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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | GD25WD20EIGR | 0.2865 | ![]() | 4817 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25WD | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜3.6V | 8-uson(3x2) | 下载 | 1970-GD25WD20EEIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 6 ns | 闪光 | 256K x 8 | spi-双i/o | 100µs,6ms | ||||||||
![]() | NDD36PT6-2AIT | 2.5561 | ![]() | 2497 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDD36P | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 1982-ND36PT6-2AIT | 108 | 200 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 16m x 16 | sstl_2 | 15ns | ||||||
MX25L51245GMJ-10G | 5.8558 | ![]() | 6605 | 0.00000000 | 大元 | MXSMIO™ | 管子 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 16 SOP | - | 3(168)) | 1092-MX25L51245GMJ-10G | 44 | 104 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 5.5 ns | 闪光 | 128m x 4,256m x 2,512m x 1 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 4ms | ||||||||
![]() | IS46LQ32128A-062TBLA2-TR | - | ![]() | 7573 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4 | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-tfbga(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46LQ32128A-062TBLA2-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 128m x 32 | lvstl | 18NS | ||||||
![]() | 70824L35PFI8 | - | ![]() | 8152 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 80-LQFP | SRAM | 4.5V〜5.5V | 80-TQFP(14x14) | - | 800-70824L35PFI8TR | 1 | 25 MHz | 易挥发的 | 64kbit | 35 ns | SRAM | 4K x 16 | 平行线 | 35ns | ||||||||
S70GL02GP11FAIR20 | 52.8700 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | gl-p | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S70GL02 | 闪光灯 -也不 | 3v〜3.6V | 64-FBGA(11x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-S70GL02GP11FAIR20 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 10 | 非易失性 | 2Gbit | 110 ns | 闪光 | 256m x 8,128m x 16 | 平行线 | - | ||||||
![]() | K9F8008WOM-TCB | 0.7500 | ![]() | 27 | 0.00000000 | 三星半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | Flash -nand(slc) | 2.7V〜5.5V | 48-TSOP | - | 3277-K9F8008WOM-TCB | Ear99 | 8542.32.0071 | 480 | 非易失性 | 8mbit | 闪光 | 1m x 8 | 平行线 | 未行业行业经验证 | |||||||||
![]() | SM671PADLBFSS | 47.2800 | ![]() | 7742 | 0.00000000 | 硅运动,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 1984-SM671PADLBFSS | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MX25S6473FM2I42 | 1.5504 | ![]() | 5208 | 0.00000000 | 大元 | - | 管子 | 积极的 | - | 3(168)) | 1092-MX25S6473FM2I42 | 92 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT53E768M32D4DT-053 AAT:e | 29.2650 | ![]() | 3286 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TC) | 表面安装 | 200-VFBGA | MT53E768 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-VFBGA(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MT53E768M32D4DT-053AAT:e | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 易挥发的 | 24Gbit | 德拉姆 | 768m x 32 | - | - | |||
MX25V80066ZNI02 | 0.3805 | ![]() | 8839 | 0.00000000 | 大元 | MXSMIO™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 2.3v〜3.6V | 8-wson(6x5) | - | 3(168)) | 1092-MX25V80066ZNI02 | 570 | 80 MHz | 非易失性 | 8mbit | 8 ns | 闪光 | 4m x 2,8m x 1 | spi | 200µs,5ms | ||||||||
W25Q81EWXHAE | - | ![]() | 1157 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 管子 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | W25Q81 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜1.95V | 8-xson(2x3) | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25Q81EWXHAE | 1 | 104 MHz | 非易失性 | 8mbit | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||||||
![]() | S80KS2563GABHV023 | 11.1650 | ![]() | 6336 | 0.00000000 | Infineon技术 | HyperRAM™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | PSRAM (伪 SRAM) | 1.7V〜2V | 24-fbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 200 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 35 ns | PSRAM | 32m x 8 | spi -octal I/o | 35ns | ||||||
![]() | S27KL0643GABHI020 | 4.2525 | ![]() | 7973 | 0.00000000 | Infineon技术 | HyperRAM™KL | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | PSRAM (伪 SRAM) | 2.7V〜3.6V | 24-fbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2 | 8542.32.0041 | 3,380 | 200 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 35 ns | PSRAM | 8m x 8 | spi -octal I/o | 35ns | ||||||
![]() | mtfc4glwdm-4m aat a tr | 11.0850 | ![]() | 8067 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | mtfc4 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | mtfc4glwdm-4maatatr | 0000.00.0000 | 2,000 | |||||||||||||||||
![]() | 7130SA20PF | - | ![]() | 7959 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 64-LQFP | 7130SA | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 64-TQFP (14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 45 | 易挥发的 | 8kbit | 20 ns | SRAM | 1k x 8 | 平行线 | 20NS | ||||
![]() | IS42S81600F-6TLI-TR | 2.6967 | ![]() | 8511 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S81600 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 8 | 平行线 | - | |||
CAT25C128V-TE13 | 0.1400 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | CAT25C128 | EEPROM | 2.5V〜6V | 8-SOIC | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-CAT25C128V-TE13-488 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 5 MHz | 非易失性 | 128kbit | 80 ns | EEPROM | 16k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | 7140SA25J | - | ![]() | 9778 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 52-lcc(j-lead) | 7140SA | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 24 | 易挥发的 | 8kbit | 25 ns | SRAM | 1k x 8 | 平行线 | 25ns | ||||
![]() | 71V67703S85BGG | 28.7073 | ![]() | 7749 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71v67703 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 87 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 8.5 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | mtfc256gaxauea-wt tr | 27.5700 | ![]() | 9228 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -25°C〜85°C | 表面安装 | 153-WFBGA | Flash -nand(slc) | - | 153-WFBGA(11.5x13) | - | 557-MTFC256GAXAUEA-WTTR | 2,000 | 非易失性 | 2Tbit | 闪光 | 256g x 8 | UFS | - | ||||||||||
![]() | 70V05S15PFG | - | ![]() | 7329 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 64-LQFP | 70V05S | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 64-TQFP (14x14) | - | 800-70V05S15PFG | 过时的 | 1 | 易挥发的 | 64kbit | 15 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | 15ns | |||||||
![]() | S29GL01GT10FAI030 | 19.6700 | ![]() | 160 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车,AEC-Q100,GL-T | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL01 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 2832-S29GL01GT10FAI030 | 3A991B1A | 8542.32.0070 | 26 | 非易失性 | 1Gbit | 100 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 60ns | 未行业行业经验证 | ||
![]() | 7111372-C | 111.2500 | ![]() | 1779年 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-7111372-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | UPD44165362BF5-E40-EQ3 | 37.1700 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 03x3816-C | 62.5000 | ![]() | 2029 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-03X3816-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 70V06L12PFI8 | - | ![]() | 8655 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LQFP | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 64-TQFP (14x14) | - | 800-70V06L12PFI8TR | 1 | 易挥发的 | 128kbit | 12 ns | SRAM | 16k x 8 | 平行线 | 12ns | |||||||||
![]() | GD25LB512Mefirr | 4.5486 | ![]() | 3154 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LB | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 16 SOP | 下载 | 1970-GD25LB512Mefirrtr | 1,000 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | - | |||||||||
![]() | IS43TR16640ED-15HBLI | 5.8300 | ![]() | 6587 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43TR16640ED-15HBLI | 190 | 667 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | ||||||
![]() | 141J4AT-C | 72.0000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-141J4AT-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 |
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