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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDMD8440L | 6.9300 |  | 4421 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powerwdfn | FDMD8440 | MOSFET （金属 o化物） | 2.1W（TA），33W（tc） | 电源3.3x5 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 40V | 21a（21A），87a tc（87a） | 2.6mohm @ 21a，10v | 3V @ 250µA | 62NC @ 10V | 4150pf @ 20V | - | ||
 | IRF7304QTRPBF | - | | 1606 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | （CT） | 过时的 | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF73 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-so | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 4.3a | 90MOHM @ 2.2a，4.5V | 700MV @ 250µA | 22nc @ 4.5V | 610pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||||
 | UPA2385T1P-E1-A | - | | 5732 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | UPA2385 | - | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | - | ||||||||||||||
 | RFD3055SM9AS2479 | 1.0000 | | 4241 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 积极的 | RFD3055 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | ||||||||||||||
 | SP8K5FU6TB | - | | 4558 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SP8K5 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 3.5a | 83mohm @ 3.5A，10V | 2.5V @ 1mA | 3.5nc @ 5V | 140pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | WAS530M12BM3 | 1.0000 | | 5110 | 0.00000000 | Wolfspeed，Inc。 | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | WAS530 | （SIC） | - | - | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（半桥） | 1200V（1.2kV） | 630a（TC） | 3.47mohm @ 530a，15v | 3.6V @ 127mA | 1362nc @ 15V | 38900pf @ 800V | - | ||||
 | G200P04S2 | 0.9100 | | 3 | 0.00000000 | 戈福德半导体 | g | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | G200 | MOSFET （金属 o化物） | 2.1W（TC） | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2（p 通道（双） | 40V | 9A（TC） | 20mohm @ 7a，10v | 2.5V @ 250µA | 42NC @ 10V | 2365pf @ 20V | - | |||
 | DMC3028LSDXQ-13 | 0.7500 | | 20 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | DMC3028 | MOSFET （金属 o化物） | 1.2W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | 5.5a，5.8a | 27mohm @ 6a，10v | 3V @ 250µA | 13.2nc @ 5V | 641pf @ 15V | - | ||
 | CSD88599Q5DC | 4.1700 | | 547 | 0.00000000 | Texas Instruments | NexFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 22-POWERTFDFN | CSD88599Q5 | MOSFET （金属 o化物） | 12W | 22-VSON-CLIP（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（半桥） | 60V | - | 2.1MOHM @ 30a，10v | 2.5V @ 250µA | 27nc @ 4.5V | 4840pf @ 30V | - | ||
 | DMN52D0UV-7 | 0.4700 | | 3 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | DMN52 | MOSFET （金属 o化物） | 480MW | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 31-DMN52D0UV-7CT | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 50V | 480ma（ta） | 2ohm @ 5mA，5v | 1V @ 250µA | 1.5NC @ 10V | 39pf @ 25V | - | ||
 | SIA913DJ-T1-GE3 | - | | 2829 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SC-70-6双重 | SIA913 | MOSFET （金属 o化物） | 6.5W | POWERPAK®SC-70-6双重 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 12V | 4.5a | 70mohm @ 3.3a，4.5V | 1V @ 250µA | 12nc @ 8v | 400pf @ 6V | - | ||
| DMN13M9UCA6-7 | 0.4343 | | 5606 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-SMD，没有铅 | DMN13 | MOSFET （金属 o化物） | 2.67W | X3-DSN3518-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | - | - | - | 1.3V @ 1mA | 56.5nc @ 4.5V | 3315pf @ 6V | - | ||
| SH8JB5TB1 | 2.3400 | | 8 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SH8JB5 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W（TA） | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 846-SH8JB5TB1TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 40V | 8.5a（ta） | 15.3mohm @ 8.5a，10v | 2.5V @ 1mA | 51NC @ 10V | 2870pf @ 20V | - | |
 | AON6884 | 0.5410 | | 5667 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-powersmd，平面线 | AON688 | MOSFET （金属 o化物） | 1.6W | 8-DFN（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 40V | 9a | 11.3mohm @ 10a，10v | 2.7V @ 250µA | 33nc @ 10V | 1950pf @ 20V | 逻辑级别门 | ||
 | AO4854L_102 | - | | 2438 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | AO485 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 30V | 8a | 19mohm @ 8a，10v | 2.4V @ 250µA | 18NC @ 10V | 888pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
