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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
APTM10DDAM19T3G Microsemi Corporation APTM10DAM19T3G -
RFQ
 ECAD 8819 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTM10 MOSFET （金属 o化物） 208W SP3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 100V 70a 21mohm @ 35a，10v 4V @ 1mA 200NC @ 10V 5100pf @ 25V -
DMP2101UCB9-7 Diodes Incorporated DMP2101UCB9-7 -
RFQ
 ECAD 8144 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - - - DMP2101 - - - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 - - - - - - - -
AO4800L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4800L -
RFQ
 ECAD 6580 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO480 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 30V 6.9a 27mohm @ 6.9a，10v 1.5V @ 250µA 7NC @ 4.5V 630pf @ 15V -
NTMFD4C87NT1G onsemi NTMFD4C87NT1G -
RFQ
 ECAD 6018 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NTMFD4 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-DFN（5x6） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 30V 11.7a，14.9a 5.4mohm @ 30a，10v 2.2V @ 250µA 22.2nc @ 10V 1252pf @ 15V -
STL52DN4LF7AG STMicroelectronics STL52DN4LF7AG 0.6165
RFQ
 ECAD 3141 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车，AEC-Q101，StripFet™F7 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn STL52 MOSFET （金属 o化物） 65W（TC） PowerFlat™（5x6） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 18A（TC） 16mohm @ 6a，10v 2.5V @ 250µA 9.4NC @ 10V 500pf @ 25V -
MSCMC170AM08CT6LIAG Microchip Technology MSCMC170AM08CT6LIAG -
RFQ
 ECAD 8636 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCMC170 （SIC） 1780W（TC） sp6c li 下载 到达不受影响 150-MSCMC170AM08CT6LIAG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1700V（（1.7kV） 280a（TC） 11.7MOHM @ 300A，20V 4V @ 108mA 1128nc @ 20V 22000pf @ 1000V -
SSM6L11TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L11TU（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 8093 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6L11 MOSFET （金属 o化物） 500MW UF6 - （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 500mA 145MOHM @ 250mA，4V 1.1V @ 100µA - 268pf @ 10V 逻辑级别门
STL20DNF06LAG STMicroelectronics STL20DNF06LAG -
RFQ
 ECAD 8279 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn STL20 MOSFET （金属 o化物） 75W PowerFlat™（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 20a 40mohm @ 4A，10V 2.5V @ 250µA 22.5nc @ 10V 670pf @ 25V 逻辑级别门
2SK1626-E Renesas Electronics America Inc 2SK1626-E 2.0000
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 ECAD 523 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 2SK1626 - 下载 不适用 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 1 -
SI4511DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4511DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3529 0.00000000 Vishay Siliconix - （CT） 过时的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4511 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 20V 7.2a，4.6a 14.5MOHM @ 9.6A，10V 1.8V @ 250µA 18NC @ 4.5V - 逻辑级别门
2N7002DWAQ-7 Diodes Incorporated 2N7002DWAQ-7 -
RFQ
 ECAD 6062 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 2N7002 MOSFET （金属 o化物） 300MW SOT-363 下载 到达不受影响 31-2N7002DWAQ-7TR Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 180mA（TA） 6ohm @ 115mA，10v 2.5V @ 250µA 0.87NC @ 10V 22pf @ 25V -
MSCSM170HRM233AG Microchip Technology MSCSM170HRM233AG 257.3200
RFQ
 ECAD 2581 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 （SIC） 602W（TC），395W（tc） - - 150-MSCSM170HRM233AG 1 （4 n 通道（三级逆变器） 1700V（（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（TC），89A （TC） 22.5mohm @ 60a，20v，31mohm @ 40a，20v 3.2V @ 5mA，2.8V @ 3mA 356nc @ 20v，232nc @ 20v 6600pf @ 1000V，3020pf @ 1000V （SIC）
IPG20N06S2L65ATMA1 Infineon Technologies IPG20N06S2L65ATMA1 0.9700
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn IPG20N MOSFET （金属 o化物） 43W PG-TDSON-8-4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 55V 20a 65mohm @ 15a，10v 2V @ 14µA 12nc @ 10V 410pf @ 25V 逻辑级别门
IRF7342TRPBF Infineon Technologies IRF7342TRPBF 1.5200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF734 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 55V 3.4a 105MOHM @ 3.4A，10V 1V @ 250µA 38nc @ 10V 690pf @ 25V 逻辑级别门
AO8801A_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO8801A_001 -
RFQ
 ECAD 3082 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） AO880 MOSFET （金属 o化物） 1.5W（TA） 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 785-AO8801A_001TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 4.5A（ta） 42MOHM @ 4.5A，4.5V 900mv @ 250µA 11NC @ 4.5V 905pf @ 10V -
AOC3870S Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC3870 0.3439
