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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
ALD114935PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD114935PAL 6.0054
RFQ
 ECAD 3158 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） ALD114935 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1067 Ear99 8541.21.0095 50 2（n n 通道（双） 10.6V 12mA，3mA 540OHM @ 0v 3.45V @ 1µA - 2.5pf @ 5V 耗尽模式
MSCSM120AM042CT6LIAG Microchip Technology MSCSM120AM042CT6LIAG 924.8800
RFQ
 ECAD 2365 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 2.031kW（TC） sp6c li 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120AM042CT6LIAG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1200V（1.2kV） 495a（TC） 5.2MOHM @ 240A，20V 2.8V @ 6mA 1392NC @ 20V 18100pf @ 1KV -
SSD2007ASTF onsemi SSD2007ASTF -
RFQ
 ECAD 1492 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SSD2007 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 50V 2a 300MOHM @ 1.5A，10V 4V @ 250µA 15nc @ 10V - 逻辑级别门
FDPC8016S onsemi FDPC8016S 1.9200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDPC8016 MOSFET （金属 o化物） 2.1W，2.3W 电源夹56 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 25V 20a，35a 3.8mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 35nc @ 10V 2375pf @ 13V 逻辑级别门
ALD110904PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD110904PAL 5.6464
RFQ
 ECAD 5212 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） ALD110904 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1036 Ear99 8541.21.0095 50 2（n n 通道（双） 10.6V 12mA，3mA 500OHM @ 4.4V 420mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
HP8M51TB1 Rohm Semiconductor HP8M51TB1 2.3200
RFQ
 ECAD 8642 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN HP8M51 MOSFET （金属 o化物） （3W）（TA） 8-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 100V 4.5A（ta） 170MOHM @ 4.5A，10V，290MOHM @ 4.5A，10V 2.5V @ 1mA 15nc @ 10V，26.2nc @ 10V 600pf @ 50V，1430pf @ 50V -
FDG6321C onsemi FDG6321C 0.5300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 FDG6321 MOSFET （金属 o化物） 300MW SC-88 （SC-70-6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 25V 500mA，410mA 450MOHM @ 500mA，4.5V 1.5V @ 250µA 2.3nc @ 4.5V 50pf @ 10V 逻辑级别门
SSM6N48FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N48FU，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SSM6N48 MOSFET （金属 o化物） 300MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V （100mA）（TA） 3.2OHM @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA - 15.1pf @ 3V -
IRF7343PBF Infineon Technologies IRF7343PBF -
RFQ
 ECAD 9800 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF734 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001571976 Ear99 8541.29.0095 3,800 n和p通道 55V 4.7a，3.4a 50mohm @ 4.7A，10V 1V @ 250µA 36NC @ 10V 740pf @ 25V -
CPH3407-TL-E Sanyo CPH3407-TL-E 0.1900
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 CPH3407 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 0000.00.0000 1,567 -
DMC2053UVTQ-13 Diodes Incorporated DMC2053UVTQ-13 0.1505
RFQ
 ECAD 3823 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMC2053 MOSFET （金属 o化物） 700MW（TA） TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 31-DMC2053UVTQ-13TR Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道互补 20V 4.6A（ta），3.2a（ta） 35MOHM @ 5A，4.5V，74MOHM @ 3.5A，4.5V 1V @ 250µA 3.6nc @ 4.5V，5.9nc @ 4.5V 369pf @ 10V，440pf @ 10V -
SP8M10TB Rohm Semiconductor SP8M10TB -
RFQ
 ECAD 3383 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M10 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 7a，4.5a 25mohm @ 7a，10v 2.5V @ 1mA 8.4nc @ 5V 600pf @ 10V 逻辑级别门
ECH8604-TL-E-SY Sanyo ECH8604-TL-E-SY 0.3100
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 ECH8604 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 3,000 -
FDS6982AS_G onsemi FDS6982AS_G -
RFQ
 ECAD 6426 0.00000000 Onmi PoterTrench®，SyncFet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS69 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-so - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 6.3a，8.6a 28mohm @ 6.3a，10v，13.5Mohm @ 8.6a，10v 3V @ 250µA，3V @ 1mA 9NC @ 5V，16NC @ 5V 610pf @ 10V，1250pf @ 10V -
DMN61D8LVT-7 Diodes Incorporated DMN61D8LVT-7 0.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMN61 MOSFET （金属 o化物） 820MW TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 630mA 1.8ohm @ 150mA，5V 2V @ 1mA 0.74NC @ 5V 12.9pf @ 12V 逻辑级别门