 | MCM3400A-TP | 0.4200 | | 81 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-vdfn裸露的垫子 | MCM3400 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W | DFN2020-6L | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n通道 | 30V | 5a | 32MOHM @ 5.8A，10V | 1.5V @ 250µA | - | 1155pf @ 15V | - | ||
| SIB900EDK-T1-GE3 | - | | 2706 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SC-75-6L双重 | SIB900 | MOSFET （金属 o化物） | 3.1W | POWERPAK®SC-75-6L双重 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 1.5a | 225mohm @ 1.6A，4.5V | 1V @ 250µA | 1.7NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||
 | FDMA1028NZ | 0.4600 | | 24 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-vdfn裸露的垫子 | FDMA1028 | MOSFET （金属 o化物） | 700MW | 6-microfet（2x2） | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 654 | 2 n 通道（双） | 20V | 3.7a | 68mohm @ 3.7A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 6NC @ 4.5V | 340pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||
 | FDG6332C | 0.5000 | | 2054 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | FDG6332 | MOSFET （金属 o化物） | 300MW | SC-88 （SC-70-6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 700mA，600mA | 300MOHM @ 700mA，4.5V | 1.5V @ 250µA | 1.5NC @ 4.5V | 113pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | AON6932 | - | | 7333 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powervdfn | AON693 | MOSFET （金属 o化物） | 3.6W，4.3W | 8-DFN（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（半桥） | 30V | 22a，36a | 5mohm @ 20a，10v | 2.2V @ 250µA | 22nc @ 10V | 1037pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
 | FF8MR12W2M1B11BOMA1 | - | | 7641 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | FF8MR12 | （SIC） | 20MW（TC） | Ag-Easy2bm-2 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 15 | 2 n 通道（双） | 1200V（1.2kV） | 150a（TJ） | 7.5mohm @ 150a，15v（typ（typ）） | 5.55V @ 60mA | 372NC @ 15V | 11000pf @ 800V | - | ||
 | SSFP4806 | 0.8100 | | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET （金属 o化物） | 46W（TC） | 8-ppak（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n通道 | 40V | 30A（TC） | 9MOHM @ 8A，10V | 2.5V @ 250µA | 24nc @ 4.5V | 2200pf @ 25V | 标准 | |||
 | SI6966EDQ-T1-E3 | - | | 9542 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6966 | MOSFET （金属 o化物） | 1.25W | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | - | 30mohm @ 5.2A，4.5V | 600mv @ 250µA（250µA）） | 25nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
 | NTLUD3A260PZTBG | - | | 7561 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-UFDFN暴露垫 | ntlud3 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 6-udfn（1.6x1.6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 1.3a | 200mohm @ 2A，4.5V | 1V @ 250µA | 4.2nc @ 4.5V | 300pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | NTMD5838NLR2G | - | | 5381 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | NTMD5838 | MOSFET （金属 o化物） | 2.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 40V | 7.4a | 25mohm @ 7a，10v | 3V @ 250µA | 17NC @ 10V | 785pf @ 20V | 逻辑级别门 | ||
 | BSL308CL6327HTSA1 | - | | 4093 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | BSL308 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | PG-TSOP6-6 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V | 2.3a，2a | 80mohm @ 2a，10v | 2V @ 11µA | 500NC @ 10V | 275pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
 | SI5933CDC-T1-E3 | - | | 4767 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5933 | MOSFET （金属 o化物） | 2.8W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 3.7a | 144mohm @ 2.5a，4.5V | 1V @ 250µA | 6.8NC @ 5V | 276pf @ 10V | - | ||
 | SIL2623-TP | - | | 4038 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6 | SIL2623 | MOSFET （金属 o化物） | 350MW | SOT-23-6L | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 30V | 3a | 130MOHM @ 3A，10V | 3V @ 250µA | 4.5NC @ 4.5V | 240pf @ 25V | - | ||
 | SSM6L35FU（TE85L，F） | 0.4000 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SSM6L35 | MOSFET （金属 o化物） | 200MW | US6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 180mA，100mA | 3ohm @ 50mA，4V | 1V @ 1mA | - | 9.5pf @ 3V | 逻辑级别门，1.2V驱动器 | |||
 | SI7949DP-T1-E3 | 1.6400 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SI7949 | MOSFET （金属 o化物） | 1.5W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 60V | 3.2a | 64mohm @ 5A，10V | 3V @ 250µA | 40NC @ 10V | - | 逻辑级别门 |
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