SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序)
FAN7389MX Fairchild Semiconductor FAN7389MX 1.4700
RFQ
ECAD 455 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 24-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) Fan7389 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 24分 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 1,000 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 350mA,650mA 50ns,30ns 600 v
ISL89162FRTBZ Intersil ISL89162FRTBZ 3.2600
RFQ
ECAD 723 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-WDFN暴露垫 ISL89162 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-tdfn (3x3) 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 1.85V,3.15V 6a,6a 20N,20N
ISL6605CBZR5168 Intersil ISL6605CBZR5168 1.0700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6605 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 98 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1V,2V 2a,2a 8ns,8ns 33 V
ISL89410IPZ Intersil ISL89410IPZ 1.8000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) ISL89410 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 2a,2a 7.5NS,10NS
ISL6612BECBZ Intersil ISL6612BECBZ 2.5700
RFQ
ECAD 870 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6612 不转变 未行业行业经验证 7v〜13.2v 8-SOIC-EP 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 98 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
HIP2100IR4 Intersil HIP2100IR4 1.0100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 12-VFDFN暴露垫 HIP2100 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 12-DFN (4x4) 下载 Rohs不合规 Ear99 8542.39.0001 75 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 4V,7V 2a,2a 10n,10n 114 v
98-0176PBF Infineon Technologies 98-0176pbf -
RFQ
ECAD 3514 0.00000000 Infineon技术 * 托盘 过时的 98-0176 未行业行业经验证 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 660
MCP14A0901-E/MS Microchip Technology MCP14A0901-E/MS 1.5150
RFQ
ECAD 9836 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) MCP14A0901 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-msop 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 同步 高方面或低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2V 9a,9a 22ns,22ns
MCP14A0902-E/MS Microchip Technology MCP14A0902-E/MS 1.5150
RFQ
ECAD 2032 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) MCP14A0902 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-msop 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 同步 高方面或低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2V 9a,9a 22ns,22ns
MCP14A0902T-E/MS Microchip Technology MCP14A0902T-E/MS 1.5150
RFQ
ECAD 3213 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) MCP14A0902 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-msop 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 高方面或低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2V 9a,9a 22ns,22ns
MCP14A0902T-E/SN Microchip Technology MCP14A0902T-E/SN 1.5150
RFQ
ECAD 1634年 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MCP14A0902 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,300 同步 高方面或低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2V 9a,9a 22ns,22ns
MCP14A0901T-E/MS Microchip Technology MCP14A0901T-E/MS 1.5150
RFQ
ECAD 1548年 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) MCP14A0901 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-msop 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 高方面或低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2V 9a,9a 22ns,22ns
BS2114F-E2 Rohm Semiconductor BS2114F-E2 -
RFQ
ECAD 5622 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) BS2114 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 8-sop - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 高方面或低侧 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.6V - 30ns,30ns 600 v
2ASC-12A1HP Microchip Technology 2ASC-12A1HP 172.3600
RFQ
ECAD 21 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 模块 2ASC-12 不转变 经过验证 14V〜16V 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 150-2ASC-12A1HP Ear99 8543.70.9860 1 同步 半桥 2 P通道MOSFET 1.25V,3.5V 10a,10a 80ns,90ns
62EM1-00001 Microchip Technology 62EM1-00001 291.9000
RFQ
ECAD 55 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 底盘安装 模块 62EM1 不转变 经过验证 14V〜16V 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 150-62EM1-00001 Ear99 8473.30.1180 1 单身的 半桥 2 n通道MOSFET 4V,1.25V,10V,3.5V 20a,20a 80ns,90ns
SG1644L-883B Microchip Technology SG1644L-883B -
RFQ
ECAD 8216 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-STD-883 托盘 积极的 -55°C〜125°C(TJ) 表面安装 20-CLCC SG1644 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜20V 20-CLCC(8.89x8.89) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-SG1644L-883B Ear99 8542.39.0001 50 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.7V,2V 500mA,500mA 35ns,30ns
