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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
2SD1936T-AC-SY Sanyo 2SD1936T-AC-SY 0.1500
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 2SD1936 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 0000.00.0000 1 -
NTZD3155CT1G onsemi NTZD3155CT1G 0.4100
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 NTZD3155 MOSFET （金属 o化物） 250MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000 n和p通道 20V 540mA，430mA 550MOHM @ 540mA，4.5V 1V @ 250µA 2.5NC @ 4.5V 150pf @ 16V 逻辑级别门
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 147.5800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™ 托盘 积极的 - - - FF11MR12 - - - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 18 - 1200V（1.2kV） - - - - - -
DMP2900UVQ-13 Diodes Incorporated DMP2900UVQ-13 0.3600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMP2900 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） SOT-563 - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 2（p 通道（双） 20V 850mA（ta） 750MOHM @ 430mA，4.5V 1V @ 250µA 0.7NC @ 4.5V 49pf @ 16V 标准
IAUC60N04S6L045HATMA1 Infineon Technologies IAUC60N04S6L045HATMA1 2.0500
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn IAUC60 MOSFET （金属 o化物） 52W（TC） PG-TDSON-8-57 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（半桥） 40V 60a（TJ） 4.5mohm @ 30a，10v 2V @ 13µA 19nc @ 10V 1136pf @ 25V 逻辑级别门
RFD20N03SM9AR4761 Harris Corporation RFD20N03SM9AR4761 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 RFD20 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 2,500 -
NTJD3158CT2G onsemi NTJD3158CT2G -
RFQ
 ECAD 5682 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 NTJD31 MOSFET （金属 o化物） 270MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 630mA，820mA 375MOHM @ 630mA，4.5V 1.5V @ 250µA 3NC @ 4.5V 46pf @ 20V 逻辑级别门
RFIS70N06SM Harris Corporation RFIS70N06SM 1.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 RFIS70 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
DMT2005UDV-7 Diodes Incorporated DMT2005UDV-7 0.2289
RFQ
 ECAD 1869年 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMT2005 MOSFET （金属 o化物） 900MW（TA） PowerDI3333-8（UXC） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 2 n 通道（双） 24V 50A（TC） 7mohm @ 14a，10v 1.5V @ 250µA 46.7nc @ 10V 2060pf @ 10V -
AO4805 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4805 0.9300
RFQ
 ECAD 149 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO480 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 9a 19mohm @ 8a，10v 2.8V @ 250µA 39nc @ 10V 2600pf @ 15V 逻辑级别门
NDS8936 onsemi NDS8936 -
RFQ
 ECAD 3558 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NDS893 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 5.3a 35mohm @ 5.3a，10v 2.8V @ 250µA 30nc @ 10V 720pf @ 15V 逻辑级别门
IRF7351TRPBF Infineon Technologies IRF7351TRPBF 1.7400
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF7351 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 60V 8a 17.8mohm @ 8a，10v 4V @ 50µA 36NC @ 10V 1330pf @ 30V 逻辑级别门
AO4946 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4946 -
RFQ
 ECAD 9155 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 SRFET™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO494 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V - 16mohm @ 8.6a，10v 2.4V @ 250µA 31nc @ 10V 1885pf @ 15V 逻辑级别门
AO4828L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4828L -
RFQ
 ECAD 9828 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO482 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 60V - 56mohm @ 4.5A，10V 3V @ 250µA 10.5NC @ 10V 540pf @ 30V 逻辑级别门
FF4MR20KM1HHPSA1 Infineon Technologies FF4MR20KM1HHPSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Infineon技术 c 托盘 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 FF4MR20 （SIC） - Ag-62mmhb - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 10 2 n通道 2000V （2KV） 280a（TC） 5.3MOHM @ 300A，18V 5.15V @ 168mA 1170nc @ 18V 36100pf @ 1.2KV （SIC）
SQJ958EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ958EP-T1_GE3 1.1100
RFQ
