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69470）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
W631GG8NB15I	4.7200	RFQ	182	Winbond电子产品	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	W631GG8	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-VFBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W631GG8NB15I	Ear99	8542.32.0032	242	667 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	SSTL_15	15ns
M3016316045NX0PTBY	53.6280	RFQ	1308	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）		MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	54-tsop	-	rohs3符合条件			800-M3016316045NX0PTBY			96		非易失性	16mbit	45 ns	内存	1m x 16	平行线	45ns
IS62WVS5128FBLL-20NLI-TR	3.5832	RFQ	9892	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		sram-同步	2.2v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS62WVS5128FBLL-20NLI-TR			3,000	20 MHz	易挥发的	4Mbit	25 ns	SRAM	512k x 8	Spi -Quad I/O，SDI	-
IDT71V424L12PH8	-	RFQ	6543	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IDT71V424	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V424L12PH8	3A991B2A	8542.32.0041	1,500		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	512k x 8	平行线	12ns
110756	-	RFQ	5790	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-					-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的		1,000
A7545684-C	125.0000	RFQ	2844	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A7545684-C	Ear99	8473.30.5100	1
CY7C1523AV18-200BZC	-	RFQ	5344	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1523	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	200 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
MR25H128APDFR	7.3200	RFQ	8547	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				MR25H128				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	4,000
UPD46365184BF1-E33Y-EQ1-A	60.1500	RFQ	113	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1
MT53E4DADT-DC TR	22.5000	RFQ	4253	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				MT53E4				-	rohs3符合条件		到达不受影响	557-MT53E4DADT-DCTR			2,000
W29N01HWDINF	-	RFQ	5730	Winbond电子产品	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	W29N01	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	48-VFBGA （8x6.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W29N01HWDINF	3A991B1A	8542.32.0071	260		非易失性	1Gbit	25 ns	闪光	128m x 8	平行线	25ns
C-1066D3QRLPR/16G	51.2500	RFQ	3321	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-C-1066D3QRLPR/16G	Ear99	8473.30.5100	1
BR24H64FJ-5ACE2	0.7500	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		EEPROM	1.7V〜5.5V	8-SOP-J	下载		3（168））	到达不受影响				2,500	1 MHz	非易失性	64kbit		EEPROM	8k x 8	i²c	3.5ms
S26361-F3909-E615-C	93.7500	RFQ	6520	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-S26361-F3909-E615-C	Ear99	8473.30.5100	1
W25Q64FWZPBQ	-	RFQ	7810	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25Q64	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-wson（6x5）	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q64FWZPBQ	过时的		1	104 MHz	非易失性	64mbit	6 ns	闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	60µs，5ms
CG6882AM	-	RFQ	1520	赛普拉斯半导体公司	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
CY7C1041BN-15ZXIT	-	RFQ	9207	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY7C1041	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	256K x 16	平行线	15ns
CY7C1413AV18-200BZC	44.8600	RFQ	100	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1413	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	7	200 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	2m x 18	平行线	-	未行业行业经验证
C-160D3N/8G-TAA	68.7500	RFQ	7679	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-C-160D3N/8G-TAA	Ear99	8473.30.5100	1
501538-001-C	51.2500	RFQ	5446	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-501538-001-C	Ear99	8473.30.5100	1
IDT71V3559SA85BQI8	-	RFQ	5415	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IDT71V3559	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V3559SA85BQI8	3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	4.5mbit	8.5 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
N04L163WC2AT27I	-	RFQ	2591	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定				1
4x70G88316-C	73.5000	RFQ	6173	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-4X70G88316-C	Ear99	8473.30.5100	1
CY7C1568V18-400BZXC	-	RFQ	4359	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1568	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	5（48）（48））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	400 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
NDL26PFI-8KET	6.4500	RFQ	2743	Insignis Technology Corporation	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-fbga（7.5x13）	-				1982-NDL26PFI-8KET			1,500	800 MHz	易挥发的	2Gbit		德拉姆	128m x 16	平行线	-
7025S45J8	-	RFQ	8039	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	84-LCC（j-lead）	7025S45	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	84-PLCC （29.31x29.31）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	200		易挥发的	128kbit	45 ns	SRAM	8k x 16	平行线	45ns
CY7C0851AV-167AXC	-	RFQ	6452	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	176-LQFP	CY7C0851	sram-双端口，同步	3.135V〜3.465V	176-TQFP（24x24）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	40	167 MHz	易挥发的	2Mbit		SRAM	64k x 36	平行线	-
W25N512GWBIT	-	RFQ	7410	Winbond电子产品	Spiflash®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	W25N512	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25N512GWBIT	3A991B1A	8542.32.0071	480	104 MHz	非易失性	512Mbit	7 ns	闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O。	700µs
IS49NLC18160A-25EWBL	29.0237	RFQ	5461	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC18160	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49NLC18160A-25EWBL			104	400 MHz	易挥发的	288Mbit	15 ns	德拉姆	16m x 18	HSTL	-
MT62F2G64D8EK-023 AUT：c	145.4250	RFQ	8853	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT62F2G64D8EK-023AUT：c			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²