2SK3481(0)-Z-E1-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3481（0）-Z-e1-az 1.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 2SK3481 - 下载 不适用 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 1 -
AON6974 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6974 -
RFQ
 ECAD 5377 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn AON697 MOSFET （金属 o化物） 3.6W，4.3W 8-DFN（5x6） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（半桥） 30V 22a，30a 5.2MOHM @ 20A，10V 2.2V @ 250µA 22.5nc @ 10V 951pf @ 15V 逻辑级别门
FMP36-015P IXYS fmp36-015p -
RFQ
 ECAD 1142 0.00000000 ixys Polar™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 FMP36 MOSFET （金属 o化物） 125W ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n和p通道 150V 36a，22a 40mohm @ 31a，10v 5.5V @ 250µA 70NC @ 10V 2250pf @ 25V -
DMN10H6D2LFDB-13 Diodes Incorporated DMN10H6D2LFDB-13 0.0749
RFQ
 ECAD 1201 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMN10 MOSFET （金属 o化物） 700MW（TA） U-DFN2020-6（B型） 下载 到达不受影响 31-DMN10H6D2LFDB-13TR Ear99 8541.29.0095 10,000 2 n 通道（双） 100V 270mA（ta） 6ohm @ 190mA，10v 2V @ 1mA 1.2NC @ 10V 41pf @ 50V -
APTM10TAM19FPG Microchip Technology APTM10TAM19FPG 178.9900
RFQ
 ECAD 9523 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM10 MOSFET （金属 o化物） 208W sp6-p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 100V 70a 21mohm @ 35a，10v 4V @ 1mA 200NC @ 10V 5100pf @ 25V -
2N7002DW-7-G Diodes Incorporated 2N7002DW-7-G -
RFQ
 ECAD 1101 0.00000000 二极管合并 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 2N7002 - - （1 （无限） 到达不受影响 2N7002DW-7-GDI Ear99 8541.21.0095 3,000 -
AON6810 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6810 -
RFQ
 ECAD 4368 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅裸垫 AON681 MOSFET （金属 o化物） 4.1W 8-DFN-EP（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 30V 25a 4.4mohm @ 20a，10v 2.2V @ 250µA 34NC @ 10V 1720pf @ 15V 逻辑级别门
CSD85301Q2T Texas Instruments CSD85301Q2T 1.1300
RFQ
 ECAD 6130 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 CSD85301 MOSFET （金属 o化物） 2.3W 6-wson（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 250 2 n 通道（双） 20V 5a 27mohm @ 5A，4.5V 1.2V @ 250µA 5.4NC @ 4.5V 469pf @ 10V 逻辑水平门，5v驱动器
SI1029X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1029X-T1-GE3 0.5100
RFQ
 ECAD 3281 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SI1029 MOSFET （金属 o化物） 250MW SC-89（SOT-563F） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 60V 305mA，190mA 1.4OHM @ 500mA，10V 2.5V @ 250µA 0.75nc @ 4.5V 30pf @ 25V 逻辑级别门
SSM6L36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L36FE，LM 0.4500
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6L36 MOSFET （金属 o化物） 150MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 n和p通道 20V 500mA，330mA 630mohm @ 200ma，5v 1V @ 1mA 1.23nc @ 4V 46pf @ 10V 逻辑级别门
UPA2672T1R-E2-AX Renesas Electronics America Inc UPA2672T1R-E2-AX -
RFQ
 ECAD 5597 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-WFDFN暴露垫 UPA2672 MOSFET （金属 o化物） 2.3W 6-Huson（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 4a 67MOHM @ 2A，4.5V - 5NC @ 4.5V 486pf @ 10V 逻辑水平门，1.8V
SI4228DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4228DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3738 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4228 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 25V 8a 18mohm @ 7a，10v 1.4V @ 250µA 25nc @ 10V 790pf @ 12.5V 逻辑级别门
CMLDM7003G TR Central Semiconductor Corp CMLDM7003G TR 0.7500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 CMLDM7003 MOSFET （金属 o化物） 350MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V 280mA 2ohm @ 50mA，5v 1V @ 250µA 0.76NC @ 4.5V 50pf @ 25V -
IRF7756TR Infineon Technologies IRF7756Tr -
RFQ
 ECAD 4589 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） IRF775 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-tssop 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 12V 4.3a 40mohm @ 4.3a，4.5V 900mv @ 250µA 18NC @ 4.5V 1400pf @ 10V 逻辑级别门
PMWD16UN,518 NXP USA Inc. PMWD16UN，518 -
RFQ
 ECAD 6159 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） PMWD16 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 9.9a 19mohm @ 3.5a，4.5V 700mv @ 1mA 23.6nc @ 4.5V 1366pf @ 16V 逻辑级别门
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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