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69470）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
UPD44165362BF5-E40-EQ3	37.1700	RFQ	17	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1
03x3816-C	62.5000	RFQ	2029	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-03X3816-C	Ear99	8473.30.5100	1
70V06L12PFI8	-	RFQ	8655	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LQFP		sram-双端口，异步	3v〜3.6V	64-TQFP （14x14）	-				800-70V06L12PFI8TR			1		易挥发的	128kbit	12 ns	SRAM	16k x 8	平行线	12ns
GD25LB512Mefirr	4.5486	RFQ	3154	gigadevice 半导体（香）	GD25LB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪存-SLC）	1.65V〜2V	16 SOP	下载				1970-GD25LB512Mefirrtr			1,000	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	-
IS43TR16640ED-15HBLI	5.8300	RFQ	6587	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR16640ED-15HBLI			190	667 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	SSTL_15	15ns
141J4AT-C	72.0000	RFQ	3	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-141J4AT-C	Ear99	8473.30.5100	1
NAND128W3A0AN6	-	RFQ	9416	Stmicroelectronics	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	Nand128	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	128mbit	50 ns	闪光	16m x 8	平行线	50ns
71421SA25PFI	-	RFQ	5563	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LQFP		sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	64-TQFP （14x14）	-				800-71421SA25PFI			1		易挥发的	16kbit	25 ns	SRAM	2k x 8	平行线	25ns
CY14ME064J1A-SXI	3.9000	RFQ	476	赛普拉斯半导体公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CY14ME064	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	77	3.4 MHz	非易失性	64kbit		NVSRAM	8k x 8	i²c	-	未行业行业经验证
MT53E1G64D4HJ-046 wt：a tr	47.4300	RFQ	9577	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT53E1G64D4HJ-046WT：ATR			2,000
MX25V5126FM1I	0.2800	RFQ	24	大元	MXSMIO™	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MX25V5126	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1092-MX25V5126FM1I	Ear99	8542.32.0071	98	80 MHz	非易失性	512kbit		闪光	64k x 8	spi-双i/o	50µs，10ms
S99PL127J0180	-	RFQ	5812	Infineon技术	-	托盘	过时的								-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
5962-8700219UA	-	RFQ	2449	Renesas Electronics America Inc	-	管子	上次购买	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	48-LCC		sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	48-LCC （14.22x14.22）	-				800-5962-8700219UA			1		易挥发的	16kbit	25 ns	SRAM	2k x 8	平行线	25ns
CY15B064Q-SXE	-	RFQ	6734	赛普拉斯半导体公司	汽车，AEC-Q100，F-RAM™	管子	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CY15B064	fram （铁电 ram）	3v〜3.6V	8-SOIC	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2832-CY15B064Q-SXE			1	16 MHz	非易失性	64kbit		框架	8k x 8	spi	-	未行业行业经验证
SM662GEB最好	17.8500	RFQ	5	硅运动，Inc。	Ferri-Emmc®	托盘	积极的	-	表面安装	100-LBGA		Flash -nand（tlc）	-	100-BGA （14x18）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1984-SM662GEBBEST	3A991B1A	8542.32.0071	980		非易失性	-		闪光		EMMC	-
MX25L2006EZUI-12G	0.5500	RFQ	10	大元	MX25XXX05/06/08	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	MX25L2006	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-uson（2x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	12,000	86 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	spi	50µs，3ms
STK14CA8-RF45TR	-	RFQ	2434	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-bessop（0.295英寸，7.50mm宽度）	STK14CA8	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-SSOP	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		非易失性	1Mbit	45 ns	NVSRAM	128K x 8	平行线	45ns
24FC04HT-I/MS	0.3450	RFQ	2119	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	24FC04	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	1 MHz	非易失性	4Kbit	450 ns	EEPROM	256 x 8 x 2	i²c	5ms
70v9169l6pf8	-	RFQ	6799	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70v9169	sram-双端口，同步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	750		易挥发的	144kbit	6.5 ns	SRAM	16k x 9	平行线	-
W25Q80EWZPAG	-	RFQ	6798	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25Q80	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-wson（6x5）	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q80EWZPAG	过时的		1	104 MHz	非易失性	8mbit	6 ns	闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O。	30µs，800µs
CY7C245-35LMB	22.3000	RFQ	50	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TA）			CY7C245	EPROM -UV	4.5V〜5.5V		下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A001A2C	8542.32.0071	1		非易失性	16kbit	35 ns	EPROM	2k x 8	平行线	-
MT55L512L18FF-11	8.9300	RFQ	1825年	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	MT55L512L	sram-同步，ZBT	3.135V〜3.465V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	90 MHz	易挥发的	8mbit	8.5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
EM004LXQBDH13CS1T	15.2500	RFQ	1233	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM004LXQBDH13CS1T			570	200 MHz	非易失性	4Mbit	7 ns	内存	512k x 8	Spi -Quad I/O。	-
4x70P26062-C	93.7500	RFQ	3578	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-4X70P26062-C	Ear99	8473.30.5100	1
MT47H128M8CF-25E IT：h tr	-	RFQ	1126	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	60-TFBGA	MT47H128M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
MP2666RC/32G-C	130.0000	RFQ	2763	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-MP2666RC/32G-C	Ear99	8473.30.5100	1
CY7C1513JV18-300BZXC	-	RFQ	6003	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1513	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	300 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
K6X4008C1F-MF55T00	4.8000	RFQ	52	三星半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装			sram-异步	4.5V〜5.5V	32-tsop反向	-				3277-K6X4008C1F-MF55T00TR	Ear99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit		SRAM	512k x 8	平行线	55ns	未行业行业经验证
S29PL127J70TFI080	12.0300	RFQ	182	Infineon技术	PL-J	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S29PL127	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	182		非易失性	128mbit	70 ns	闪光	8m x 16	平行线	70NS
IS25LX512M-LHLE	9.3700	RFQ	1158	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA		闪光	2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25LX512M-LHLE			480	133 MHz	非易失性	512Mbit	6 ns	闪光	64m x 8	spi -octal I/o	1.8ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²