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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FAN7389MX | 1.4700 | ![]() | 455 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 24-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | Fan7389 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 24分 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 350mA,650mA | 50ns,30ns | 600 v | ||||
ISL89162FRTBZ | 3.2600 | ![]() | 723 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | ISL89162 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-tdfn (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 1.85V,3.15V | 6a,6a | 20N,20N | ||||||
![]() | ISL6605CBZR5168 | 1.0700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6605 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,2V | 2a,2a | 8ns,8ns | 33 V | ||||
![]() | ISL89410IPZ | 1.8000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | ISL89410 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 2a,2a | 7.5NS,10NS | |||||
![]() | ISL6612BECBZ | 2.5700 | ![]() | 870 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6612 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7v〜13.2v | 8-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | ||||
![]() | HIP2100IR4 | 1.0100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 12-VFDFN暴露垫 | HIP2100 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 12-DFN (4x4) | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.39.0001 | 75 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 4V,7V | 2a,2a | 10n,10n | 114 v | ||||
![]() | 98-0176pbf | - | ![]() | 3514 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 托盘 | 过时的 | 98-0176 | 未行业行业经验证 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 660 | |||||||||||||||||
![]() | MCP14A0901-E/MS | 1.5150 | ![]() | 9836 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) | MCP14A0901 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-msop | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步 | 高方面或低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2V | 9a,9a | 22ns,22ns | |||
![]() | MCP14A0902-E/MS | 1.5150 | ![]() | 2032 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) | MCP14A0902 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-msop | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步 | 高方面或低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2V | 9a,9a | 22ns,22ns | |||
![]() | MCP14A0902T-E/MS | 1.5150 | ![]() | 3213 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) | MCP14A0902 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-msop | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 高方面或低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2V | 9a,9a | 22ns,22ns | |||
![]() | MCP14A0902T-E/SN | 1.5150 | ![]() | 1634年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MCP14A0902 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 同步 | 高方面或低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2V | 9a,9a | 22ns,22ns | |||
![]() | MCP14A0901T-E/MS | 1.5150 | ![]() | 1548年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) | MCP14A0901 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-msop | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 高方面或低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2V | 9a,9a | 22ns,22ns | |||
![]() | BS2114F-E2 | - | ![]() | 5622 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) | BS2114 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-sop | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 高方面或低侧 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.6V | - | 30ns,30ns | 600 v | ||
![]() | 2ASC-12A1HP | 172.3600 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 模块 | 2ASC-12 | 不转变 | 经过验证 | 14V〜16V | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-2ASC-12A1HP | Ear99 | 8543.70.9860 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | P通道MOSFET | 1.25V,3.5V | 10a,10a | 80ns,90ns | ||
![]() | 62EM1-00001 | 291.9000 | ![]() | 55 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 底盘安装 | 模块 | 62EM1 | 不转变 | 经过验证 | 14V〜16V | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-62EM1-00001 | Ear99 | 8473.30.1180 | 1 | 单身的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 4V,1.25V,10V,3.5V | 20a,20a | 80ns,90ns | ||
![]() | SG1644L-883B | - | ![]() | 8216 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-STD-883 | 托盘 | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 20-CLCC | SG1644 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜20V | 20-CLCC(8.89x8.89) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-SG1644L-883B | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.7V,2V | 500mA,500mA | 35ns,30ns | |||
![]() | SG1644J-883B | - | ![]() | 2959 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-STD-883 | 托盘 | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 14-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | SG1644 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜20V | 14-Cerdip | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-SG1644J-883B | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.7V,2V | 500mA,500mA | 35ns,30ns | |||
![]() | SG1644T-883B | - | ![]() | 8920 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-STD-883 | 托盘 | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | TO-99-8金属罐 | SG1644 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜20V | 到99 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-SG1644T-883B | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.7V,2V | 500mA,500mA | 35ns,30ns | |||
![]() | SG1644T-DESC | - | ![]() | 1883年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-STD-883 | 托盘 | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | TO-99-8金属罐 | SG1644 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜20V | 到99 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-SG1644T-DESC | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.7V,2V | 500mA,500mA | 35ns,30ns | |||
![]() | HIP2106IP | 0.8500 | ![]() | 2366 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | HIP2106 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9v〜16.5V | 8-pdip | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | - | 20N,20N | 116 v | ||
![]() | ADP3417JR-REEL7 | 0.3400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | ADP3417 | 大部分 | 积极的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ADP3417 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.15v〜13.2V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 同步 | 高方向 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.5V | - | - | |||
![]() | MIC5017BWM | 1.2300 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Micrel Inc. | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | MIC5017 | 反转 | 未行业行业经验证 | 2.75V〜30V | 16 SOP | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 高方面或低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | 50mA, - | - | |||
![]() | A89500GEJTR-T | 1.7700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Allegro微型系统 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装,可润湿的侧面 | 10-WFDFN暴露垫 | A89500 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜15v | 10-DFN (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 620-A89500GEJTR-TTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,500 | 单身的 | 半桥 | 1 | n通道MOSFET | 1V,2V | 2.7a,2.7a | 105NS,46NS | 100 v | |
![]() | SG1626Y-DESC | - | ![]() | 8094 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-STD-883 | 托盘 | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 8-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | SG1626 | 反转 | 未行业行业经验证 | 22V | 8-Cerdip | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-SG1626Y-DESC | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.7V,2V | 3a | 30ns,30ns | |||
![]() | 2ED020I06FI | - | ![]() | 9364 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 18-SOIC(0.295(7.50mm) | 2ED020 | 反转 | 未行业行业经验证 | 14v〜18V | PG-DSO-18-2 | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 高侧和低侧 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2V | 1a,2a | 20N,20N | 650 v | ||
2EDF7175FXUMA2 | 3.3600 | ![]() | 1764年 | 0.00000000 | Infineon技术 | eicedriver™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | 2EDF7175 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 20V | PG-DSO-16-11 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道,p通道MOSFET | - ,1.65V | 1a,2a | 6.5NS,4.5NS | ||||
![]() | ISL6206CB-T | 0.6600 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 积极的 | -10°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6206 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.7V,3.3V | 700mA,1.1a | 20N,15n | 36 V | ||
![]() | ICL7667MTV | 7.2900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | TO-99-8金属罐 | ICL7667 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜15V | TO-99-8 | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 高方面或低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | - | 20N,20N | |||
![]() | 1EDB9275FXUMA1 | 2.7600 | ![]() | 2706 | 0.00000000 | Infineon技术 | eicedriver™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 1EDB9275 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜56V | PG-DSO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 2 | IGBT,SIC MOSFET | - | 4a,8a | - | 650 v | ||
![]() | HIP6601CB | 2.3000 | ![]() | 775 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | HIP6601 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5v〜12v | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | - | 20N,20N |
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