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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
MCP14E6-E/SN	2.3100	RFQ	178	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14E6	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCP14E6ESN	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	2a，2a	12n，15ns
EL7457CU-T7	-	RFQ	4948	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16ssop （0.154英寸，宽度为3.90mm）	EL7457	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-qsop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	高方面或低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	13.5ns，13ns
tps2815p	1.6560	RFQ	8495	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TPS2815	反转	未行业行业经验证	4V〜14V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，15ns
IR2108pbf	-	RFQ	5247	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2108	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
NCV5104DR2G	2.4500	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NCV5104	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.3V	250mA，500mA	85ns，35ns	600 v
MIC4469ZWM-TR	3.8300	RFQ	1835年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MIC4469	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	14ns，13ns
max15018aasa+t	-	RFQ	2281	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max15018	不转变	未行业行业经验证	8v〜12.6V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	3a，3a	50n，40n	125 v
RT7020GS	1.1200	RFQ	2	Richtek USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RT7020	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	300mA，600mA	70ns，35ns	600 v
HV9901NG-G	4.8900	RFQ	2575	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-SOIC （0.154“，3.90mm宽），14个铅	HV9901	不转变	未行业行业经验证	10V〜450V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	45	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	-	30ns，30ns
DGD2117S8-13	2.1900	RFQ	9695	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DGD2117	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	290mA，600mA	75ns，35ns	600 v
IR11662STRPBF	2.4100	RFQ	2	Infineon技术	高级智能整流器™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR11662	不转变	未行业行业经验证	11.4v〜18v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	2V，2.15V	1A，4A	21ns，10ns
UCC37324DR	1.7400	RFQ	6	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC37324	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
TC4427ACOA	1.5400	RFQ	3	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4427ACOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
max627esa+	6.7400	RFQ	82	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max627	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-MAX627ESA+	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	25NS，20NS
IR2010STRPBF	4.6000	RFQ	3	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2010	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	3a，3a	10n，15ns	200 v
A4919GLPTR-5-T	3.6500	RFQ	3	Allegro微型系统	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	28-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽）	A4919	TTL	未行业行业经验证	5.5V〜50V	28-TSSOP-EP	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,000	3相	高方面或低侧	6	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	35NS，20NS
UCC27212AQDDARQ1	4.7500	RFQ	4	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）	UCC27212	不转变	未行业行业经验证	7v〜17v	8-SO POWERPAD	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.6V，2.3V	4a，4a	7.8NS，6NS
ISL6608CBZ-T	-	RFQ	8302	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6608	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	8ns，8ns	22 v
LM5109SD	-	RFQ	8219	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	LM5109	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	15ns，15ns	118 v
MIC4467CN	-	RFQ	9678	微芯片技术	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	MIC4467	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	14浸	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	14ns，13ns
TC4425AVMF713	2.0100	RFQ	4694	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4425	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	12n，12ns
LM5100ASD	2.2920	RFQ	1932年	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	10-wson（4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	3a，3a	430ns，260ns	118 v
max5063casa+	6.6900	RFQ	152	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max5063	不转变	未行业行业经验证	8v〜12.6V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-MAX5063CASA+	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	65ns，65ns	125 v
MIC4429CM	-	RFQ	4333	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4429	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	12n，13ns
ISL6613CBZ-T	-	RFQ	2956	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
LM5105SD	-	RFQ	7714	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5105	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	10-wson（4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.8a，1.8a	15ns，15ns	118 v
FAN7382MX	1.5300	RFQ	29	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7382	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	350mA，650mA	60n，30ns	600 v
PX3516ADDGR4XTMA1	-	RFQ	2984	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	PX3516	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜6V	PG-TDSON-10-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1.3V，1.9V	2a，2a	10n，10n	30 V
SC530 PATTRT	-	RFQ	2102	Semtech Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				SC530		未行业行业经验证			-		3（168））			Ear99	8542.39.0001	3,000
IX4340NETR	-	RFQ	8865	ixys集成电路部门	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IX4340	不转变	未行业行业经验证	5v〜20V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	4,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.5V	5a，5a	7n，7ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²