SG1644J-883B Microchip Technology SG1644J-883B -
RFQ
ECAD 2959 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-STD-883 托盘 积极的 -55°C〜125°C(TJ) 通过洞 14-CDIP (0.300英寸,7.62mm) SG1644 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜20V 14-Cerdip 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-SG1644J-883B Ear99 8542.39.0001 25 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.7V,2V 500mA,500mA 35ns,30ns
SG1644T-883B Microchip Technology SG1644T-883B -
RFQ
ECAD 8920 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-STD-883 托盘 积极的 -55°C〜125°C(TJ) 通过洞 TO-99-8金属罐 SG1644 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜20V 到99 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-SG1644T-883B Ear99 8542.39.0001 50 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.7V,2V 500mA,500mA 35ns,30ns
SG1644T-DESC Microchip Technology SG1644T-DESC -
RFQ
ECAD 1883年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-STD-883 托盘 积极的 -55°C〜125°C(TJ) 通过洞 TO-99-8金属罐 SG1644 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜20V 到99 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-SG1644T-DESC Ear99 8542.39.0001 50 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.7V,2V 500mA,500mA 35ns,30ns
HIP2106IP Intersil HIP2106IP 0.8500
RFQ
ECAD 2366 0.00000000 Intersil - 大部分 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) HIP2106 不转变 未行业行业经验证 9v〜16.5V 8-pdip 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 n通道MOSFET - - 20N,20N 116 v
ADP3417JR-REEL7 ADI ADP3417JR-REEL7 0.3400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 模拟设备公司 ADP3417 大部分 积极的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ADP3417 反转,无变形 未行业行业经验证 4.15v〜13.2V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 同步 高方向 2 n通道MOSFET 0.8V,2.5V - -
MIC5017BWM Micrel Inc. MIC5017BWM 1.2300
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Micrel Inc. - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MIC5017 反转 未行业行业经验证 2.75V〜30V 16 SOP 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 高方面或低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2V 50mA, - -
A89500GEJTR-T Allegro MicroSystems A89500GEJTR-T 1.7700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Allegro微型系统 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装,可润湿的侧面 10-WFDFN暴露垫 A89500 不转变 未行业行业经验证 8v〜15v 10-DFN (3x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 620-A89500GEJTR-TTR Ear99 8542.39.0001 1,500 单身的 半桥 1 n通道MOSFET 1V,2V 2.7a,2.7a 105NS,46NS 100 v
SG1626Y-DESC Microchip Technology SG1626Y-DESC -
RFQ
ECAD 8094 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-STD-883 托盘 积极的 -55°C〜125°C(TJ) 通过洞 8-CDIP (0.300英寸,7.62mm) SG1626 反转 未行业行业经验证 22V 8-Cerdip 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-SG1626Y-DESC Ear99 8542.39.0001 50 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.7V,2V 3a 30ns,30ns
2ED020I06FI Infineon Technologies 2ED020I06FI -
RFQ
ECAD 9364 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 18-SOIC(0.295(7.50mm) 2ED020 反转 未行业行业经验证 14v〜18V PG-DSO-18-2 下载 不适用 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 高侧和低侧 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2V 1a,2a 20N,20N 650 v
2EDF7175FXUMA2 Infineon Technologies 2EDF7175FXUMA2 3.3600
RFQ
ECAD 1764年 0.00000000 Infineon技术 eicedriver™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) 2EDF7175 不转变 未行业行业经验证 20V PG-DSO-16-11 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道,p通道MOSFET - ,1.65V 1a,2a 6.5NS,4.5NS
ISL6206CB-T Intersil ISL6206CB-T 0.6600
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Intersil - 大部分 积极的 -10°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6206 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1.7V,3.3V 700mA,1.1a 20N,15n 36 V
ICL7667MTV Harris Corporation ICL7667MTV 7.2900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 通过洞 TO-99-8金属罐 ICL7667 反转 未行业行业经验证 4.5V〜15V TO-99-8 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 高方面或低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2V - 20N,20N
1EDB9275FXUMA1 Infineon Technologies 1EDB9275FXUMA1 2.7600
RFQ
ECAD 2706 0.00000000 Infineon技术 eicedriver™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 1EDB9275 反转 未行业行业经验证 10v〜56V PG-DSO-8 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 2 IGBT,SIC MOSFET - 4a,8a - 650 v
HIP6601CB Harris Corporation HIP6601CB 2.3000
RFQ
ECAD 775 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 0°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) HIP6601 不转变 未行业行业经验证 5v〜12v 8-SOIC 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 n通道MOSFET - - 20N,20N
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库