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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | BR24H16F-5ACE2 | 0.7300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-sop | 下载 | (1 (无限) | 2,500 | 1 MHz | 非易失性 | 16kbit | EEPROM | 2k x 8 | i²c | 3.5ms | |||||||||
![]() | CY7C0241-15AXI | 19.7800 | ![]() | 302 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C0241 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 16 | 易挥发的 | 72kbit | 15 ns | SRAM | 4K x 18 | 平行线 | 15ns | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | SFEM064GB2ED1TB-A-CE-111-StD | 27.1500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 瑞士 | EM-30 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C | 表面安装 | 153-TFBGA | Flash -nand(tlc) | 2.7V〜3.6V | 153-BGA(11.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 1 | 200 MHz | 非易失性 | 512Gbit | 闪光 | 64g x 8 | EMMC | - | ||||||||
![]() | S25FL164K0XMFV011 | 3.3470 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl1-k | 管子 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | S25FL164 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 3A991B1A | 8542.32.0050 | 150 | 108 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 3ms | 未行业行业经验证 | |||
![]() | CY7C09349AV-12AXC | - | ![]() | 70 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C09349 | sram-双端口,同步 | 3v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 13 | 50 MHz | 易挥发的 | 72kbit | 12 ns | SRAM | 4K x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | M3004316045NX0PTAR | 10.5203 | ![]() | 2614 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | MRAM (磁磁性 RAM) | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | - | rohs3符合条件 | 800-M3004316045NX0PTARTR | 1 | 非易失性 | 4Mbit | 45 ns | 内存 | 256K x 16 | 平行线 | 45ns | ||||||||
![]() | W25N04KVZEIU TR | 5.5500 | ![]() | 9229 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | W25N04 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 8-wson(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25N04KVZEIUTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 512m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 250µs | |||
![]() | 70V05L12J | - | ![]() | 4346 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 上次购买 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 68-LCC(j-lead) | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 68-PLCC (24.21x24.21) | - | 800-70V05L12J | 1 | 易挥发的 | 64kbit | 12 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | 12ns | |||||||||
![]() | MT62F1G32D2DS-023 AIT:c | 29.0250 | ![]() | 8414 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 盒子 | 积极的 | - | 表面安装 | 200-WFBGA | sdram- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AIT:c | 1 | 4.266 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 1G x 32 | 平行线 | - | |||||||||
![]() | 7008L12JI | - | ![]() | 9464 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 上次购买 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 84-LCC(j-lead) | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 84-PLCC (29.31x29.31) | - | 800-7008L12JI | 1 | 易挥发的 | 512kbit | 12 ns | SRAM | 64k x 8 | 平行线 | 12ns | |||||||||
![]() | 70V27S25PFG | - | ![]() | 3462 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 70v27 | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | - | 800-70V27S25PFG | 过时的 | 1 | 易挥发的 | 512kbit | 25 ns | SRAM | 32k x 16 | lvttl | 25ns | |||||||
![]() | S25FL128P0XMFI001 | 5.3100 | ![]() | 8477 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl-p | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | S25FL128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 104 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | spi | 3ms | ||||||
![]() | S29VS256RABBHI010 | - | ![]() | 2664 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | vs-r | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-VFBGA | S29VS256 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜1.95V | 44-FBGA(7.5x5) | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 2832-S29VS256RABBHI010 | 1 | 108 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 80 ns | 闪光 | 16m x 16 | 平行线 | 60ns | 未行业行业经验证 | |||
![]() | S29PL064J55BFI123 | - | ![]() | 3948 | 0.00000000 | Infineon技术 | PL-J | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | S29PL064 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-FBGA(8.15x6.15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 非易失性 | 64mbit | 55 ns | 闪光 | 4m x 16 | 平行线 | 55ns | ||||
GS81302QT37GE-300I | 220.9200 | ![]() | 1841年 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜100°C(TJ) | 表面安装 | 165-LBGA | GS81302QT37 | sram-四边形端口,同步 | 1.7V〜1.9V | 165-FPBGA(15x17) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2364-GS81302QT37GE-300I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 300 MHz | 易挥发的 | 144Mbit | SRAM | 4m x 36 | 平行线 | - | ||||
![]() | AT45DB011D-MH-Y | - | ![]() | 8367 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 8-udfn裸露的垫子 | AT45DB011 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 8-udfn(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | AT45DB011DMHY | Ear99 | 8542.32.0051 | 490 | 66 MHz | 非易失性 | 1Mbit | 闪光 | 264字节x 512页 | spi | 4ms | |||
![]() | MT29F2G08ABBEAHC-IT:e tr | 4.2400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F2G08 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-vfbga(10.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | CAT25010 | - | ![]() | 9772 | 0.00000000 | 催化剂半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | CAT25010 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 非易失性 | 1kbit | EEPROM | 128 x 8 | spi | 5ms | |||||
![]() | 71256L25YI | - | ![]() | 4050 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | 71256L | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-soj | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 25 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 25ns | ||||
S26KL256SDABHB020 | 9.9600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车,AEC-Q100,HyperFlash™KL | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | S26KL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-fbga(6x8) | 下载 | 31 | 100 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 96 ns | 闪光 | 32m x 8 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | 520366231286 | - | ![]() | 3046 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | MT25QU128ABB1ESE-0AUT TR | 4.2442 | ![]() | 4077 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | MT25QU128 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 8-so | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MT25QU128ABB1ESE-0AUTTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 166 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | spi | 1.8ms | |||
![]() | IS43LD16128C-18BLI | 10.5177 | ![]() | 4351 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 134-TFBGA | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | 134-TFBGA(10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43LD16128C-18BLI | 171 | 533 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | HSUL_12 | 15ns | |||||
![]() | CT16G3ERDD4186D.36FN-C | 48.5000 | ![]() | 3757 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-CT16G3ERSDD4186D.36FN-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CY7C185-25SC | - | ![]() | 8211 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | CY7C185 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-soj | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 64kbit | 25 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | 25ns | ||||
M95080-RMC6TG | 0.4200 | ![]() | 3561 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-UFDFN暴露垫 | M95080 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-fufdfpn(2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 20 MHz | 非易失性 | 8kbit | EEPROM | 1k x 8 | spi | 5ms | |||||
![]() | IS46TR16128B-125KBLA25-Tr | - | ![]() | 4762 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜115°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46TR16128B-125KBLA25-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | MT62F2G64D8EK-023 wt:c tr | 90.4650 | ![]() | 4584 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -25°C〜85°C | 表面安装 | 441-TFBGA | sdram- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA(14x14) | - | 557-MT62F2G64D8EK-023WT:CTR | 2,000 | 4.266 GHz | 易挥发的 | 128Gbit | 德拉姆 | 2G x 64 | 平行线 | - | |||||||||
![]() | 7133la15pfi | - | ![]() | 8204 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 上次购买 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP(14x14) | - | 800-7133LA15PFI | 1 | 易挥发的 | 32kbit | 15 ns | SRAM | 2k x 16 | 平行线 | 15ns | |||||||||
![]() | JS28F320J3F75A | - | ![]() | 8112 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Strataflash™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | JS28F320J3 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 非易失性 | 32Mbit | 75 ns | 闪光 | 4m x 8,2m x 16 | 平行线 | 75ns |
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