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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
FDMJ1023PZ Fairchild Semiconductor FDMJ1023PZ 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WFDFN暴露垫 FDMJ1023 MOSFET （金属 o化物） 700MW SC-75，Microfet 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 2.9a 112MOHM @ 2.9a，4.5V 1V @ 250µA 6.5nc @ 4.5V 400pf @ 10V 逻辑级别门
CMS2010-HF Comchip Technology CMS2010-HF -
RFQ
 ECAD 4456 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） CMS2010 MOSFET （金属 o化物） 1.5W（TA） 8-tssop - 641-CMS2010-HFTR Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双）公共排水 20V 7a（ta） 18mohm @ 6.5a，4.5V 900mv @ 250µA 15nc @ 4.5V 1150pf @ 10V -
MSCSM120HRM163AG Microchip Technology MSCSM120HRM163AG 282.3100
RFQ
 ECAD 3105 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 （SIC） - - 150-MSCSM120HRM163AG 1 （4 n 通道（三级逆变器） （SIC）
SH8M51GZETB Rohm Semiconductor SH8M51GZETB 1.7100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8M51 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 100V 3A（3A），2.5A（2.5A） 170MOHM @ 3A，10V，290MOHM @ 2.5A，10V 2.5V @ 1mA 8.5nc @ 5v，12.5nc @ 5v 610pf @ 25V，1550pf @ 25V -
CTLDM7120-M832D BK Central Semiconductor Corp CTLDM7120-M832D BK -
RFQ
 ECAD 8278 0.00000000 中央半导体公司 - 大部分 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-tdfn暴露垫 CTLDM7120 MOSFET （金属 o化物） 1.65W TLM832D 下载 1514-CTLDM7120-M832DBK Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 20V 1a 100mohm @ 500mA，4.5V 1.2V @ 1mA 2.4NC @ 4.5V 220pf @ 10V 逻辑级别门
SI7252DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7252DP-T1-GE3 2.1700
RFQ
 ECAD 5432 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SI7252 MOSFET （金属 o化物） 46W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 100V 36.7a 18mohm @ 15a，10v 3.5V @ 250µA 27nc @ 10V 1170pf @ 50V 逻辑级别门
EFC4626R-TR onsemi EFC4626R-Tr 0.4000
RFQ
 ECAD 3591 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA EFC4626 MOSFET （金属 o化物） 1.4W 4-BGA（1x1） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 8,000 2 n 通道（双）公共排水 - - - - 7.5NC @ 4.5V - 逻辑水平门，2.5V
MSCSM120DUM08T3AG Microchip Technology MSCSM120DUM08T3AG 395.6500
RFQ
 ECAD 1707年 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 1409W（TC） SP3F - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120DUM08T3AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双）公共来源 1200V（1.2kV） 337a（TC） 7.8mohm @ 80a，20v 2.8V @ 4mA 928nc @ 20V 12100pf @ 1000V -
MTI200WX75GD-SMD IXYS MTI200WX75GD-SMD 38.1415
RFQ
 ECAD 8229 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 ISOPLUS-DIL™ MTI200 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MTI200WX75GD-SMD Ear99 8541.29.0095 13 6 n通道（3相桥） 75V 255A（TC） 1.3MOHM @ 100A，10V 3.8V @ 275µA 155nc @ 10V 14400pf @ 38V -
FDS4895C onsemi FDS4895C -
RFQ
 ECAD 7243 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS48 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 n和p通道 40V 5.5a，4.4a 39mohm @ 5.5A，10V 5V @ 250µA 10NC @ 10V 410pf @ 20V -
IRF7301PBF Infineon Technologies IRF7301pbf -
RFQ
 ECAD 1547年 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF73 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 20V 5.2a 50mohm @ 2.6a，4.5V 700MV @ 250µA 20NC @ 4.5V 660pf @ 15V 逻辑级别门
BSS84DWQ-13 Diodes Incorporated BSS84DWQ-13 0.0986
RFQ
 ECAD 7654 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 BSS84 MOSFET （金属 o化物） 300MW（TA） SOT-363 下载 （1 （无限） 到达不受影响 31-BSS84DWQ-13TR Ear99 8541.21.0095 10,000 2（p 通道（双） 50V 130mA（ta） 10ohm @ 100mA，5v 2V @ 1mA - 45pf @ 25V -
2N7002DWH6327XTSA1 Infineon Technologies 2N7002DWH6327XTSA1 0.5000
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 2N7002 MOSFET （金属 o化物） 500MW PG-SOT363-PO 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 300mA 3ohm @ 500mA，10v 2.5V @ 250µA 0.6NC @ 10V 20pf @ 25V 逻辑级别门
AON6973A Alpha & Omega Semiconductor Inc. aon6973a -
RFQ
 ECAD 7940 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 SRFET™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn AON697 MOSFET （金属 o化物） 3.6W，4.3W 8-DFN（5x6） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（半桥） 30V 22a，30a 5.2MOHM @ 20A，10V 2.2V @ 250µA 22nc @ 10V 1037pf @ 15V 逻辑级别门
APTC60TDUM35PG Microchip Technology APTC60TDUM35PG 257.8900
RFQ
 ECAD 2746 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 416W sp6-p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 600V 72a 35mohm @ 72a，10v 3.9V @ 5.4mA 518nc @ 10V 14000pf @ 25V -
SQ1902AEL-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ1902EAL-T1_GE3 -
RFQ