 ECAD 3783 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ958 MOSFET （金属 o化物） 35W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 20A（TC） 34.9mohm @ 4.5A，10V 2.5V @ 250µA 23nc @ 10V 1075pf @ 30V -
FDMD8440L onsemi FDMD8440L 6.9300
RFQ
 ECAD 4421 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDMD8440 MOSFET （金属 o化物） 2.1W（TA），33W（tc） 电源3.3x5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 21a（21A），87a tc（87a） 2.6mohm @ 21a，10v 3V @ 250µA 62NC @ 10V 4150pf @ 20V -
IRF7304QTRPBF Infineon Technologies IRF7304QTRPBF -
RFQ
 ECAD 1606 0.00000000 Infineon技术 - （CT） 过时的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF73 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 20V 4.3a 90MOHM @ 2.2a，4.5V 700MV @ 250µA 22nc @ 4.5V 610pf @ 15V 逻辑级别门
UPA2385T1P-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA2385T1P-E1-A -
RFQ
 ECAD 5732 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 UPA2385 - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 -
RFD3055SM9AS2479 Harris Corporation RFD3055SM9AS2479 1.0000
RFQ
 ECAD 4241 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 RFD3055 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 2,500 -
SP8K5FU6TB Rohm Semiconductor SP8K5FU6TB -
RFQ
 ECAD 4558 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8K5 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 3.5a 83mohm @ 3.5A，10V 2.5V @ 1mA 3.5nc @ 5V 140pf @ 10V 逻辑级别门
SI5515DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5515DC-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8255 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 SI5515 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V 4.4a，3a 40mohm @ 4.4a，4.5V 1V @ 250µA 7.5NC @ 4.5V - 逻辑级别门
WAS530M12BM3 Wolfspeed, Inc. WAS530M12BM3 1.0000
RFQ
 ECAD 5110 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 WAS530 （SIC） - - 下载 不适用 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 630a（TC） 3.47mohm @ 530a，15v 3.6V @ 127mA 1362nc @ 15V 38900pf @ 800V -
QS6K21FRATR Rohm Semiconductor QS6K21FRATR 0.6900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 QS6K21 MOSFET （金属 o化物） 950MW（TA） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 45V 1A（1A） 420MOHM @ 1A，4.5V 1.5V @ 1mA 2.1nc @ 4.5V 95pf @ 10V -
G200P04S2 Goford Semiconductor G200P04S2 0.9100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 g 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） G200 MOSFET （金属 o化物） 2.1W（TC） 8-sop 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 40V 9A（TC） 20mohm @ 7a，10v 2.5V @ 250µA 42NC @ 10V 2365pf @ 20V -
DMC3028LSDXQ-13 Diodes Incorporated DMC3028LSDXQ-13 0.7500
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMC3028 MOSFET （金属 o化物） 1.2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 5.5a，5.8a 27mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 13.2nc @ 5V 641pf @ 15V -
APTC80A15T1G Microsemi Corporation APTC80A15T1G -
RFQ
 ECAD 9850 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTC80 MOSFET （金属 o化物） 277W SP1 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 800V 28a 150mohm @ 14a，10v 3.9V @ 2mA 180nc @ 10V 4507pf @ 25V -
CSD88599Q5DC Texas Instruments CSD88599Q5DC 4.1700
RFQ
 ECAD 547 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 22-POWERTFDFN CSD88599Q5 MOSFET （金属 o化物） 12W 22-VSON-CLIP（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（半桥） 60V - 2.1MOHM @ 30a，10v 2.5V @ 250µA 27nc @ 4.5V 4840pf @ 30V -
DMN52D0UV-7 Diodes Incorporated DMN52D0UV-7 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMN52 MOSFET （金属 o化物） 480MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 31-DMN52D0UV-7CT Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V 480ma（ta） 2ohm @ 5mA，5v 1V @ 250µA 1.5NC @ 10V 39pf @ 25V -
SIA913DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA913DJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2829 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA913 MOSFET （金属 o化物） 6.5W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 4.5a 70mohm @ 3.3a，4.5V 1V @ 250µA 12nc @ 8v 400pf @ 6V -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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