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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
DMN601DWK-7-50 Diodes Incorporated DMN601DWK-7-50 0.0900
RFQ
 ECAD 4359 0.00000000 二极管合并 - 大部分 积极的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN601 MOSFET （金属 o化物） 200mw（ta） SOT-363 下载 31-DMN601DWK-7-50 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 305mA（ta） 2ohm @ 500mA，10v 2.5V @ 1mA 0.304NC @ 4.5V 50pf @ 25V 标准
DMP32D9UDAQ-7B Diodes Incorporated dmp32d9udaq-7b 0.0357
RFQ
 ECAD 1414 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 DMP32 MOSFET （金属 o化物） 360MW（TA） X2-DFN0806-6 下载 31-DMP32D9UDAQ-7B Ear99 8541.29.0095 10,000 2（p 通道（双） 30V 220mA（ta） 5ohm @ 100mA，4.5V 1V @ 250µA 350NC @ 4.5V 21.8pf @ 15V 标准
DMC3016LDV-7 Diodes Incorporated DMC3016LDV-7 0.2475
RFQ
 ECAD 3423 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMC3016 MOSFET （金属 o化物） 900MW（TA） PowerDI3333-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 n和p通道互补 30V 21A（TC），15A （TC） 12mohm @ 7a，10v，25mohm @ 7a，10v 2.4V @ 250µA 9.5NC @ 4.5V 1184pf @ 15V，1188pf @ 15V -
IXTL2X220N075T IXYS IXTL2X220N075T -
RFQ
 ECAD 1672年 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 isoplusi5-pak™ ixtl2x200 MOSFET （金属 o化物） 150W isoplusi5-pak™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 2 n 通道（双） 75V 120a 5.5MOHM @ 50a，10v 4V @ 250µA 165nc @ 10V 7700pf @ 25V -
SIA906EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA906EDJ-T1-GE3 0.6200
RFQ
 ECAD 115 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA906 MOSFET （金属 o化物） 7.8W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 4.5a 46mohm @ 3.9a，4.5V 1.4V @ 250µA 12nc @ 10V 350pf @ 10V 逻辑级别门
SQJ244EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ244EP-T1_GE3 1.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ244 MOSFET （金属 o化物） 27W（TC），48W（tc） POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 20A（TC），60a （TC） 11MOHM @ 4A，10V，4.5MOHM @ 10A，10V 2.5V @ 250µA 20nc @ 10v，45nc @ 10V 1200pf @ 25V，2800pf @ 25V -
USB10H onsemi USB10H -
RFQ
 ECAD 4012 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 USB10 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 1.9a 170MOHM @ 1.9A，4.5V 1.5V @ 250µA 4.2nc @ 4.5V 441pf @ 10V 逻辑级别门
AON2802 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON2802 0.1855
RFQ
 ECAD 5291 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 AON280 MOSFET （金属 o化物） 2.1W 6-DFN（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 2a 60mohm @ 2a，10v 1.5V @ 250µA 10NC @ 10V 245pf @ 15V 逻辑级别门
SI4230DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4230DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8668 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4230 MOSFET （金属 o化物） 3.2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 8a 20.5MOHM @ 8A，10V 3V @ 250µA 25nc @ 10V 950pf @ 15V 逻辑级别门
SI9926BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9926BDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7743 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI9926 MOSFET （金属 o化物） 1.14W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 6.2a 20mohm @ 8.2a，4.5V 1.5V @ 250µA 20NC @ 4.5V - 逻辑级别门
SI4561DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4561DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4751 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4561 MOSFET （金属 o化物） 3W，3.3W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 40V 6.8a，7.2a 35.5MOHM @ 5A，10V 3V @ 250µA 20NC @ 10V 640pf @ 20V 逻辑级别门
SH8ME5TB1 Rohm Semiconductor SH8ME5TB1 1.9500
RFQ
 ECAD 4706 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8ME5 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop - rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8541.29.0095 2,500 - 100V 4.5A（ta） 58mohm @ 4.5A，10V，91MOHM @ 4.5A，10V 2.5V @ 1mA 6.7nc @ 10v，52nc @ 10v 305pf @ 50V，2100pf @ 50V 标准
FF4MR12KM1H Infineon Technologies FF4MR12KM1H -
RFQ
 ECAD 2795 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 FF4MR12 - - rohs3符合条件 到达不受影响 448-FF4MR12KM1H Ear99 8541.29.0095 1 -
NTJD4152PT2G onsemi NTJD4152PT2G 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 NTJD4152 MOSFET （金属 o化物） 272MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 880mA 260MOHM @ 880mA，4.5V 1.2V @ 250µA 2.2nc @ 4.5V 155pf @ 20V -
AO5600EL Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO5600EL -
RFQ
 ECAD 8416 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 AO5600 MOSFET （金属 o化物） 380MW SC-89-6 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道互补 20V 600mA，500mA 650MOHM @ 500mA，4.5V 1V @ 250µA 1NC @ 4.5V 45pf @ 10V -
MSCSM120AM50T1AG Microchip Technology MSCSM120AM50T1AG -
RFQ
 ECAD 4866 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 245W（TC） - 下载 到达不受影响 150-MSCSM120AM50T1AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1200V（1.2kV） 55A（TC） 50mohm @ 40a，20v 2.7V @ 1mA 137nc @ 20V 1990pf @ 1000V -