RFQ
 ECAD 6123 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 AOC387 - rohs3符合条件 到达不受影响 785-AOC3870STR 8,000
PJS6832_S2_00001 Panjit International Inc. PJS6832_S2_00001 0.1096
RFQ
 ECAD 5469 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 PJS6832 MOSFET （金属 o化物） 1.25W（TA） SOT-23-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJS6832_S2_00001TR Ear99 8541.29.0095 10,000 2 n 通道（双） 30V 1.6a（ta） 200mohm @ 1.6A，4.5V 1.3V @ 250µA 1.5NC @ 4.5V 93pf @ 15V -
AO6800L_003 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO6800L_003 -
RFQ
 ECAD 2169 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-74，SOT-457 AO680 MOSFET （金属 o化物） 1.15W 6-TSOP 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 30V 3.4a 60mohm @ 3.4a，10v 1.5V @ 250µA 10NC @ 10V 235pf @ 15V 逻辑级别门
BUK9K32-100EX Nexperia USA Inc. BUK9K32-100EX 1.6300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q100，Trenchmos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 buk9k32 MOSFET （金属 o化物） 64W LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 100V 26a 31MOHM @ 5A，10V 2.1V @ 1mA 27.3nc @ 5V 3168pf @ 25V 逻辑级别门
EM6M2T2R Rohm Semiconductor EM6M2T2R 0.5300
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 EM6M2 MOSFET （金属 o化物） 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 n和p通道 20V 200mA 1欧姆 @ 200ma，4V 1V @ 1mA - 25pf @ 10V 逻辑级别门
DMN3135LVT-7 Diodes Incorporated DMN3135LVT-7 0.4500
RFQ
 ECAD 3454 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMN3135 MOSFET （金属 o化物） 840MW TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 3.5a 60mohm @ 3.1a，10v 2.2V @ 250µA 4.1nc @ 4.5V 305pf @ 15V 逻辑级别门
GE12160CEA3 GE Aerospace GE12160CEA3 3.0000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 GE航空航天 sic力量 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TC） 底盘安装 模块 GE12160 （SIC） 3.75kW（TC） - 下载 Rohs不合规 不适用 供应商不确定 4014-GE12160CEA3 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 1.425KA（TC） 1.5MOHM @ 475A，20V 4.5V @ 480mA 3744NC @ 18V 90000pf @ 600V -
PMCM650CUNEZ Nexperia USA Inc. PMCM650CUNEZ 0.5900
RFQ
 ECAD 9543 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-XFBGA，WLCSP PMCM650 MOSFET （金属 o化物） 556MW（TA） 6-WLCSP（1.48x0.98） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,500 2 n 通道（双）公共排水 - - - 900mv @ 250µA 13nc @ 4.5V - -
SI4554DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4554DY-T1-GE3 0.7900
RFQ
 ECAD 2207 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4554 MOSFET （金属 o化物） 3.1W，3.2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 40V 8a 24mohm @ 6.8a，10v 2.2V @ 250µA 20NC @ 10V 690pf @ 20V 逻辑级别门
SIZF5302DT-T1-RE3 Vishay Siliconix SIZF5302DT-T1-RE3 1.7500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Genv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 12-PowerPair™ SIZF5302 MOSFET （金属 o化物） 3.8W（TA），48.1W（tc） PowerPair®3x3fs 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 742-SIZF5302DT-T1-RE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 28.1a（TA），100A（tc） 3.2MOHM @ 10a，10v 2V @ 250µA 22.2nc @ 10V 1030pf @ 15V -
FF6MR12W2M1B11BOMA1 Infineon Technologies FF6MR12W2M1B11BOMA1 510.6300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 FF6MR12 （SIC） 20MW（TC） Ag-Easy2bm-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001716496 Ear99 8541.21.0095 15 2 n 通道（双） 1200V（1.2kV） 200a（200a tj） 5.63mohm @ 200a，15v 5.55V @ 80mA 496nc @ 15V 14700pf @ 800V -
SSM6P41FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P41FE（TE85L，F） 0.4200
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6P41 MOSFET （金属 o化物） 150MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 2（p 通道（双） 20V 720mA 300MOHM @ 400mA，4.5V 1V @ 1mA 1.76NC @ 4.5V 110pf @ 10V 逻辑级别门
EFC6612R-TF onsemi EFC6612R-TF 0.4053
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 EFC6612 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 6-CSP（1.77x3.54） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双）公共排水 - - - - 27nc @ 4.5V - 逻辑水平门，2.5V
IRF7350TRPBF Infineon Technologies IRF7350TRPBF -
RFQ
 ECAD 4854 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF7350 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道 100V 2.1a，1.5a 210mohm @ 2.1a，10v 4V @ 250µA 28nc @ 10V 380pf @ 25V -
FDS4897C Fairchild Semiconductor FDS4897C 1.0000
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 ECAD 7714 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS4897 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 1 n和p通道 40V 6.2a，4.4a 29mohm @ 6.2a，10v 3V @ 250µA 20NC @ 10V 760pf @ 20V 逻辑级别门
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    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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