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69470）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
R1LV0416CSB-7LI ＃D0	21.3100	RFQ	667	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991	8542.32.0041	1
M10042040054x0pwar	13.8276	RFQ	2427	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	8-vdfn暴露垫	M10042040054	MRAM （磁磁性 RAM）	1.71V〜2V	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	800-M10042040054X0PWARTR	Ear99	8542.32.0071	4,000	54 MHz	非易失性	4Mbit		内存	1m x 4	spi	-
STK12C68-SF45	-	RFQ	5956	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-SOIC （0.342“，8.69mm宽度）	STK12C68	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	125		非易失性	64kbit	45 ns	NVSRAM	8k x 8	平行线	45ns
IS43LR16160H-6BLI	5.3162	RFQ	3927	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA		sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LR16160H-6BLI			300	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
NDQ48PFQ-8NIT	7.9800	RFQ	5104	Insignis Technology Corporation	NDQ48P	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-FBGA（7.5x10.6）	-	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDQ48PFQ-8NIT			242	1.2 GHz	易挥发的	4Gbit	18 ns	德拉姆	512m x 8	荚	15ns
S25FL128SAGBHV200	-	RFQ	5239	赛普拉斯半导体公司	fl-s	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FL128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-bga（8x6）	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2832-S25FL128SAGBHV200			1	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	-	未行业行业经验证
71V547S100PFG	7.1841	RFQ	5537	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v547	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72		易挥发的	4.5mbit	10 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
24LC02BHT-E/ST	0.4350	RFQ	7686	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	24LC02BH	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
MT60B2G8HB-48B：a	16.5750	RFQ	4524	微米技术公司	-	盒子	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	82-VFBGA		SDRAM -DDR5	-	82-vfbga（9x11）	-				557-MT60B2G8HB-48B：a			1	2.4 GHz	易挥发的	16Gbit	16 ns	德拉姆	2G x 8	平行线	-
71016S15PHI	-	RFQ	9649	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71016	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-TSOP II	-	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
670034-001-C	24.5000	RFQ	8024	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-670034-001-C	Ear99	8473.30.5100	1
S-24C128CI-J8T1U3	0.4993	RFQ	8850	Ablic Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	S-24C128	EEPROM	1.6V〜5.5V	8-sop	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.32.0051	4,000	400 kHz	非易失性	128kbit	900 ns	EEPROM	16k x 8	i²c	5ms
MEM3800-64U512CF-C	85.0000	RFQ	19	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-MEM3800-64U512CF-C	Ear99	8473.30.9100	1
MT53E1536M32D4DE-046 AIT：b	44.2350	RFQ	8780	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E1536M32D4DE-046AIT：b			1	2.133 GHz	易挥发的	48Gbit	3.5 ns	德拉姆	1.5GX 32	平行线	18NS
GD25LB512MEF2RR	7.0523	RFQ	3698	gigadevice 半导体（香）	GD25LB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪存-SLC）	1.65V〜2V	16 SOP	-				1970-GD25LB512MEF2RRTR			1,000	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	-
GD25LR128SIGR	1.6523	RFQ	7709	gigadevice 半导体（香）	GD25LR	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-sop	-				1970-GD25LR128ESIGRTR			2,000	200 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	-
CAT25C08LGI-26736	0.1400	RFQ	7	Onmi	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	CAT25C08	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-pdip	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-CAT25C08LGI-26736-488	Ear99	8542.32.0071	1	10 MHz	非易失性	8kbit	40 ns	EEPROM	1k x 8	spi	5ms
AT25040A-10TI-1.8	-	RFQ	5537	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	AT25040	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	20 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8	spi	5ms
MX25V40066ZUI02	0.3326	RFQ	4257	大元	MXSMIO™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫		闪存-SLC）	2.3v〜3.6V	8-uson（2x3）	-		3（168））		1092-MX25V40066ZUI02TR			12,000	80 MHz	非易失性	4Mbit	8 ns	闪光	2m x 2，4m x 1	spi	200µs，5ms
872970-001-C	162.0000	RFQ	8985	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-872970-001-C	Ear99	8473.30.5100	1
S25FL164K0XBHIS20	-	RFQ	2502	赛普拉斯半导体公司	fl1-k	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FL164	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-bga（8x6）	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2166-S25FL164K0XBHIS20-428			1	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms	未行业行业经验证
IS42VM16200C-75BLI-Tr	-	RFQ	8564	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42VM16200	sdram-移动	1.7V〜1.95V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	133 MHz	易挥发的	32Mbit	6 ns	德拉姆	2m x 16	平行线	-
IS42S83200B-6TLI-TR	-	RFQ	9552	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S83200	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 8	平行线	-
CY7C026AV-25AI	-	RFQ	1177	赛普拉斯半导体公司	-	包	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C026	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规				Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	25 ns	SRAM	16k x 16	平行线	25ns	未行业行业经验证
CY7C144-25AXC	16.0700	RFQ	132	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	64-LQFP	CY7C144	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	64-TQFP （14x14）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.32.0041	19		易挥发的	64kbit	25 ns	SRAM	8k x 8	平行线	25ns	未行业行业经验证
CYDD18S36V18-200BBXC	-	RFQ	4874	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	256-LBGA	cydd	sram-双端口，同步	1.42V〜1.58V，1.7V〜1.9V	256-FBGA（17x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	84	200 MHz	易挥发的	18mbit	500 ps	SRAM	256K x 36 x 2（DDR）	平行线	-
70T3599S133DR	-	RFQ	1904年	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	208-BFQFP	70T3599	sram-双端口，同步	2.4v〜2.6V	208-PQFP（28x28）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	6	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
370-20147-C	37.0000	RFQ	9002	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-370-20147-C	Ear99	8473.30.5100	1
R1RP0416DSB-2LR ＃S1	4.4187	RFQ	3944	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	4.5V〜5.5V	44-TSOP II	-	rohs3符合条件	3（168））		559-R1RP0416DSB-2LR ＃S1TR			1		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns
IS46LQ32640A-062BLA2	-	RFQ	4944	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ32640A-062BLA2			136	1.6 GHz	易挥发的	2Gbit		德拉姆	64m x 32	lvstl	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²