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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 重量（ kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
SQJ912BEP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ912BEP-T1_GE3 1.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ912 MOSFET （金属 o化物） 48W（TC） POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 30A（TC） 11mohm @ 9a，10v 2V @ 250µA 60nc @ 10V 3000pf @ 25V -
UPA1872BGR-9JG-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA1872BGR-9JG-E1-A 0.7300
RFQ
 ECAD 230 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） UPA1872 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-tssop - 不适用 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 10a 13mohm @ 5A，4.5V 1.5V @ 1mA 10NC @ 4V 945pf @ 10V 逻辑级别门
ECH8654-TL-HX onsemi ECH8654-TL-HX -
RFQ
 ECAD 7043 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 - - - ECH8654 - - - - 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
CSD85312Q3E Texas Instruments CSD85312Q3E 1.2800
RFQ
 ECAD 2011 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn CSD85312 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-VSON（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双）公共来源 20V 39a 12.4mohm @ 10a，8v 1.4V @ 250µA 15.2nc @ 4.5V 2390pf @ 10V 逻辑水平门，5v驱动器
SQJ560EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ560EP-T1_BE3 1.3500
RFQ
 ECAD 2934 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ560 MOSFET （金属 o化物） 34W（TC） POWERPAK®SO-8 下载 （1 （无限） 742-SQJ560EP-T1_BE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 60V 30A（TC），18A （TC） 12mohm @ 10a，10v，52.6mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 30nc @ 10v，45nc @ 10V 1650pf @ 25V -
IRF7311PBF Infineon Technologies IRF7311pbf -
RFQ
 ECAD 6047 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF731 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001572034 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 20V 6.6a 29MOHM @ 6A，4.5V 700MV @ 250µA 27nc @ 4.5V 900pf @ 15V 逻辑级别门
ALD212914SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD212914SAL 6.6728
RFQ
 ECAD 4033 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 - 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ALD212914 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-SOIC - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 50 2（n n 通道（双） 10.6V 80mA - 20mv @ 10µA - - 逻辑级别门
2SK3618-TL-E-SY Sanyo 2SK3618-TL-E-SY 0.6600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 2SK3618 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 700 -
DMG1023UVQ-7 Diodes Incorporated DMG1023UVQ-7 0.4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMG1023 MOSFET （金属 o化物） 530MW（TA） SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 1.03A（TA） 750MOHM @ 430mA，4.5V 1V @ 250µA 0.622NC @ 4.5V 59pf @ 16V -
FDC6306P onsemi FDC6306P 0.6500
RFQ
 ECAD 7052 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 FDC6306 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 1.9a 170MOHM @ 1.9A，4.5V 1.5V @ 250µA 4.2nc @ 4.5V 441pf @ 10V 逻辑级别门
SI4942DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4942DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4876 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4942 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 5.3a 21mohm @ 7.4a，10v 3V @ 250µA 32NC @ 10V - 逻辑级别门
FDS6984AS Fairchild Semiconductor FDS6984AS 0.4200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Fairchild半导体 PoterTrench®，SyncFet™ 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS69 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 1 2 n 通道（双） 30V 5.5a，8.5a 31MOHM @ 5.5A，10V 3V @ 250µA 11NC @ 10V 420pf @ 15V 逻辑级别门
NVTJD4001NT2G onsemi NVTJD4001NT2G -
RFQ
 ECAD 1790年 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 NVTJD40 MOSFET （金属 o化物） 272MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 250mA 1.5OHM @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA 1.3nc @ 5V 33pf @ 5V -
SP8M31HZGTB Rohm Semiconductor SP8M31HZGTB 2.2500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M3 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 60V 4.5A（ta） 65MOHM @ 4.5A，10V，70MOHM @ 4.5A，10V 3V @ 1mA 7NC @ 5V，40NC @ 10V 500pf @ 10V，2500pf @ 10V -
SLA5059 Sanken SLA5059 -
RFQ
 ECAD 4751 0.00000000 桑肯 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 12-SIP裸露的选项卡 Sla50 MOSFET （金属 o化物） 5W 12-sip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） SLA5059 DK Ear99 8541.29.0095 180 3n和3p 通道（3相桥） 60V 4a 550MOHM @ 2A，4V 2V @ 250µA - 150pf @ 10V 逻辑级别门
