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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
LM2724AMX/NOPB	1.6275	RFQ	3130	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM2724	不转变	未行业行业经验证	4.3V〜6.8V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	3a，3.2a	17ns，12ns	28 V
MP18021HQ-A-LF-Z	1.0050	RFQ	3632	Monolithic Power Systems Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MP18021	不转变	未行业行业经验证	9v〜18V	8-qfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	5,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2.4V	2.5a，2.5a	12ns，9ns	100 v
TPS2849PWP	-	RFQ	7067	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14-POWERTSOP （0.173英寸，4.40mm（（4.40mm））	TPS2849	反转	未行业行业经验证	10v〜15V	14-htssop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	90	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	65ns，65ns	29 v
UCC27712DR	1.5900	RFQ	4661	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27712	-	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1.5V，1.6V	1.8a，2.8a	16ns，10ns	600 v
UCC2722222PWP	3.7888	RFQ	3216	Texas Instruments	-	管子	积极的	-55°C 〜115°C（TJ）	表面安装	14-POWERTSOP （0.173英寸，4.40mm（（4.40mm））	UCC27222	不转变	未行业行业经验证	3.7V〜20V	14-htssop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	90	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.7V，2.6V	4a，4a	17ns，17ns
MIC4452BM	-	RFQ	9751	微芯片技术	-	管子	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4452	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.4V	12a，12a	20N，24NS
max15024catb+t	-	RFQ	7010	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-WFDFN暴露垫	Max15024	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜28V	10-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	4a，8a	24ns，16ns
TC1411NEPA	1.8000	RFQ	45	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC1411	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1411NEPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	1a，1a	25n，25n
IR2132JTR	-	RFQ	3962	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2132	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，35ns	600 v
EL7457CUZ-T13	4.4923	RFQ	8449	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16ssop （0.154英寸，宽度为3.90mm）	EL7457	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-qsop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	高方面或低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	13.5ns，13ns
NCP4413DR2	0.4600	RFQ	53	Onmi	*	大部分	积极的				NCP4413		未行业行业经验证			下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500
UCC27424DGNG4	-	RFQ	1145	Texas Instruments	-	管子	在sic中停产	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	UCC27424	不转变	未行业行业经验证	4V〜15V	8-HVSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	80	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
2EDS8165HXUMA1	-	RFQ	1965年	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	2EDS8165	不转变	未行业行业经验证	20V	PG-DSO-16-30	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道，p通道MOSFET	- ，1.65V	1a，2a	6.5NS，4.5NS
max15025aatb+t	12.1900	RFQ	9	ADI/MAXIM集成	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-WFDFN暴露垫	Max15025	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜28V	10-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a，4a	42ns，30ns
MIC4422AZT	3.5900	RFQ	6581	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	MIC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，3V	9a，9a	20N，24NS
ZXGD3110N8TC	-	RFQ	3294	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ZXGD3110	-	未行业行业经验证	4.5V〜12V	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	-	1	n通道MOSFET		5a，5a	42ns，42ns
IRS2110pbf	4.8500	RFQ	1	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRS2110	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2.5a，2.5a	25ns，17ns	500 v
UCC37324DGN	2.0300	RFQ	155	Texas Instruments	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	UCC37324	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-HVSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	80	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
HIP6602BCRZ-T	-	RFQ	4851	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	HIP6602	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	16 QFN（5x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	-	20N，20N	15 v
tps2848pwpr	-	RFQ	2706	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14-POWERTSOP （0.173英寸，4.40mm（（4.40mm））	TPS2848	不转变	未行业行业经验证	10v〜15V	14-htssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	65ns，65ns	29 v
max15013casa+t	7.1700	RFQ	6815	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max15013	不转变	未行业行业经验证	8v〜12.6V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	65ns，65ns	175 v
ixdi409pi	-	RFQ	2571	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IXDI409	反转	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8点	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	9a，9a	10n，10n
UCC27322QDRQ1	1.5300	RFQ	3800	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27322	不转变	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	1.1V，2.7V	9a，9a	20N，20N
EL7104CS-T13	-	RFQ	2042	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7104	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	4a，4a	7.5NS，10NS
2EDN7424RXUMA1	-	RFQ	2601	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	2EDN7424	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜20V	PG-TSSOP-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	5,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.3V	4a，4a	6.4NS，5.4NS
ISL2100AAR3Z	4.1600	RFQ	1163	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	9-VFDFN暴露垫	ISL2100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	9-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	-isl2100aar3z	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	3.7V，7.4V	2a，2a	10n，10n	114 v
IR21531SPBF	2.9600	RFQ	3	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR21531	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	80ns，45ns	600 v
DGD21814S14-13	1.3600	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	DGD21814	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14件事	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
MIC5020Y	3.2900	RFQ	6436	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC5020	不转变	未行业行业经验证	11V〜50V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	700NS，500NS
IXD611S1T/r。	-	RFQ	9600	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXD611	不转变	未行业行业经验证	10v〜35V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	2.4V，2.7V	600mA，600mA	28NS，18NS	600 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²