MSCSM170DUM11T3AG Microchip Technology MSCSM170DUM11T3AG 325.9700
RFQ
 ECAD 5021 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM170 （SIC） 1140W（TC） SP3F - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM170DUM11T3AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双）公共来源 1700V（（1.7kV） 240a（TC） 11.3mohm @ 120A，20V 3.2V @ 10mA 712NC @ 20V 13200pf @ 1000V -
NX3008PBKV,115 Nexperia USA Inc. NX3008PBKV，115 0.4200
RFQ
 ECAD 6218 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101，Trenchmos™ 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 NX3008 MOSFET （金属 o化物） 500MW SOT-666 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000 2（p 通道（双） 30V 220mA 4.1OHM @ 200mA，4.5V 1.1V @ 250µA 0.72NC @ 4.5V 46pf @ 15V 逻辑级别门
PMDPB70XPE,115 Nexperia USA Inc. PMDPB70XPE，115 0.5400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-UFDFN暴露垫 PMDPB70 MOSFET （金属 o化物） 515MW 6-Huson（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 3a 79MOHM @ 2A，4.5V 1.25V @ 250µA 7.5NC @ 4.5V 600pf @ 10V 逻辑级别门
NTMFD1D6N03P8 onsemi NTMFD1D6N03P8 1.5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn NTMFD1D6 MOSFET （金属 o化物） 2.1W（23w（ta）（23w tc），2.3W（ta），29W（（（（（（（（（（（（（（（ 8-pqfn（5x6） - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V （17a）（56A （TC）（32a ta）（109a tc）（TC） 5mohm @ 17a，10v，1.6Mohm @ 32a，10v 3V @ 250µA，3V @ 1mA 24nc @ 10v，87nc @ 10v 1715pf @ 15V，6430pf @ 15V 标准
PJQ1821_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ1821_R1_00001 0.0986
RFQ
 ECAD 7924 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-UFDFN PJQ1821 MOSFET （金属 o化物） 400MW（TA） DFN1010-6L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJQ1821_R1_00001TR Ear99 8541.21.0095 5,000 2（p 通道（双） 20V 600mA（TA） 600MOHM @ 300mA，4.5V 1V @ 250µA 1.1NC @ 4.5V 51pf @ 10V -
PJQ5606_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5606_R2_00001 0.3076
RFQ
 ECAD 5400 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN PJQ5606 MOSFET （金属 o化物） 1.7W（TA），21W（21W）TC） DFN5060B-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJQ5606_R2_00001TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道互补 30V （7a ta），25a tc（25a tc），6.1a（ta（22a tc）（22a tc） 19mohm @ 8a，10v，30mohm @ 4a，10v 2.5V @ 250µA 4.8NC @ 4.5V，7.8NC @ 4.5V 429pf @ 25V，846pf @ 15V -
SIA907EDJ-T4-GE3 Vishay Siliconix SIA907EDJ-T4-GE3 -
RFQ
 ECAD 8775 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - - - SIA907 - - - - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 - - - - - - - -
PHP225,118 Nexperia USA Inc. PHP225,118 -
RFQ
 ECAD 4864 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） PHP225 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 2.3a 250MOHM @ 1A，10V 2.8V @ 1mA 25nc @ 10V 250pf @ 20V 逻辑级别门
SI4563DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4563DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2431 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4563 MOSFET （金属 o化物） 3.25W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 40V 8a 16mohm @ 5A，10V 2V @ 250µA 85nc @ 10V 2390pf @ 20V -
SQJQ936EL-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ936EL-T1_GE3 2.7800
RFQ
 ECAD 4134 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 PowerPak®8x8二元 SQJQ936 MOSFET （金属 o化物） 75W（TC） PowerPak®8x8二元 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 2 n通道 40V 100A（TC） 2.3MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 250µA 45nc @ 10V 7300pf @ 25V 标准
UT6K3TCR Rohm Semiconductor UT6K3TCR 0.7700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-Powerudfn UT6K3 - 2W HUML2020L8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 5.5a 42MOHM @ 5A，4.5V 1.5V @ 1mA 4NC @ 4.5V 450pf @ 15V -
AOE6930 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOE6930 2.2500
RFQ
 ECAD 2227 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 alphamos 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-vdfn暴露垫 AOE693 MOSFET （金属 o化物） 24W，75W 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 22A（TC），85a tc） 4.3MOHM @ 20A，10V，0.83MOHM @ 30a，10V 2.1V @ 250µA，1.9V @ 250µA 15nc @ 4.5V，65nc @ 4.5V 1075pf @ 15V，5560pf @ 15V -
BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL308PEH6327XTSA1 0.7100
RFQ
 ECAD 5570 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 BSL308 MOSFET （金属 o化物） 500MW PG-TSOP6-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 2a 80mohm @ 2a，10v 1V @ 11µA 5NC @ 10V 500pf @ 15V 逻辑级别门，4.5V驱动器
SMA5113 Sanken SMA5113 9.2879
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 ECAD 6665 0.00000000 桑肯 - 管子 积极的 150°C 通过洞 12-sip SMA51 MOSFET （金属 o化物） （4W）（35W（ta）（TC） 12-sip 下载 Rohs符合条件 1261-SMA5113 Ear99 8541.29.0095 180 4 n通道 450V 7a（ta） 1.1OHM @ 3.5A，10V 4V @ 1mA - 720pf @ 10V 标准
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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