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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | MT41K512M8DA-107 IT:p tr | 5.7000 | ![]() | 9214 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA(8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MT41K512M8DA-107IT:PTR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | AT27C080-90TU | - | ![]() | 3756 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) | AT27C080 | EPROM -OTP | 4.5V〜5.5V | 32-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1B1 | 8542.32.0061 | 156 | 非易失性 | 8mbit | 90 ns | EPROM | 1m x 8 | 平行线 | - | ||||
AT34C02B-10TU-1.7 | 0.3300 | ![]() | 95 | 0.00000000 | atmel | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | AT34C02 | EEPROM | 1.7v〜3.6V | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 非易失性 | 2kbit | 900 ns | EEPROM | 256 x 8 | i²c | 5ms | ||||||
FM93C66ALMT8X | 0.3000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | 93c66a | EEPROM | 2.7V〜5.5V | 8-tssop | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 250 kHz | 非易失性 | 4Kbit | EEPROM | 512 x 8,256 x 16 | 微线 | 15ms | |||||
![]() | AT45DB321C-TU | - | ![]() | 1983 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | AT45DB321 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 28-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 234 | 40 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 528 x 8192页 | spi | 15ms | ||||
![]() | CYD18S18V18-200BBAXI | - | ![]() | 7945 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 256-LBGA | CYD18S18 | sram-双端口,同步 | 1.42V〜1.58V,1.7V〜1.9V | 256-FBGA(17x17) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 90 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.3 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | mtfc128gaoanam-wt | - | ![]() | 4466 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 在sic中停产 | MTFC128 | - | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1,520 | ||||||||||||||||||||
70V3319S166BF | 244.5048 | ![]() | 5845 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 208-LFBGA | 70v3319 | sram-双端口,同步 | 3.15V〜3.45V | 208-cabga(15x15) | 下载 | Rohs不合规 | 4 (72小时) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | 166 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 3.6 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | ||||
![]() | 71T75602S133BGGI | 43.1361 | ![]() | 9161 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 上次购买 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71T75602 | sram-同步,SDR(ZBT) | 2.375V〜2.625V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 133 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 4.2 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | S25FL256SAGBHI310 | - | ![]() | 5995 | 0.00000000 | 跨度 | fl-s | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | S25FL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-bga(8x6) | 下载 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||||||
![]() | AA075845-C | 56.0000 | ![]() | 9568 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-AA075845-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | STK14C88-5L35M | - | ![]() | 7215 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-STK14C88-5L35M-428 | 3A001A2C | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S25FL127SABBHIC00Y | 1.6700 | ![]() | 5266 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl-s | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | S25FL127 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-bga(8x6) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 108 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||
![]() | AT25SF641B-SHB-B | 0.7773 | ![]() | 6537 | 0.00000000 | Renesas电子运营服务有限公司 | - | 管子 | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1695-AT25SF641B-SHB-B | 90 | 104 MHz | 非易失性 | 64mbit | 7 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs,30ms | ||||||
![]() | AT24CS02-MAHM-E | - | ![]() | 8697 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-UFDFN暴露垫 | AT24CS02 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-udfn(2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 15,000 | 1 MHz | 非易失性 | 2kbit | 550 ns | EEPROM | 256 x 8 | i²c | 5ms | |||
S25FL256LDPBHV023 | 5.3200 | ![]() | 8841 | 0.00000000 | Infineon技术 | fl-l | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | S25FL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-bga(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 66 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | |||||
![]() | 43RCLNA1116-1 | - | ![]() | 7862 | 0.00000000 | IBM | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||
S29GL01GS11DHA023 | 16.2400 | ![]() | 8765 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL01 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(9x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,200 | 非易失性 | 1Gbit | 110 ns | 闪光 | 128m x 8 | CFI | 60ns | ||||||
![]() | CYATB108LD-ZS45XI | - | ![]() | 5387 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 非易失性 | 8mbit | 45 ns | NVSRAM | 1m x 8 | 平行线 | 45ns | |||||
![]() | W63AH6NBVABE TR | 4.1409 | ![]() | 6845 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -25°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 178-VFBGA | W63AH6 | sdram- lpddr3 | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | 178-VFBGA (11x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W63AH6NBVABETR | Ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 800 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | HSUL_12 | 15ns | ||
![]() | CY7C024-15AXC | - | ![]() | 7424 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C024 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 90 | 易挥发的 | 64kbit | 15 ns | SRAM | 4K x 16 | 平行线 | 15ns | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | NM93C56M8 | - | ![]() | 7759 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 93C56 | EEPROM | 4.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 95 | 1 MHz | 非易失性 | 2kbit | EEPROM | 128 x 16 | 微线 | 10ms | ||||
![]() | FM25L16B-DG | - | ![]() | 1801年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | F-RAM™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | FM25L16 | fram (铁电 ram) | 2.7V〜3.6V | 8-DFN(4x4.5) | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0070 | 148 | 20 MHz | 非易失性 | 16kbit | 框架 | 2k x 8 | spi | - | 未行业行业经验证 | |||
![]() | CT8G3ERSLS4160B-C | 36.2500 | ![]() | 9019 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-CT8G3ERSLS4160B-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MB85RS2MTAPNF-G-AWE2 | 5.2505 | ![]() | 1387 | 0.00000000 | Kaga Fei America,Inc。 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MB85RS2 | fram (铁电 ram) | 1.7v〜3.6V | 8-sop | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 865-MB85RS2MTAPNF-G-AWE2TR | Ear99 | 8542.32.0071 | 85 | 40 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 9 ns | 框架 | 256K x 8 | spi | 400µs | |||
PF38F4050M0Y3CFA | - | ![]() | 2645 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 107-TFBGA,CSPBGA | 38F4050M0 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 107-FLASH SCSP | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 96 ns | 闪光 | 16m x 16 | 平行线 | 96ns | ||||
![]() | CY7C164-15PC | 1.8500 | ![]() | 1911 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 22 浸(0.300英寸,7.62mm) | CY7C164 | sram-同步 | 4.5V〜5.5V | 22-pdip | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 64kbit | 15 ns | SRAM | 16k x 4 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | 24AA64SC-I/WF16K | - | ![]() | 3250 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 死 | 24AA64 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 400 kHz | 非易失性 | 64kbit | 900 ns | EEPROM | 8k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | W25Q128FVCBQ | - | ![]() | 9236 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | * | 管子 | 过时的 | 表面安装 | 24-TBGA | W25Q128 | 24-tfbga(6x8) | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25Q128FVCBQ | 过时的 | 1 | |||||||||||||||
![]() | IDT71V3558XS133PFG | - | ![]() | 3584 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IDT71V3558 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | 71V3558XS133PFG | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 4.2 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - |
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