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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面 sic可编程
GD25WD20EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD20EIGR 0.2865
RFQ
ECAD 4817 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25WD 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜3.6V 8-uson(3x2) 下载 1970-GD25WD20EEIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 6 ns 闪光 256K x 8 spi-双i/o 100µs,6ms
NDD36PT6-2AIT Insignis Technology Corporation NDD36PT6-2AIT 2.5561
RFQ
ECAD 2497 0.00000000 Insignis Technology Corporation NDD36P 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 1982-ND36PT6-2AIT 108 200 MHz 易挥发的 256Mbit 700 ps 德拉姆 16m x 16 sstl_2 15ns
MX25L51245GMJ-10G Macronix MX25L51245GMJ-10G 5.8558
RFQ
ECAD 6605 0.00000000 大元 MXSMIO™ 管子 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 16 SOP - 3(168)) 1092-MX25L51245GMJ-10G 44 104 MHz 非易失性 512Mbit 5.5 ns 闪光 128m x 4,256m x 2,512m x 1 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 4ms
IS46LQ32128A-062TBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32128A-062TBLA2-TR -
RFQ
ECAD 7573 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 200-tfbga(10x14.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46LQ32128A-062TBLA2-TR 2,500 1.6 GHz 易挥发的 4Gbit 3.5 ns 德拉姆 128m x 32 lvstl 18NS
70824L35PFI8 Renesas Electronics America Inc 70824L35PFI8 -
RFQ
ECAD 8152 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 80-LQFP SRAM 4.5V〜5.5V 80-TQFP(14x14) - 800-70824L35PFI8TR 1 25 MHz 易挥发的 64kbit 35 ns SRAM 4K x 16 平行线 35ns
S70GL02GP11FAIR20 Cypress Semiconductor Corp S70GL02GP11FAIR20 52.8700
RFQ
ECAD 19 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 gl-p 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-LBGA S70GL02 闪光灯 -也不 3v〜3.6V 64-FBGA(11x13) 下载 rohs3符合条件 2832-S70GL02GP11FAIR20 3A991B1A 8542.32.0071 10 非易失性 2Gbit 110 ns 闪光 256m x 8,128m x 16 平行线 -
K9F8008WOM-TCB Samsung Semiconductor, Inc. K9F8008WOM-TCB 0.7500
RFQ
ECAD 27 0.00000000 三星半导体公司 - 托盘 积极的 0°C〜70°C 表面安装 Flash -nand(slc) 2.7V〜5.5V 48-TSOP - 3277-K9F8008WOM-TCB Ear99 8542.32.0071 480 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 平行线 未行业行业经验证
SM671PADLBFSS Silicon Motion, Inc. SM671PADLBFSS 47.2800
RFQ
ECAD 7742 0.00000000 硅运动,Inc。 - 大部分 积极的 - rohs3符合条件 1984-SM671PADLBFSS 1
MX25S6473FM2I42 Macronix MX25S6473FM2I42 1.5504
RFQ
ECAD 5208 0.00000000 大元 - 管子 积极的 - 3(168)) 1092-MX25S6473FM2I42 92
MT53E768M32D4DT-053 AAT:E Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-053 AAT:e 29.2650
RFQ
ECAD 3286 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 200-VFBGA MT53E768 sdram- lpddr4 1.1V 200-VFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT53E768M32D4DT-053AAT:e Ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 易挥发的 24Gbit 德拉姆 768m x 32 - -
MX25V80066ZNI02 Macronix MX25V80066ZNI02 0.3805
RFQ
ECAD 8839 0.00000000 大元 MXSMIO™ 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 2.3v〜3.6V 8-wson(6x5) - 3(168)) 1092-MX25V80066ZNI02 570 80 MHz 非易失性 8mbit 8 ns 闪光 4m x 2,8m x 1 spi 200µs,5ms
W25Q81EWXHAE Winbond Electronics W25Q81EWXHAE -
RFQ
ECAD 1157 0.00000000 Winbond电子产品 Spiflash® 管子 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 W25Q81 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 8-xson(2x3) - 3(168)) 到达不受影响 256-W25Q81EWXHAE 1 104 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 -
S80KS2563GABHV023 Infineon Technologies S80KS2563GABHV023 11.1650
RFQ
ECAD 6336 0.00000000 Infineon技术 HyperRAM™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-vbga PSRAM (伪 SRAM) 1.7V〜2V 24-fbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 200 MHz 易挥发的 256Mbit 35 ns PSRAM 32m x 8 spi -octal I/o 35ns
S27KL0643GABHI020 Infineon Technologies S27KL0643GABHI020 4.2525
RFQ
ECAD 7973 0.00000000 Infineon技术 HyperRAM™KL 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-vbga PSRAM (伪 SRAM) 2.7V〜3.6V 24-fbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3A991B2 8542.32.0041 3,380 200 MHz 易挥发的 64mbit 35 ns PSRAM 8m x 8 spi -octal I/o 35ns
