RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

69470）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
IS22TF08G-JQLA1-TR	16.6915	RFQ	3066	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA		Flash -nand（pslc）	2.7V〜3.6V	100-LFBGA（14x18）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS22TF08G-JQLA1-TR			1,000	200 MHz	非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	EMMC_5.1	-
A3944761-C	30.0000	RFQ	8459	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A3944761-C	Ear99	8473.30.5100	1
CAT25C64	-	RFQ	2954	催化剂半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT25C64	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	10 MHz	非易失性	64kbit		EEPROM	8k x 8	spi	5ms
S25FS128SAGBHI200	4.1600	RFQ	9637	Infineon技术	FS-S	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FS128	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	24-bga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	338	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
00D5026-C	36.2500	RFQ	7767	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-00D5026-C	Ear99	8473.30.5100	1
7008S25PFG	-	RFQ	3830	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	7008S25	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	-				800-7008S25PFG	过时的		1		易挥发的	512kbit	25 ns	SRAM	64k x 8	平行线	25ns
70261S15PFG8	-	RFQ	7344	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70261S15	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	-				800-70261S15PFG8TR	过时的		250		易挥发的	256kbit	15 ns	SRAM	16k x 16	平行线	15ns
7015L15PF8	-	RFQ	8953	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	80-LQFP	7015L15	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	80-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	750		易挥发的	72kbit	15 ns	SRAM	8k x 9	平行线	15ns
CY62148EV30LL-45ZSXIT	-	RFQ	6095	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	CY62148	sram-异步	2.2v〜3.6V	32-TSOP II	下载							1		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	512k x 8	平行线	45ns	未行业行业经验证
MX25U4035FM1J	0.4872	RFQ	8623	大元	MXSMIO™	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-sop	-		3（168））		1092-MX25U4035FM1J			98	108 MHz	非易失性	4Mbit	6 ns	闪光	1m x 4，2m x 2，4m x 1	Spi -Quad I/O。	100µs，3.6m
BR34E02FVT-WE2	0.6436	RFQ	1482	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	BR34E02	EEPROM	1.7v〜3.6V	8-TSSOP-B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	400 kHz	非易失性	2kbit		EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
MX35UF2GE4AD-Z4I	3.2300	RFQ	1428	大元	MX35UF	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	8-wson（8x6）	-		3（168））		1092-MX35UF2GE4AD-Z4I			480	133 MHz	非易失性	2Gbit		闪光	512m x 4	Spi -Quad I/O。	-
70V9289L7PRFGI8	-	RFQ	8166	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	128-LQFP	70v9289	sram-双端口，标准	3v〜3.6V	128-TQFP（14x20）	-				800-70V9289L7PRFGI8TR	过时的		750	45.45 MHz	易挥发的	1Mbit	18 ns	SRAM	64k x 16	lvttl	-
1CA79AT-C	93.7500	RFQ	3111	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-1CA79AT-C	Ear99	8473.30.5100	1
GD25LB512MEY2GY	7.1953	RFQ	5315	gigadevice 半导体（香）	GD25LB	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-wson（6x8）	-				1970-GD25LB512MEY2GY			4,800	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	-
CY15B256J-SXE	-	RFQ	2496	赛普拉斯半导体公司	F-RAM™	管子	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CY15B256	fram （铁电 ram）	2v〜3.6V	8-SOIC	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2832-CY15B256J-SXE			1	3.4 MHz	非易失性	256kbit	130 ns	框架	32K x 8	i²c	-	未行业行业经验证
MT29F8T08EWLEEM5-R：e tr	171.6300	RFQ	1176	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C	-	-		Flash -nand（tlc）	-	-	-				557-MT29F8T08EWLEEM5-R：ETR			1,500		非易失性	8Tbit		闪光	1t x 8	平行线	-
70121L35JG	-	RFQ	1939年	Renesas Electronics America Inc	-	管子	上次购买	0°C〜70°C（TA）	表面安装	52-lcc（j-lead）		sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	-				800-70121L35JG			1		易挥发的	18kbit	35 ns	SRAM	2k x 9	平行线	35ns
CY7C1412AV18-200BZI	55.6700	RFQ	203	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1412	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	105	200 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	2m x 18	平行线	-	未行业行业经验证
IDT71V2559S85PFG8	-	RFQ	6379	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V2559	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载		3（168））	到达不受影响	71V2559S85PFG8	3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4.5mbit	8.5 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
03T7415-C	81.7500	RFQ	5603	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-03T7415-C	Ear99	8473.30.5100	1
W25N01GWTBIT	-	RFQ	9715	Winbond电子产品	Spiflash®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	W25N01	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	24-tfbga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25N01GWTBIT	3A991B1A	8542.32.0071	480	104 MHz	非易失性	1Gbit	8 ns	闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O。	700µs
IS42S16160B-7TL	-	RFQ	5263	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS25WP256E-RHLE-TR	3.7919	RFQ	4043	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA		闪存-SLC）	1.7V〜1.95V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25WP256E-RHLE-TR			2,500	166 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，1ms
MT58L1MY18PT-10	21.2200	RFQ	4683	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT58L1MY18	SRAM	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	18mbit	5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
CY7C136A55JXI	-	RFQ	9325	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	52-lcc（j-lead）	CY7C136	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	55 ns	SRAM	2k x 8	平行线	55ns
BR93A66RFVT-WME2	0.8200	RFQ	3	Rohm半导体	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	BR93A66	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-TSSOP-B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	2 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	256 x 16	微线	5ms
MEM-DR440L-CL01-SO21-C	25.7500	RFQ	5745	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-MEM-DR440L-CL01-SO21-C	Ear99	8473.30.5100	1
NDQ86PFI-7NIT TR	11.9700	RFQ	3291	Insignis Technology Corporation	NDQ86P	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-fbga（7.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		1982-ndq86pfi-7nittr			1,500	1.333 GHz	易挥发的	8Gbit	18 ns	德拉姆	512m x 16	荚	15ns
SM662GEC最好	30.6000	RFQ	4386	硅运动，Inc。	Ferri-Emmc®	托盘	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	100-LBGA	SM662	Flash -nand（slc），闪光灯-NAND（tlc）	-	100-BGA （14x18）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1984-SM662GEC最好	3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	EMMC	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²