 ECAD 6841 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SQ1902 MOSFET （金属 o化物） 430MW POWERPAK®SC-70-6双重 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 780ma（tc） 415MOHM @ 660mA，4.5V 1.5V @ 250µA 1.2nc @ 4.5V 75pf @ 10V -
DMC3025LDV-7 Diodes Incorporated DMC3025LDV-7 0.2190
RFQ
 ECAD 5825 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMC3025 MOSFET （金属 o化物） PowerDI3333-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n和p通道 15A（TC） 25mohm @ 7a，10v 2.4V @ 250µA 4.6nc @ 4.5V，9.5NC @ 4.5V 500pf @ 15V，1188pf @ 15V -
SI5504DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5504DC-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9316 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 SI5504 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 2.9a，2.1a 85mohm @ 2.9a，10v 1V @ 250µA（250µA） 7.5NC @ 10V - 逻辑级别门
ECH8652-TL-H onsemi ECH8652-TL-H -
RFQ
 ECAD 4375 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 ECH8652 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 8-ech 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 6a 28mohm @ 3a，4.5V - 11NC @ 4.5V 1000pf @ 6V 逻辑级别门
RM3003S6 Rectron USA RM3003S6 0.0980
RFQ
 ECAD 2601 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 RM3003 MOSFET （金属 o化物） 1.2W（TA） TSOT-23-6L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM3003S6TR 8541.10.0080 30,000 n和p通道 30V 3.5A（TA），2.7a ta（2.7a） 58mohm @ 3.5a，10v，100mohm @ 2.7a，10v 1.3V @ 250µA，2.5V @ 250µA 5NC @ 10V 210pf @ 15V，199pf @ 15V -
FDMS3669S-SN00345 onsemi FDMS3669S-SN00345 -
RFQ
 ECAD 4272 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN FDMS3669 MOSFET （金属 o化物） 1W（ta），2.2W（2.2W（tc），1W（1W（ta），2.5W（ta（TC）（TC） Power56 - rohs3符合条件 到达不受影响 488-FDMS3669S-SN00345TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V （13a）（24a t tc）（18a ta），60a tc（60a tc）（TC） 10mohm @ 13a，10v，5mohm @ 18a，10v 2.7V @ 250µA，2.5V @ 1mA 24nc @ 10v，34nc @ 10V 1605pf @ 15V，2060pf @ 15V -
DMTH6015LDVW-13 Diodes Incorporated DMTH6015LDVW-13 0.3061
RFQ
 ECAD 1144 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMTH6015 MOSFET （金属 o化物） 1.46W（TA） PowerDI3333-8（类型UXD） 下载 到达不受影响 31-DMTH6015LDVW-13TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 9.2A（TA），24.5A （TC） 20.5Mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 14.3nc @ 10V 825pf @ 30V -
ALD210814PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD210814PCL 6.3498
RFQ
 ECAD 4240 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 - 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） ALD210814 MOSFET （金属 o化物） - 16-PDIP - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 4 n n通道，匹配对 10.6V 80mA - 20mv @ 10µA - - 逻辑级别门
SI9933CDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9933CDY-T1-E3 0.6300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI9933 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 20V 4a 58MOHM @ 4.8A，4.5V 1.4V @ 250µA 26NC @ 10V 665pf @ 10V 逻辑级别门
DMN4031SSD-13 Diodes Incorporated DMN4031SSD-13 0.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMN4031 MOSFET （金属 o化物） 1.42W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 5.2a 31mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 18.6nc @ 10V 945pf @ 20V 逻辑级别门
ECH8667-TL-H onsemi ECH8667-TL-H 1.0400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 ECH8667 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 8-ech 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 5.5a 39mohm @ 2.5a，10v - 13nc @ 10V 600pf @ 10V 逻辑级别门
ALD110808APCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110808APCL 9.9446
RFQ
 ECAD 5951 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） ALD110808 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-PDIP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1024 Ear99 8541.21.0095 50 4 n n通道，匹配对 10.6V 12mA，3mA 500OHM @ 4.8V 810mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
EAB450M12XM3 Wolfspeed, Inc. EAB450M12XM3 1.0000
RFQ
 ECAD 8202 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 盒子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 EAB450 （SIC） 50MW - 下载 不适用 1697-EAB450M12XM3 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 450a（TC） 3.7MOHM @ 450a，15v 3.6V @ 132mA 1330nc @ 15V 38000pf @ 800V -
DF8MR12W2M1C03BOMA1 Infineon Technologies DF8MR12W2M1C03BOMA1 -
RFQ
 ECAD 2097 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 DF8MR12 - - 过时的 1 -
2SK2631-E Sanyo 2SK2631-E 0.3600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 2SK2631 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 902 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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