MTFC4GLWDM-4M AAT A TR Micron Technology Inc. mtfc4glwdm-4m aat a tr 11.0850
RFQ
ECAD 8067 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 mtfc4 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 mtfc4glwdm-4maatatr 0000.00.0000 2,000
7130SA20PF Renesas Electronics America Inc 7130SA20PF -
RFQ
ECAD 7959 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 64-LQFP 7130SA sram-双端口,异步 4.5V〜5.5V 64-TQFP (14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 45 易挥发的 8kbit 20 ns SRAM 1k x 8 平行线 20NS
IS42S81600F-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S81600F-6TLI-TR 2.6967
RFQ
ECAD 8511 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S81600 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 8 平行线 -
CAT25C128V-TE13 onsemi CAT25C128V-TE13 0.1400
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Onmi * 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) CAT25C128 EEPROM 2.5V〜6V 8-SOIC - Rohs不合规 供应商不确定 2156-CAT25C128V-TE13-488 Ear99 8542.32.0071 1 5 MHz 非易失性 128kbit 80 ns EEPROM 16k x 8 spi 5ms
7140SA25J Renesas Electronics America Inc 7140SA25J -
RFQ
ECAD 9778 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 52-lcc(j-lead) 7140SA sram-双端口,异步 4.5V〜5.5V 52-PLCC (19.13x19.13) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 24 易挥发的 8kbit 25 ns SRAM 1k x 8 平行线 25ns
71V67703S85BGG Renesas Electronics America Inc 71V67703S85BGG 28.7073
RFQ
ECAD 7749 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 119-BGA 71v67703 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 119-PBGA(14x22) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 84 87 MHz 易挥发的 9Mbit 8.5 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
MTFC256GAXAUEA-WT TR Micron Technology Inc. mtfc256gaxauea-wt tr 27.5700
RFQ
ECAD 9228 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -25°C〜85°C 表面安装 153-WFBGA Flash -nand(slc) - 153-WFBGA(11.5x13) - 557-MTFC256GAXAUEA-WTTR 2,000 非易失性 2Tbit 闪光 256g x 8 UFS -
70V05S15PFG Renesas Electronics America Inc 70V05S15PFG -
RFQ
ECAD 7329 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 64-LQFP 70V05S sram-双端口,异步 3v〜3.6V 64-TQFP (14x14) - 800-70V05S15PFG 过时的 1 易挥发的 64kbit 15 ns SRAM 8k x 8 平行线 15ns
S29GL01GT10FAI030 Cypress Semiconductor Corp S29GL01GT10FAI030 19.6700
RFQ
ECAD 160 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 汽车,AEC-Q100,GL-T 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-LBGA S29GL01 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64-FBGA(13x11) 下载 Rohs不合规 不适用 供应商不确定 2832-S29GL01GT10FAI030 3A991B1A 8542.32.0070 26 非易失性 1Gbit 100 ns 闪光 128m x 8 平行线 60ns 未行业行业经验证
7111372-C ProLabs 7111372-C 111.2500
RFQ
ECAD 1779年 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-7111372-C Ear99 8473.30.5100 1
UPD44165362BF5-E40-EQ3 Renesas Electronics America Inc UPD44165362BF5-E40-EQ3 37.1700
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1
03X3816-C ProLabs 03x3816-C 62.5000
RFQ
ECAD 2029 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-03X3816-C Ear99 8473.30.5100 1
70V06L12PFI8 Renesas Electronics America Inc 70V06L12PFI8 -
RFQ
ECAD 8655 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-LQFP sram-双端口,异步 3v〜3.6V 64-TQFP (14x14) - 800-70V06L12PFI8TR 1 易挥发的 128kbit 12 ns SRAM 16k x 8 平行线 12ns
GD25LB512MEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512Mefirr 4.5486
RFQ
ECAD 3154 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LB 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪存-SLC) 1.65V〜2V 16 SOP 下载 1970-GD25LB512Mefirrtr 1,000 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr -
IS43TR16640ED-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640ED-15HBLI 5.8300
RFQ
ECAD 6587 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) - rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43TR16640ED-15HBLI 190 667 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 64m x 16 SSTL_15 15ns
141J4AT-C ProLabs 141J4AT-C 72.0000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-141J4AT-C Ear99 8473.30.5100 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库