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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
UPA1764G(0)-E2-AT Renesas Electronics America Inc UPA1764G（0）-e2-at -
RFQ
 ECAD 9926 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 UPA1764 - 下载 rohs3符合条件 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 3,000 -
APTM120A20DG Microchip Technology APTM120A20DG 309.5600
RFQ
 ECAD 9790 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM120 MOSFET （金属 o化物） 1250W SP6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 50a 240mohm @ 25a，10v 5V @ 6mA 600NC @ 10V 15200pf @ 25V -
APTM50HM38FG Microchip Technology APTM50HM38FG 309.9825
RFQ
 ECAD 1175 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM50 MOSFET （金属 o化物） 694W SP6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 500V 90a 45MOHM @ 45A，10V 5V @ 5mA 246nc @ 10V 11200pf @ 25V -
ECH8654-TL-HQ onsemi ECH8654-TL-HQ -
RFQ
 ECAD 4016 0.00000000 Onmi * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 8-SMD，平坦的铅 ECH8654 - 8-ech - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 -
NTHD4502NT1 onsemi NTHD4502NT1 -
RFQ
 ECAD 6361 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 NTHD4502 MOSFET （金属 o化物） 640MW chipfet™ 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 2.2a 85mohm @ 2.9a，10v 3V @ 250µA 7NC @ 10V 140pf @ 15V 逻辑级别门
WAS310M17BM3 Wolfspeed, Inc. WAS310M17BM3 1.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 盒子 积极的 - 底盘安装 模块 WAS310 MOSFET （金属 o化物） - - 下载 不适用 1697-WAS310M17BM3 Ear99 8541.29.0095 1 - 1700V 310a - - - - 标准
EFC6605R-TR onsemi EFC6605R-Tr 0.5800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 EFC6605 MOSFET （金属 o化物） 1.6W 6-EFCP（1.9x1.46） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） - - - - 19.8nc @ 4.5V - 逻辑水平门，2.5V
NVMFD5C668NLT1G onsemi NVMFD5C668NLT1G 3.2900
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 ECAD 5400 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5 MOSFET （金属 o化物） 3W（3），57.5W（TC） 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 15.5A（ta），68a tc） 6.5MOHM @ 20A，10V 2V @ 50µA 21.3nc @ 10V 1440pf @ 25V -
SI4922BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4922BDY-T1-E3 1.6000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4922 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 8a 16mohm @ 5A，10V 1.8V @ 250µA 62NC @ 10V 2070pf @ 15V -
SSM6N37FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N37FE，LM 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6N37 MOSFET （金属 o化物） 150MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道（双） 20V 250mA 2.2OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 1mA - 12pf @ 10V 逻辑级别门
ALD212900SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD212900SAL 5.6228
RFQ
 ECAD 7016 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ALD212900 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1209 Ear99 8541.21.0095 50 2（n n 通道（双） 10.6V 80mA 14OHM 20mv @ 20µA - 30pf @ 5V 逻辑级别门
IPG20N06S2L35ATMA1 Infineon Technologies IPG20N06S2L35ATMA1 1.3200
RFQ
 ECAD 6008 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn IPG20N MOSFET （金属 o化物） 65W PG-TDSON-8-4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 55V 20a 35mohm @ 15a，10v 2V @ 27µA 23nc @ 10V 790pf @ 25V 逻辑级别门
EPC2106 EPC EPC2106 1.7300
RFQ
 ECAD 83 0.00000000 EPC Egan® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 死 EPC210 ganfet（n化岩） - 死 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0040 2,500 2 n 通道（半桥） 100V 1.7a 70mohm @ 2a，5v 2.5V @ 600µA 0.73NC @ 5V 75pf @ 50V -
IRF7756 Infineon Technologies IRF7756 -
RFQ
 ECAD 9928 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） IRF775 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-tssop 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRF7756 Ear99 8541.29.0095 95 2（p 通道（双） 12V 4.3a 40mohm @ 4.3a，4.5V 900mv @ 250µA 18NC @ 4.5V 1400pf @ 10V 逻辑级别门
EMH2604-TL-H onsemi EMH2604-TL-H -
RFQ
 ECAD 3568 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 EMH2604 MOSFET （金属 o化物） 1.2W 8-emh 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V 4a，3a 45mohm @ 4A，4.5V - 4.7nc @ 4.5V 345pf @ 10V 逻辑级别门
SQJ912BEP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ912BEP-T1_GE3 1.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ912 MOSFET （金属 o化物） 48W（TC） POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 30A（TC） 11mohm @ 9a，10v 2V @ 250µA 60nc @ 10V 3000pf @ 25V -