AONX36322 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONX36322 0.7453
RFQ
 ECAD 5052 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-vdfn暴露垫 AONX363 MOSFET （金属 o化物） 3.5W（24W）（24W tc），3.5W（ta），52W（ta（TC） 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 785-AONX36322TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 21a（21a）（55a tc）（38a ta）（85A）（85a tc） 4.95mohm @ 20a，10v，1.35Mohm @ 20a，10v 2.2V @ 250µA，1.9V @ 250µA 25nc @ 10v，100nc @ 10V 1145pf @ 15V，4175pf @ 15V 标准
PMDPB65UP,115 NXP USA Inc. PMDPB65UP，115 -
RFQ
 ECAD 5262 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 PMDPB MOSFET （金属 o化物） 520MW 6-Huson（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 3.5a 70MOHM @ 1A，4.5V 1V @ 250µA 6NC @ 4.5V 380pf @ 10V 逻辑级别门
AON4807_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON4807_001 -
RFQ
 ECAD 4458 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 AON480 MOSFET （金属 o化物） 1.9W 8-DFN （3x2） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2（p 通道（双） 30V 4a 68mohm @ 4A，10V 2.3V @ 250µA 10NC @ 10V 290pf @ 15V 逻辑级别门
2SK4098LS-YOC11 onsemi 2SK4098LS-YOC11 0.3900
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 2SK4098 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 -
2N7002PS,125 Nexperia USA Inc. 2n7002ps，125 0.4500
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 2N7002 MOSFET （金属 o化物） 420MW 6-TSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 320mA 1.6ohm @ 500mA，10v 2.4V @ 250µA 0.8NC @ 4.5V 50pf @ 10V 逻辑级别门
ZXMC3A18DN8TA Diodes Incorporated ZXMC3A18DN8TA -
RFQ
 ECAD 6815 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ZXMC3 MOSFET （金属 o化物） 1.8W 8-so 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n和p通道 30V 5.8a，4.8a 25mohm @ 5.8A，10V 1V @ 250µA（250µA） 36NC @ 10V 1800pf @ 25V 逻辑级别门
AOCA33104A Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOCA33104A 0.3960
RFQ
 ECAD 6460 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 10-SMD，没有铅 AOCA33104 MOSFET （金属 o化物） 3.1W（TA） 10-Alphadfn（2.98x1.49） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 785-AOCA33104ATR Ear99 8541.29.0095 8,000 2 n 通道（双） 12V 30a（TA） 2.8mohm @ 5A，4.5V 1.3V @ 250µA 32nc @ 4.5V - -
IRF7104PBF Infineon Technologies IRF7104PBF -
RFQ
 ECAD 8767 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF71 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 95 2（p 通道（双） 20V 2.3a 250MOHM @ 1A，10V 3V @ 250µA 25nc @ 10V 290pf @ 15V 逻辑级别门
SI1902DL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1902DL-T1-GE3 0.5200
RFQ
 ECAD 127 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1902 MOSFET （金属 o化物） 270MW SC-70-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 660mA 385MOHM @ 660mA，4.5V 1.5V @ 250µA 1.2nc @ 4.5V - 逻辑级别门
DMC4040SSDQ-13 Diodes Incorporated DMC4040SSDQ-13 0.3563
RFQ
 ECAD 2975 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMC4040 MOSFET （金属 o化物） 17.2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道互补 40V 7.5A（ta） 25mohm @ 3a，10v 1.8V @ 250µA 16nc @ 4.5V 1790pf @ 20V 逻辑级别门
APTM50HM65FTG Microchip Technology APTM50HM65FTG 187.6014
RFQ
 ECAD 4185 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTM50 MOSFET （金属 o化物） 390W SP4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 500V 51a 78MOHM @ 25.5A，10V 5V @ 2.5mA 140NC @ 10V 7000pf @ 25V -
FDG6302P onsemi FDG6302P -
RFQ
 ECAD 7441 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 FDG6302 MOSFET （金属 o化物） 300MW SC-88 （SC-70-6） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 25V 140mA 10ohm @ 140mA，4.5V 1.5V @ 250µA 0.31NC @ 4.5V 12pf @ 10V 逻辑级别门
BSC0923NDIATMA1 Infineon Technologies BSC0923NDIATMA1 1.5800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN BSC0923 MOSFET （金属 o化物） 1W PG-Tison-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 30V 17a，32a 5mohm @ 20a，10v 2V @ 250µA 10NC @ 4.5V 1160pf @ 15V 逻辑级别门，4.5V驱动器
QS5K2TR Rohm Semiconductor QS5K2TR 0.5900
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-5薄，TSOT-23-5 QS5K2 MOSFET （金属 o化物） 1.25W TSMT5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共来源 30V 2a 100mohm @ 2A，4.5V 1.5V @ 1mA 3.9nc @ 4.5V 175pf @ 10V 逻辑级别门
DMC3016LSD-13 Diodes Incorporated DMC3016LSD-13 0.5500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMC3016 MOSFET （金属 o化物） 1.2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 8.2a，6.2a 16mohm @ 12a，10v 2.3V @ 250µA 25.1NC @ 10V 1415pf @ 15V 逻辑级别门
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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