RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

69470）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
CAT93C86WI-G	0.2500	RFQ	2	Onmi	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	-				2156-CAT93C86WI-G			1,202	3 MHz	非易失性	16kbit	100 ns	EEPROM	1k x 16，2k x 8	微线	-
R1LV0816ASA-5SI ＃SK	24.2800	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991	8542.32.0041	1,000
W71NW20GD3GW	-	RFQ	2478	Winbond电子产品	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	-	-	W71NW20	flash -nand，dram -lpddr	1.7V〜1.95V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W71NW20GD3GW			136		非易失性，挥发性	2GBIT（NAND），1GBIT（lpddr）		闪光，ram	-	-	-
CY14B256L-SZ35XC	10.5500	RFQ	1	赛普拉斯半导体公司	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.295（7.50mm）	CY14B256	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	32-Soic	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.32.0041	29		非易失性	256kbit	35 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	35ns	未行业行业经验证
GS81302DT37GE-450I	243.5230	RFQ	7991	GSI Technology Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜100°C（TJ）	表面安装	165-LBGA	GS81302DT37	sram-四边形端口，同步	1.7V〜1.9V	165-FPBGA（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2364-GS81302DT37GE-450I	3A991B2B	8542.32.0041	10	450 MHz	易挥发的	144Mbit		SRAM	4m x 36	平行线	-
S25FL129P0XNFI010	-	RFQ	8925	Infineon技术	fl-p	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-udfn裸露的垫子	S25FL129	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-uson（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	338	104 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	5µs，3ms
7130LA35C	87.2408	RFQ	8253	Renesas Electronics America Inc	-	管子	上次购买	0°C〜70°C（TA）	通过洞	48 浸（0.600英寸，15.24毫米）	7130LA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	48侧铜	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	8		易挥发的	8kbit	35 ns	SRAM	1k x 8	平行线	35ns
CY7C1021CV26-15VXE	-	RFQ	6134	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	CY7C1021	sram-异步	2.5v〜2.7V	44-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-CY7C1021CV26	3A991B2B	8542.32.0041	17		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
CY7C1480BV33-167AXC	129.4200	RFQ	229	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1480	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	72	167 MHz	易挥发的	72Mbit	3.4 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-	未行业行业经验证
S29GL032N90FFIS30	-	RFQ	7110	Infineon技术	GL-N	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL032	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	136		非易失性	32Mbit	90 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线	90NS
AS7C4098A-12TCN	5.8900	RFQ	135	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	AS7C4098	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-1073	3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns
S29GL512P12TFIV20	12.6700	RFQ	8657	赛普拉斯半导体公司	gl-p	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S29GL512	闪光灯 -也不	1.65V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件			2832-S29GL512P12TFIV20	3A991B1A	8542.32.0071	91		非易失性	512Mbit	120 ns	闪光	32m x 16	平行线	120ns
7006L17G	-	RFQ	1925年	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	68-BPGA	7006L17	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-PGA （29.46x29.46）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	3		易挥发的	128kbit	17 ns	SRAM	16k x 8	平行线	17ns
5962-9459903MYA	-	RFQ	8139	赛普拉斯半导体公司	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	28-LCC	5962-9459903	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	28-LCC （13.97x8.89）	下载	Rohs不合规				3A001A2C	8542.32.0041	1		非易失性	64kbit	35 ns	NVSRAM	8k x 8	平行线	35ns	未行业行业经验证
S70FL01GSDSBHMC13	20.9475	RFQ	3428	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，fl-s	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S70FL01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-bga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	80 MHz	非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O。	-
M58LT128KST8ZA6E	-	RFQ	2815	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	M58LT128	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	64-TBGA（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	136	52 MHz	非易失性	128mbit	85 ns	闪光	8m x 16	平行线	85ns
S-585AABCCC-A8T5U4	1.5000	RFQ	8787	Ablic Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件			1662-S-585AABCCC-A8T5U4TR			4,000
CY7C028V-25ACKJ	49.4600	RFQ	253	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C028	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	25 ns	SRAM	64k x 16	平行线	25ns
24AA16H-i/ms	0.4350	RFQ	7016	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	24AA16	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	400 kHz	非易失性	16kbit	900 ns	EEPROM	2k x 8	i²c	5ms
AS4C512M8D3-12BCN	-	RFQ	2500	联盟记忆，Inc。	-	托盘	在sic中停产	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	AS4C512	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-FBGA（9x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-1106	Ear99	8542.32.0036	220	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
MT29VZZZAD9FQFSM-046 W.G9K	-	RFQ	3010	微米技术公司	-	托盘	过时的				MT29VZZZAD9				-	rohs3符合条件			557-MT29VZZZAD9FQFSM-046W.G9K	过时的		152
IS42VM16800G-6BLI-TR	-	RFQ	9058	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42VM16800	sdram-移动	1.7V〜1.95V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
MT41K512M8DA-107 IT：p tr	5.7000	RFQ	9214	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K512M8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT41K512M8DA-107IT：PTR	Ear99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
AT27C080-90TU	-	RFQ	3756	微芯片技术	-	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	AT27C080	EPROM -OTP	4.5V〜5.5V	32-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1B1	8542.32.0061	156		非易失性	8mbit	90 ns	EPROM	1m x 8	平行线	-
FM93C66ALMT8X	0.3000	RFQ	50	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	93c66a	EEPROM	2.7V〜5.5V	8-tssop	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	2,500	250 kHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8，256 x 16	微线	15ms
AT45DB321C-TU	-	RFQ	1983	微芯片技术	-	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	AT45DB321	闪光	2.7V〜3.6V	28-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	234	40 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	528 x 8192页	spi	15ms
CYD18S18V18-200BBAXI	-	RFQ	7945	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	256-LBGA	CYD18S18	sram-双端口，同步	1.42V〜1.58V，1.7V〜1.9V	256-FBGA（17x17）	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	90	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.3 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-	未行业行业经验证
mtfc128gaoanam-wt	-	RFQ	4466	微米技术公司	-	盒子	在sic中停产				MTFC128				-			到达不受影响			0000.00.0000	1,520
71T75602S133BGGI	43.1361	RFQ	9161	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71T75602	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	119-PBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	84	133 MHz	易挥发的	18mbit	4.2 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
S25FL256SAGBHI310	-	RFQ	5995	跨度	fl-s	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FL256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-bga（8x6）	下载					3A991B1A	8542.32.0071	1	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O。	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²