UPA1872BGR-9JG-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA1872BGR-9JG-E1-A 0.7300
RFQ
 ECAD 230 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） UPA1872 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-tssop - 不适用 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 10a 13mohm @ 5A，4.5V 1.5V @ 1mA 10NC @ 4V 945pf @ 10V 逻辑级别门
ECH8654-TL-HX onsemi ECH8654-TL-HX -
RFQ
 ECAD 7043 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 - - - ECH8654 - - - - 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
CSD85312Q3E Texas Instruments CSD85312Q3E 1.2800
RFQ
 ECAD 2011 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn CSD85312 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-VSON（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双）公共来源 20V 39a 12.4mohm @ 10a，8v 1.4V @ 250µA 15.2nc @ 4.5V 2390pf @ 10V 逻辑水平门，5v驱动器
SQJ560EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ560EP-T1_BE3 1.3500
RFQ
 ECAD 2934 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ560 MOSFET （金属 o化物） 34W（TC） POWERPAK®SO-8 下载 （1 （无限） 742-SQJ560EP-T1_BE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 60V 30A（TC），18A （TC） 12mohm @ 10a，10v，52.6mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 30nc @ 10v，45nc @ 10V 1650pf @ 25V -
IRF7311PBF Infineon Technologies IRF7311pbf -
RFQ
 ECAD 6047 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF731 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001572034 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 20V 6.6a 29MOHM @ 6A，4.5V 700MV @ 250µA 27nc @ 4.5V 900pf @ 15V 逻辑级别门
ALD212914SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD212914SAL 6.6728
RFQ
 ECAD 4033 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 - 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ALD212914 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-SOIC - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 50 2（n n 通道（双） 10.6V 80mA - 20mv @ 10µA - - 逻辑级别门
2SK3618-TL-E-SY Sanyo 2SK3618-TL-E-SY 0.6600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 2SK3618 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 700 -
DMG1023UVQ-7 Diodes Incorporated DMG1023UVQ-7 0.4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMG1023 MOSFET （金属 o化物） 530MW（TA） SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 1.03A（TA） 750MOHM @ 430mA，4.5V 1V @ 250µA 0.622NC @ 4.5V 59pf @ 16V -
FDC6306P onsemi FDC6306P 0.6500
RFQ
 ECAD 7052 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 FDC6306 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 1.9a 170MOHM @ 1.9A，4.5V 1.5V @ 250µA 4.2nc @ 4.5V 441pf @ 10V 逻辑级别门
SI4942DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4942DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4876 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4942 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 5.3a 21mohm @ 7.4a，10v 3V @ 250µA 32NC @ 10V - 逻辑级别门
FDS6984AS Fairchild Semiconductor FDS6984AS 0.4200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Fairchild半导体 PoterTrench®，SyncFet™ 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS69 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 1 2 n 通道（双） 30V 5.5a，8.5a 31MOHM @ 5.5A，10V 3V @ 250µA 11NC @ 10V 420pf @ 15V 逻辑级别门
NVTJD4001NT2G onsemi NVTJD4001NT2G -
RFQ
 ECAD 1790年 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 NVTJD40 MOSFET （金属 o化物） 272MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 250mA 1.5OHM @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA 1.3nc @ 5V 33pf @ 5V -
SP8M31HZGTB Rohm Semiconductor SP8M31HZGTB 2.2500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M3 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 60V 4.5A（ta） 65MOHM @ 4.5A，10V，70MOHM @ 4.5A，10V 3V @ 1mA 7NC @ 5V，40NC @ 10V 500pf @ 10V，2500pf @ 10V -
SLA5059 Sanken SLA5059 -
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 ECAD 4751 0.00000000 桑肯 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 12-SIP裸露的选项卡 Sla50 MOSFET （金属 o化物） 5W 12-sip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） SLA5059 DK Ear99 8541.29.0095 180 3n和3p 通道（3相桥） 60V 4a 550MOHM @ 2A，4V 2V @ 250µA - 150pf @ 10V 逻辑级别门
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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