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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
GE12160CEA3 GE Aerospace GE12160CEA3 3.0000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 GE航空航天 sic力量 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TC） 底盘安装 模块 GE12160 （SIC） 3.75kW（TC） - 下载 Rohs不合规 不适用 供应商不确定 4014-GE12160CEA3 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 1.425KA（TC） 1.5MOHM @ 475A，20V 4.5V @ 480mA 3744NC @ 18V 90000pf @ 600V -
PMCM650CUNEZ Nexperia USA Inc. PMCM650CUNEZ 0.5900
RFQ
 ECAD 9543 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-XFBGA，WLCSP PMCM650 MOSFET （金属 o化物） 556MW（TA） 6-WLCSP（1.48x0.98） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,500 2 n 通道（双）公共排水 - - - 900mv @ 250µA 13nc @ 4.5V - -
SI4554DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4554DY-T1-GE3 0.7900
RFQ
 ECAD 2207 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4554 MOSFET （金属 o化物） 3.1W，3.2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 40V 8a 24mohm @ 6.8a，10v 2.2V @ 250µA 20NC @ 10V 690pf @ 20V 逻辑级别门
SIZF5302DT-T1-RE3 Vishay Siliconix SIZF5302DT-T1-RE3 1.7500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Genv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 12-PowerPair™ SIZF5302 MOSFET （金属 o化物） 3.8W（TA），48.1W（tc） PowerPair®3x3fs 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 742-SIZF5302DT-T1-RE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 28.1a（TA），100A（tc） 3.2MOHM @ 10a，10v 2V @ 250µA 22.2nc @ 10V 1030pf @ 15V -
FF6MR12W2M1B11BOMA1 Infineon Technologies FF6MR12W2M1B11BOMA1 510.6300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 FF6MR12 （SIC） 20MW（TC） Ag-Easy2bm-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001716496 Ear99 8541.21.0095 15 2 n 通道（双） 1200V（1.2kV） 200a（200a tj） 5.63mohm @ 200a，15v 5.55V @ 80mA 496nc @ 15V 14700pf @ 800V -
SSM6P41FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P41FE（TE85L，F） 0.4200
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6P41 MOSFET （金属 o化物） 150MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 2（p 通道（双） 20V 720mA 300MOHM @ 400mA，4.5V 1V @ 1mA 1.76NC @ 4.5V 110pf @ 10V 逻辑级别门
EFC6612R-TF onsemi EFC6612R-TF 0.4053
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 EFC6612 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 6-CSP（1.77x3.54） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双）公共排水 - - - - 27nc @ 4.5V - 逻辑水平门，2.5V
IRF7350TRPBF Infineon Technologies IRF7350TRPBF -
RFQ
 ECAD 4854 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF7350 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道 100V 2.1a，1.5a 210mohm @ 2.1a，10v 4V @ 250µA 28nc @ 10V 380pf @ 25V -
FDS4897C Fairchild Semiconductor FDS4897C 1.0000
RFQ
 ECAD 7714 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS4897 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 1 n和p通道 40V 6.2a，4.4a 29mohm @ 6.2a，10v 3V @ 250µA 20NC @ 10V 760pf @ 20V 逻辑级别门
APTM50H14FT3G Microchip Technology APTM50H14FT3G 94.9100
RFQ
 ECAD 8909 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTM50 MOSFET （金属 o化物） 208W SP3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 500V 26a 168MOHM @ 13A，10V 5V @ 1mA 72NC @ 10V 3259pf @ 25V -
ZXMC3AM832TA Diodes Incorporated ZXMC3AM832TA -
RFQ
 ECAD 6208 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 表面安装 8-vdfn暴露垫 ZXMC3 MOSFET （金属 o化物） 1.7W 8-MLP （3x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 2.9a，2.1a 120mohm @ 2.5a，10v 1V @ 250µA（250µA） 3.9nc @ 10V 190pf @ 25V 逻辑级别门
UPA2451BTL-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA2451BTL-E1-A 0.6100
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 表面安装 6-VFDFN暴露垫 UPA2451 MOSFET （金属 o化物） 700MW 6-hwson 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 8.2a 20mohm @ 4A，4.5V 1.5V @ 1mA 9.2nc @ 4V 540pf @ 10V 逻辑级别门
IRF7329TR Infineon Technologies IRF7329Tr -
RFQ
 ECAD 6854 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF732 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 12V 9.2a 17mohm @ 9.2a，4.5V 900mv @ 250µA 57NC @ 4.5V 3450pf @ 10V 逻辑级别门
AO4616 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4616 0.9200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO461 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 8a，7a 20mohm @ 8a，10v 2.4V @ 250µA 18NC @ 10V 888pf @ 15V 逻辑级别门
PJQ4606_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ4606_R1_00001 0.3076
RFQ
