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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
AON6980 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6980 0.4263
RFQ
 ECAD 2352 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 SRFET™ 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn AON698 MOSFET （金属 o化物） 3.5W，4.1W 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（半桥） 30V 18a，27a 6.8mohm @ 20a，10v 2.2V @ 250µA 22nc @ 10V 1095pf @ 15V 逻辑级别门
DMN2024UFU-13 Diodes Incorporated DMN2024UFU-13 0.1596
RFQ
 ECAD 4789 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-UFDFN暴露垫 DMN2024 MOSFET （金属 o化物） 810MW（TA） U-DFN2030-6（B型） 下载 到达不受影响 31-DMN2024UFU-13TR Ear99 8541.29.0095 10,000 2 n 通道（双）公共来源 20V 7.5A（ta），21a（tc） 20.2MOHM @ 6.5A，4.5V 950mv @ 250µA 14.8nc @ 10V 647pf @ 10V -
3LN04SS-TL-H onsemi 3LN04SS-TL-H 0.0500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 3LN04 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 0000.00.0000 10,000 -
SIZ902DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ902DT-T1-GE3 1.4900
RFQ
 ECAD 6870 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn SIZ902 MOSFET （金属 o化物） 29W，66W 8-Powerpair®（6x5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（半桥） 30V 16a 12mohm @ 13.8a，10v 2.2V @ 250µA 21NC @ 10V 790pf @ 15V 逻辑级别门
FAN5009AMX Fairchild Semiconductor FAN5009AMX 0.3000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 Fan5009 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 2,500 -
SSM6L56FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L56FE，LM 0.3800
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6L56 MOSFET （金属 o化物） 150MW（TA） ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 n和p通道 20V 800mA（ta） 235MOHM @ 800mA，4.5V，390MOHM @ 800mA，4.5V 1V @ 1mA 1NC @ 10V 55pf @ 10V，100pf @ 10V 逻辑级别门，1.5V
NTJD4105CT4 onsemi NTJD4105CT4 -
RFQ
 ECAD 6570 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 NTJD4105 MOSFET （金属 o化物） 270MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道 20V，8V 630mA，775mA 375MOHM @ 630mA，4.5V 1.5V @ 250µA 3NC @ 4.5V 46pf @ 20V 逻辑级别门
TSM3911DCX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM3911DCX6 RFG 1.6300
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 TSM3911 MOSFET （金属 o化物） 1.15W SOT-26 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 2.2A（ta） 140MOHM @ 2.2a，4.5V 950mv @ 250µA 15.23nc @ 4.5V 882.51pf @ 6V -
QS8M31TR Rohm Semiconductor QS8M31TR 0.8300
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 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QS8M31 MOSFET （金属 o化物） 1.1W（TA） TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 60V （3A）（2a ta）（2a ta） 112MOHM @ 3A，10V，210MOHM @ 2A，10V 2.5V @ 1MA，3V @ 1MA 4NC @ 5V，7.2NC @ 5V 270pf @ 10V，750pf @ 10V -
APTM100H45SCTG Microchip Technology APTM100H45SCTG 221.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 微芯片技术 PowerMos7® 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTM100 MOSFET （金属 o化物） 357W SP4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 1000V （1kV） 18a 540MOHM @ 9A，10V 5V @ 2.5mA 154NC @ 10V 4350pf @ 25V -
FDS8926A onsemi FDS8926A -
RFQ
 ECAD 2310 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS89 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 5.5a 30mohm @ 5.5A，4.5V 1V @ 250µA 28nc @ 4.5V 900pf @ 10V 逻辑级别门
SI7994DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7994DP-T1-GE3 3.7000
RFQ
 ECAD 1087 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SI7994 MOSFET （金属 o化物） 46W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 60a 5.6mohm @ 20a，10v 3V @ 250µA 80nc @ 10V 3500pf @ 15V -
2N7002DWK-13 Diodes Incorporated 2N7002DWK-13 0.0444
RFQ
 ECAD 2078 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 2N7002 MOSFET （金属 o化物） 330MW（TA） SOT-363 下载 到达不受影响 31-2N7002DWK-13TR Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 60V 261ma（ta） 3ohm @ 200ma，10v 2V @ 250µA 1.04NC @ 10V 41pf @ 30V -
NDS9945 onsemi NDS9945 1.8100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NDS994 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 3.5a 100mohm @ 3.5a，10v 3V @ 250µA 30nc @ 10V 345pf @ 25V 逻辑级别门
DMN3061SVT-7 Diodes Incorporated DMN3061SVT-7 0.1348
RFQ
