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69470）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
AT24C64B-10TU-2.7	0.8800	RFQ	3134	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	AT24C64	EEPROM	2.7V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	AT24C64B10TU27	Ear99	8542.32.0051	100	400 kHz	非易失性	64kbit	900 ns	EEPROM	8k x 8	i²c	5ms
71024S12TYGI8	2.9225	RFQ	1432	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71024	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
IS61NLP25672-200B1LI-Tr	-	RFQ	2711	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	209-BGA	IS61NLP25672	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	209-LFBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	256K x 72	平行线	-
M3004316045NX0PBCR	10.5203	RFQ	3983	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	484-BGA		MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	484-cabga （23x23）	-	rohs3符合条件			800-M3004316045NX0PBCRTR			1		非易失性	4Mbit	45 ns	内存	256K x 16	平行线	45ns
7025S35JG	-	RFQ	6692	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	84-LCC（j-lead）	7025S35	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	84-PLCC （29.31x29.31）	-				800-7025S35JG	过时的		1		易挥发的	128kbit	35 ns	SRAM	8k x 16	平行线	35ns
MT48LC8M16A2F4-75：G Tr	-	RFQ	2016	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48LC8M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-VFBGA（8x8）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
AT24C128BW-SH-T	-	RFQ	1826年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT24C128	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,000	1 MHz	非易失性	128kbit	550 ns	EEPROM	16k x 8	i²c	5ms
GD25LF128EQIGR	1.4109	RFQ	5794	gigadevice 半导体（香）	GD25LF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-xdfn暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-uson （4x4）	下载				1970-GD25LF128EQIGRTR			3,000	166 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	-
M36L0R7050T4ZSPE	-	RFQ	3900	微米技术公司	-	托盘	过时的				M36L0R7050				-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,560
70V28L15PFGI8	-	RFQ	8733	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70v28	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	-				800-70V28L15PFGI8TR	过时的		750		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	lvttl	15ns
IDT70T633S10DD	-	RFQ	5263	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	144-LQFP暴露垫	IDT70T633	sram-双端口，异步	2.4v〜2.6V	144-TQFP（20x20）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	70T633S10DD	3A991B2A	8542.32.0041	6		易挥发的	9Mbit	10 ns	SRAM	512k x 18	平行线	10NS
CY7C006A-20AXCT	-	RFQ	6808	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	64-LQFP	CY7C006	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	64-TQFP （14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,500		易挥发的	128kbit	20 ns	SRAM	16k x 8	平行线	20NS
IS42S16800D-75ETLI	-	RFQ	6290	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16800	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	133 MHz	易挥发的	128mbit	6.5 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
93c46-i/j	1.1800	RFQ	5441	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）			93C46	EEPROM	4.5V〜5.5V		下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0051	1	1 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	64 x 16	微线	2ms
25LC640AT-E/MS	0.9200	RFQ	9	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	25LC640	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	10 MHz	非易失性	64kbit		EEPROM	8k x 8	spi	5ms
M29W800DT70N1	-	RFQ	7726	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W800	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	96		非易失性	8mbit	70 ns	闪光	1M x 8，512k x 16	平行线	70NS
MX25U25645GXDR00	-	RFQ	9712	大元	MXSMIO™	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MX25U25645	闪光灯 -也不	1.65V〜2V	24-cspbga（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1092-1273	3A991B1A	8542.32.0071	480	166 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	60µs，750µs
MT40A1G16KH-062E自动：e tr	24.0300	RFQ	8754	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（9x13）	下载				557-MT40A1G16KH-062EAUT：ETR			3,000	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit	19 ns	德拉姆	1G x 16	荚	15ns
S25FL132K0XMFIQ11	-	RFQ	6430	Nexperia USA Inc.	-	大部分	过时的								-				2156-S25FL132K0XMFIQ11			1
71v416ys12phg	-	RFQ	8832	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v416y	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	26		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns
CY62148EV30LL-45ZSXAT	-	RFQ	4413	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	CY62148	sram-异步	2.2v〜3.6V	32-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	512k x 8	平行线	45ns
7006L35J8	-	RFQ	6868	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	7006L35	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-PLCC （24.21x24.21）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	250		易挥发的	128kbit	35 ns	SRAM	16k x 8	平行线	35ns
MT62F512M128D8TE-031 XT：b tr	68.0400	RFQ	3667	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT62F512M128D8TE-031XT：BTR			2,000
CY7C1356A-133AI	14.0800	RFQ	664	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1356	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x20）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	9Mbit	4.2 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
W25M02GWTBIG	-	RFQ	4370	Winbond电子产品	Spiflash®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	W25M02	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	24-tfbga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25M02GWTBIG	3A991B1A	8542.32.0071	480	104 MHz	非易失性	2Gbit	8 ns	闪光	256m x 8	Spi -Quad I/O。	700µs
CY7C1360A1-150AJC	7.0600	RFQ	1	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1360	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	易挥发的	9Mbit	3.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
MTFC128GBCAVTC-AAT ES	60.4800	RFQ	1573年	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MTFC128GBCAVTC-AATE			1
24AA64SC-I/W16K	-	RFQ	6799	微芯片技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	死	24AA64	EEPROM	1.7V〜5.5V	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	400 kHz	非易失性	64kbit	900 ns	EEPROM	8k x 8	i²c	5ms
AS4C64M8D2-25BIN	5.9900	RFQ	21	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	AS4C64	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-1129	Ear99	8542.32.0028	264	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
MT58L32L32FT-10	6.4500	RFQ	49	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT58L32L32	sram-同步	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2B	8542.32.0041	1	66 MHz	易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	32K x 32	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²