20N06S415ATMA1 | - | | 8826 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车，AEC-Q101，Optimos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 在sic中停产 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powervdfn | IPG20N | MOSFET （金属 o化物） | 50W | PG-TDSON-8-4 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 20a | 15.5mohm @ 17a，10v | 4V @ 20µA | 29nc @ 10V | 2260pf @ 25V | - | ||
 | TM3055-TL-E | 0.1900 | | 112 | 0.00000000 | Sanyo | * | 大部分 | 积极的 | TM3055 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 700 | - | ||||||||||||||
 | FW217A-TL-2W | - | | 1789年 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | FW217 | MOSFET （金属 o化物） | 2.2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 35V | 6a | 39mohm @ 6a，10v | - | 10NC @ 10V | 470pf @ 20V | 逻辑级别门，4.5V驱动器 | ||
| STS1DNF20 | - | | 3343 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | - | - | - | sts1d | - | - | - | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
 | SSM6N16FUTE85LF | 0.5000 | | 600 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SSM6N16 | MOSFET （金属 o化物） | 200MW | US6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 100mA | 3ohm @ 10mA，4V | 1.1V @ 100µA | - | 9.3pf @ 3V | - | |||
 | DMN67D8LDW-7 | 0.0756 | | 3181 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | DMN67 | MOSFET （金属 o化物） | 320MW | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 230mA | 5ohm @ 500mA，10v | 2.5V @ 250µA | 0.82NC @ 10V | 22pf @ 25V | - | ||
 | SISF00DN-T1-GE3 | 1.4700 | | 15 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®1212-8SCD双重 | SISF00 | MOSFET （金属 o化物） | 69.4W（TC） | POWERPAK®1212-8SCD双重 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | 30V | 60a（TC） | 5mohm @ 10a，10v | 2.1V @ 250µA | 53nc @ 10V | 2700pf @ 15V | - | |||
 | BUK9K17-60EX | 1.6100 | | 265 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车，AEC-Q100 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | SOT-12205，8-LFPAK56 | buk9k17 | MOSFET （金属 o化物） | 53W | LFPAK56D | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 26a | 15.6mohm @ 10a，10v | 2.1V @ 1mA | 16.5nc @ 5V | 2223pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
| ALD111910PAL | - | | 4901 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | - | 管子 | 过时的 | - | - | - | ALD111910 | - | - | - | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1220 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | - | - | - | - | - | - | |
 | BUK6209-30C-NEX | - | | 7843 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BUK6209 | - | 下载 | 不适用 | （1 （无限） | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||
| 2SJ413-ON | 4.5700 | | 300 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | 2SJ413 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||
 | AUIRF7309QTR | 2.2200 | | 7512 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 上次购买 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | AUIRF7309 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n和p通道 | 30V | 4a，3a | 50mohm @ 2.4a，10v | 3V @ 250µA | 25nc @ 4.5V | 520pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
 | HP8M31TB1 | 2.4200 | | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | HP8M31 | MOSFET （金属 o化物） | （3W）（TA） | 8-hsop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 60V | 8.5a（ta） | 65mohm @ 8.5a，10v，70mohm @ 8.5a，10v | 3V @ 1mA | 12.3nc @ 10v，38nc @ 10v | 470pf @ 30v，2300pf @ 30V | - | ||
 | DMN2991UDJ | - | | 3342 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-963 | DMN2991 | MOSFET （金属 o化物） | 400MW（TA） | SOT-963 | 下载 | 到达不受影响 | 31-DMN2991UDJ | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 20V | 520mA（ta） | 990MOHM @ 100mA，4.5V | 1V @ 250µA | 0.35c @ 4.5V | 21.5pf @ 15V | - | |||
| TPS2013APWR | 0.5500 | | 630 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | TPS2013 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 630 | - | ||||||||||||||||
 | DMP3048LSD-13 | 0.2097 | | 5062 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | DMP3048 | MOSFET （金属 o化物） | 1.7W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 30V | 4.8A（ta） | 48mohm @ 5a，10v | 1.3V @ 250µA | 13.5nc @ 4.5V | 1438pf @ 15V | - | ||
 | CAB006A12GM3 | 355.3000 | | 1 | 0.00000000 | Wolfspeed，Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | CAB006 | （SIC） | 10MW（TC） | - | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 18 | 2 n 通道（半桥） | 1200V（1.2kV） | 200a（200a tj） | 6.9mohm @ 200a，15v | 3.6V @ 69mA | 708nc @ 15V | 20400pf @ 800V | - | ||||
 | SI4992EY-T1-GE3 | - | | 6227 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4992 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 75V | 3.6a | 48mohm @ 4.8A，10V | 3V @ 250µA | 21NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | ||
| FDWS9520L-F085 | - | | 8917 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 上次购买 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | FDWS9520 | MOSFET （金属 o化物） | 75W（TC） | 8-pqfn（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 40V | 60.8A（TC） | 12.5MOHM @ 20A，10V | 3V @ 250µA | 33nc @ 10V | 2370pf @ 20V | - | ||
 | AOTE21115C | 0.2619 | | 4625 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | AOTE21115 | MOSFET （金属 o化物） | 1.5W（TA） | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 785-AOTE21115CTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双）公共排水 | 20V | 5.1a（ta） | 40mohm @ 5.1a，4.5V | 950mv @ 250µA | 17nc @ 4.5V | 930pf @ 10V | - | |
 | PMDPB70EN，115 | - | | 7317 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-UFDFN暴露垫 | PMDPB70 | MOSFET （金属 o化物） | 510MW | 6-Huson（2x2） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 3.5a | 57MOHM @ 3.5A，10V | 2.5V @ 250µA | 4.5NC @ 10V | 130pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
 | ZXMN2A04DN8TC | - | | 2942 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ZXMN2 | MOSFET （金属 o化物） | 1.8W | 8-so | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 20V | 5.9a | 25mohm @ 5.9a，4.5V | 700mv @ 250µA（250µA）） | 22.1nc @ 5V | 1880pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
 | AOC2804B | - | | 5564 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | alphamos | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 4-XDFN | AOC280 | MOSFET （金属 o化物） | 1.3W | 4-DFN（1.5x1.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | - | - | - | 1.3V @ 250µA | 9.5NC @ 4.5V | - | - | ||
 | AO4801A | 0.2109 | | 1856年 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | AO480 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 30V | 5a | 48mohm @ 5a，10v | 1.3V @ 250µA | 9NC @ 4.5V | 780pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
| FF1MR12KM1HHPSA1 | 1.0000 | | 3974 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | FF1MR12 | - | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 10 | - | |||||||||||||||||
 | IRF6723M2DTR1P | - | | 5860 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | DirectFet™等距 | IRF6723 | MOSFET （金属 o化物） | 2.7W | DirectFet™MA | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 15a | 6.6mohm @ 15a，10v | 2.35V @ 25µA | 14NC @ 4.5V | 1380pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
| AO4924 | - | | 9960 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | SRFET™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | AO492 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | - | 15.8mohm @ 9a，10v | 2.4V @ 250µA | 31nc @ 10V | 1885pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
 | SI5504DC-T1-E3 | - | | 9547 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5504 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V | 2.9a，2.1a | 85mohm @ 2.9a，10v | 1V @ 250µA（250µA） | 7.5NC @ 10V | - | 逻辑级别门 |
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