 ECAD 3380 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMN3061 MOSFET （金属 o化物） 1.08W（TA） TSOT-23-6 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DMN3061SVT-7DI Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 3.4a（ta） - - 6.6nc @ 10V 278pf @ 15V -
CMLDM8005 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMLDM8005 TR PBFRE 0.7600
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 CMLDM8005 MOSFET （金属 o化物） 350MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 650mA 360MOHM @ 350mA，4.5V 1V @ 250µA 1.2nc @ 4.5V 100pf @ 16V 逻辑级别门
FDS9958-F085 onsemi FDS9958-F085 -
RFQ
 ECAD 6727 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101，PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS99 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2（p 通道（双） 60V 2.9a 105mohm @ 2.9a，10v 3V @ 250µA 23nc @ 10V 1020pf @ 30V 逻辑级别门
FDQ7236AS onsemi FDQ7236AS -
RFQ
 ECAD 4034 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） FDQ72 MOSFET （金属 o化物） 1.3W，1.1W 14-Soic 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 14a，11a 8.7MOHM @ 14A，10V 3V @ 250µA 24nc @ 15V 920pf @ 15V 逻辑级别门
APTM100A13DG Microchip Technology APTM100A13DG 280.3700
RFQ
 ECAD 6924 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM100 MOSFET （金属 o化物） 1250W SP6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1000V （1kV） 65a 156mohm @ 32.5a，10v 5V @ 6mA 562NC @ 10V 15200pf @ 25V -
SI1555DL-T1-E3 Vishay Siliconix SI15555DL-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4248 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1555 MOSFET （金属 o化物） 270MW SC-70-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V，8V 660mA，570mA 385MOHM @ 660mA，4.5V 1.4V @ 250µA 1.2nc @ 4.5V - 逻辑级别门
IPG20N10S4L35ATMA1 Infineon Technologies IPG20N10S4L35ATMA1 1.3100
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn IPG20N MOSFET （金属 o化物） 43W PG-TDSON-8-4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 100V 20a 35mohm @ 17a，10v 2.1V @ 16µA 17.4NC @ 10V 1105pf @ 25V 逻辑级别门
AON6850 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6850 0.8165
RFQ
 ECAD 7098 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 SDMOS™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-powersmd，平面线 AON685 MOSFET （金属 o化物） 1.7W 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 100V 5a 35mohm @ 5A，10V 4V @ 250µA 29nc @ 10V 1840pf @ 50V -
IRF9956TRPBF Infineon Technologies IRF9956TRPBF 0.7800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF995 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 30V 3.5a 100mohm @ 2.2a，10v 1V @ 250µA 14NC @ 10V 190pf @ 15V 逻辑级别门
SCH1402-S-TL-E-SY Sanyo SCH1402-S-TL-E-SY 0.0900
RFQ
 ECAD 585 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 SCH1402 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 3,000 -
FDMS3615S-PC01 onsemi FDMS3615S-PC01 -
RFQ
 ECAD 5892 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 FDMS3615 - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-FDMS3615S-PC01 Ear99 8541.29.0095 1 -
SQJB68EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJB68EP-T1_GE3 0.9800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJB68 MOSFET （金属 o化物） 27W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 100V 11A（TC） 92MOHM @ 4A，10V 2.5V @ 250µA 8NC @ 10V 280pf @ 25V -
FDC6303N onsemi FDC6303N 0.4600
RFQ
 ECAD 4965 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 FDC6303 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 25V 680mA 450MOHM @ 500mA，4.5V 1.5V @ 250µA 2.3nc @ 4.5V 50pf @ 10V 逻辑级别门
IRF7325 Infineon Technologies IRF7325 -
RFQ
 ECAD 6236 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF732 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 95 2（p 通道（双） 12V 7.8a 24mohm @ 7.8a，4.5V 900mv @ 250µA 33nc @ 4.5V 2020pf @ 10V 逻辑级别门
FDMS7600AS Fairchild Semiconductor FDMS7600AS 1.0800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDMS7600 MOSFET （金属 o化物） 1W Power56 下载 Ear99 8542.39.0001 279 2 n 通道（双） 30V 12a，22a 7.5mohm @ 12a，10v 3V @ 250µA 28nc @ 10V 1750pf @ 15V 逻辑级别门
DMN2019UTS-13 Diodes Incorporated DMN2019UT-13 0.4000
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） DMN2019 MOSFET （金属 o化物） 780MW 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双）公共排水 20V 5.4a 18.5mohm @ 7a，10v 950mv @ 250µA 8.8nc @ 4.5V 143pf @ 10V 逻辑级别门
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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