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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
Max5055555basa+t	5.4600	RFQ	4171	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max5055	反转	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.1V	4a，4a	32ns，26ns
IR2135S	-	RFQ	2858	Infineon技术	-	管子	过时的	125°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2135	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2135S	Ear99	8542.39.0001	25	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	90NS，40NS	600 v
TC1413NCOA713	1.4300	RFQ	3072	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC1413	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1413NCOA713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	20N，20N
ISL6612BEIB	-	RFQ	1505	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	8-SOIC-EP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
IR21814STR	-	RFQ	9653	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IR21814	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
LM2725M/NOPB	-	RFQ	6232	Texas Instruments	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM2725	不转变	未行业行业经验证	4V〜7V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	1.2a，1a	17ns，10ns	42 v
MPQ1924HS-LF-Z	1.2450	RFQ	5159	Monolithic Power Systems Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MPQ1924	不转变	未行业行业经验证	9v〜12v	8-SOIC	-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2.4V	2.5a，2.5a	12ns，9ns	115 v
2DMB80407CC	-	RFQ	5468	塔穆拉	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C	通过洞	模块	2DMB80407	不转变	未行业行业经验证	3v〜5.5V	模块	下载	rohs3符合条件	不适用		132-2DMB80407CC	Ear99	8542.39.0001	120	独立的	半桥	2	IGBT，SIC MOSFET	-	5mA， -	500NS，500NS
MCP14E8T-E/SN	1.9650	RFQ	7336	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14E8	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	2a，2a	12n，15ns
UCC27324P	1.2600	RFQ	435	Texas Instruments	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UCC27324	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
IR2011SPBF	3.4500	RFQ	4936	Infineon技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2011	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	高方面或低侧	2	n通道MOSFET	0.7V，2.2V	1a，1a	35NS，20NS	200 v
IR25604SPBF	0.6000	RFQ	3	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR25604	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	499	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
adp3416jr	0.7000	RFQ	7	模拟设备公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ADP3416	不转变	未行业行业经验证	4.15V〜7.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	高侧和低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.3V	-	-
UCC27523DR	1.6700	RFQ	17	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27523	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.3V	5a，5a	7NS，6NS
LTC1981ES5＃trmpbf	4.2400	RFQ	8	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	SOT-23-5薄，TSOT-23-5	LTC1981	反转	未行业行业经验证	1.8V〜5.5V	TSOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	0.6V，1.4V	-	-
isl662222irz	4.8000	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6622	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜13.2V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-isl662222irz	Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
MIC4420ZT	3.0600	RFQ	182	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	MIC4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	12n，13ns
IR4428STRPBF	-	RFQ	5460	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR4428	反转，无变形	未行业行业经验证	6v〜20V	8-SOIC	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500		低侧	2
IRS2817DSTRPBF	-	RFQ	4851	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2817	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	独立的	高侧和低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2 V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
DGD2106MS8-13	1.8200	RFQ	8319	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DGD2106	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-so	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.6V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
MIC4423BM	-	RFQ	2277	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4423	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	28ns，32ns
ZXGD3004E6QTA	0.3286	RFQ	6541	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	ZXGD3004	不转变	未行业行业经验证	40V	SOT-26	下载			到达不受影响	31-ZXGD3004E6QTATR	Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	高方面或低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	-	8a，8a	14ns，14ns
max17604asa+	1.6600	RFQ	3347	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max17604	不转变	未行业行业经验证	4V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-MAX17604ASA+	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	2V，4.25V	4a，4a	40ns，25ns
Adum4221ariz	8.2700	RFQ	148	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	ADUM4221	不转变	未行业行业经验证	2.5V〜6.5V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	37	同步	半桥	2	IGBT	1.5V，3.5V	4a，6a	25ns，30ns
TPS2814PWR	1.5400	RFQ	796	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	TPS2814	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜14V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，15ns
UC2715N	-	RFQ	2709	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UC2715	不转变	未行业行业经验证	7v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，1a	30ns，25ns
ISL2100AAR3Z	4.1600	RFQ	1163	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	9-VFDFN暴露垫	ISL2100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	9-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	-isl2100aar3z	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	3.7V，7.4V	2a，2a	10n，10n	114 v
MCP1405T-E/MF	2.7750	RFQ	9020	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCP1405	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCP1405T-E/MFTR	Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	15NS，18NS
ISL89400ABZ-TK	-	RFQ	2197	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL89400	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	3.7V，7.4V	1.25a，1.25a	16ns，16ns	100 v
ZXGD3006E6QTA	0.7000	RFQ	25	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	ZXGD3006	不转变	未行业行业经验证	（40V））	SOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT，SIC MOSFET	-	10a，10a	48ns，35ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²