 ECAD 3787 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn PJQ4606 MOSFET （金属 o化物） 2W（ta），18W（tc） DFN3030B-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJQ4606_R1_00001TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道互补 30V 7.6A（ta），23a tc（23a tc），6.7a ta（20a tc）（TC） 19mohm @ 8a，10v，30mohm @ 4a，10v 2.5V @ 250µA 4.8NC @ 4.5V，7.8NC @ 4.5V 429pf @ 25V，846pf @ 15V -
IPG20N10S436AATMA1 Infineon Technologies IPG20N10S436AATMA1 1.2700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装，可润湿的侧面 8-Powervdfn IPG20N MOSFET （金属 o化物） 43W PG-TDSON-8-10 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 100V 20a 36mohm @ 17a，10v 3.5V @ 16µA 15nc @ 10V 990pf @ 25V -
PMV27UPEA,215 Nexperia USA Inc. PMV27UPEA，215 -
RFQ
 ECAD 9374 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 大部分 积极的 PMV27 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 1 -
62-0170PBF Infineon Technologies 62-0170pbf 0.5300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 大部分 过时的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF73 MOSFET （金属 o化物） 2.4W 8-so 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 50V 3a 130MOHM @ 3A，10V 3V @ 250µA 15nc @ 10V 255pf @ 25V -
QH8JA1TCR Rohm Semiconductor QH8JA1TCR 0.8900
RFQ
 ECAD 7230 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QH8JA1 - 1.5W TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 5a 38mohm @ 5A，4.5V 1.2V @ 1mA 10.2nc @ 4.5V 720pf @ 10V -
BSL207NL6327HTSA1 Infineon Technologies BSL207NL6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 5609 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 BSL207 MOSFET （金属 o化物） 500MW PG-TSOP6-6 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 2.1a 70MOHM @ 2.1a，4.5V 1.2V @ 11µA 2.1nc @ 4.5V 419pf @ 10V 逻辑级别门
ALD110900SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD110900SAL 5.0300
RFQ
 ECAD 386 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ALD110900 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1033 Ear99 8541.21.0095 50 2（n n 通道（双） 10.6V - 500OHM @ 4V 20mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
FDM3300NZ Fairchild Semiconductor FDM3300NZ 2.4400
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn FDM3300 MOSFET （金属 o化物） 900MW Power33 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 10a 23mohm @ 10a，4.5V 1.5V @ 250µA 17nc @ 4.5V 1610pf @ 10V 逻辑级别门
SI6913DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6913DQ-T1-E3 2.1400
RFQ
 ECAD 3095 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） SI6913 MOSFET （金属 o化物） 830MW 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 4.9a 21MOHM @ 5.8A，4.5V 900MV @ 400µA 28nc @ 4.5V - 逻辑级别门
UC2705D/81278 Unitrode UC2705D/81278 1.7400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 单位树 * 大部分 积极的 UC2705 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
SQ4282EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4282EY-T1_GE3 1.5100
RFQ
 ECAD 210 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SQ4282 MOSFET （金属 o化物） 3.9W 8-SOIC 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 8A（TC） 12.3mohm @ 15a，10v 2.5V @ 250µA 47NC @ 10V 2367pf @ 15V -
IRF7754 Infineon Technologies IRF7754 -
RFQ
 ECAD 4629 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） IRF775 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-tssop 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 95 2（p 通道（双） 12V 5.5a 25mohm @ 5.4a，4.5V 900mv @ 250µA 22nc @ 4.5V 1984pf @ 6V 逻辑级别门
SSM14N956L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage SSM14N956L，EFF 1.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 14-SMD，没有铅 SSM14 MOSFET （金属 o化物） 1.33W（TA） TCSPED-302701 - rohs3符合条件 （1 （无限） 10,000 2 n通道 12V 20A（TA） 1.35MOHM @ 10a，4.5V 1.4V @ 1.57mA 76nc @ 4V - -
ZXMN3A06N8TA Diodes Incorporated ZXMN3A06N8TA -
RFQ
 ECAD 2511 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ZXMN3 MOSFET （金属 o化物） - 8-so - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 2 n 通道（双） 30V - - - - - -
IRLHS6276TR2PBF Infineon Technologies IRLHS6276TR2PBF -
RFQ
 ECAD 8157 0.00000000 Infineon技术 - （CT） 过时的 表面安装 6-Powervdfn IRLHS6276 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 6-PQFN 双重（2x2） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 400 2 n 通道（双） 20V 4.5a 45mohm @ 3.4a，4.5V 1.1V @ 10µA 3.1nc @ 4.5V 310pf @ 10V 逻辑级别门
PMZ370UNE,315 Nexperia USA Inc. PMZ370UNE，315 0.0400
RFQ
 ECAD 8774 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 大部分 积极的 PMZ370 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 6,000 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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