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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
AT27C2048-90JU-T	6.3450	RFQ	7247	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	44-LCC（j-lead）	AT27C2048	EPROM -OTP	4.5V〜5.5V	44-PLCC （16.6x16.6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0061	500		非易失性	2Mbit	90 ns	EPROM	128K x 16	平行线	-
CY62128VL-70ZAC	1.5000	RFQ	428	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.465英寸，11.80mm（（11.80mm））	CY62128	sram-异步	2.7V〜3.6V	32-tsop	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	70 ns	SRAM	128K x 8	平行线	70NS
MT40A512M8SA-062E：f tr	8.3250	RFQ	7717	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	下载				557-MT40A512M8SA-062E：ftr			2,000	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit	19 ns	德拉姆	512m x 8	荚	15ns
71V25761S183PFI	2.0100	RFQ	7372	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v25761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x20）	-	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	2156-71V25761S183PFI	3A991B2A	8542.32.0041	1	183 MHz	易挥发的	4.5mbit	5.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-	未行业行业经验证
MT53E1G16D1Z42NWC1	18.5900	RFQ	4472	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT53E1G16D1Z42NWC1			1
MT28EW512ABA1LPN-0SIT	-	RFQ	4436	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-VFBGA	MT28EW512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-VFBGA（7x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,560		非易失性	512Mbit	95 ns	闪光	64m x 8，32m x 16	平行线	60ns
CY7C1011DV33-10BVIT	-	RFQ	1972	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	CY7C1011	sram-异步	3v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	2Mbit	10 ns	SRAM	128K x 16	平行线	10NS
MT53E512M64D4NW-046 wt：e	-	RFQ	3946	微米技术公司	-	盒子	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	432-VFBGA	MT53E512	sdram- lpddr4	1.1V	432-VFBGA（15x15）	-					过时的	0000.00.0000	1,190	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
709099l7pf	-	RFQ	4199	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	709099L	sram-双端口，同步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	6		易挥发的	1Mbit	7 ns	SRAM	128K x 8	平行线	-
IDT71P74804S250BQ8	-	RFQ	6560	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IDT71P74	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-CABGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71P74804S250BQ8	3A991B2A	8542.32.0041	2,000	250 MHz	易挥发的	18mbit	8.4 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IDT71V3577SA80BG8	-	RFQ	9380	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	IDT71V3577	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V3577SA80BG8	3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
11LC160T-i/mny	0.4050	RFQ	7575	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	11LC160	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-tdfn （2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,300	100 kHz	非易失性	16kbit		EEPROM	2k x 8	单线	5ms
S25FS256SAGMFB001	5.6000	RFQ	1392	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，FS-S	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	S25FS256	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	705	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
W632GG6NB09I TR	4.7100	RFQ	6158	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-VFBGA	W632GG6	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-VFBGA（7.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W632GG6NB09ITR	Ear99	8542.32.0036	3,000	1.066 GHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	SSTL_15	15ns
7007L55PFI8	-	RFQ	9659	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	80-LQFP	7007L55	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	80-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	750		易挥发的	256kbit	55 ns	SRAM	32K x 8	平行线	55ns
IS46TR16640ED-125KBLA1	7.7520	RFQ	2473	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46TR16640ED-125KBLA1			190	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	SSTL_15	15ns
5962-9459903MXA	1.0000	RFQ	4926	赛普拉斯半导体公司	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	28-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	5962-9459903	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	28-CDIP	下载	Rohs不合规				过时的	0000.00.0000	1		非易失性	64kbit	35 ns	NVSRAM	8k x 8	平行线	35ns
CY7C1041BV33L-20ZI	16.0000	RFQ	479	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY7C1041	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	20 ns	SRAM	256K x 16	平行线	20NS
MT29F128G08AECBBH6-6IT：b	-	RFQ	3794	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	152-vbga	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	152-vbga（14x18）	-		（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	980	167 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
S25FS512SAGMFB013	10.5875	RFQ	2589	Infineon技术	FS-S	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	S25FS512	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,450	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	2ms
W74m00avsnig tr	0.8263	RFQ	2752	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		闪存-NAND	2.7V〜3.6V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W74M00AVSNIGTR	3A991B1A	8542.32.0071	2,500	80 MHz	非易失性	-		闪光		-	-
MT29F2G16AADWP：D Tr	-	RFQ	8398	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F2G16	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	2Gbit		闪光	128m x 16	平行线	-
709359l9pf	-	RFQ	8954	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	709359L	sram-双端口，同步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	45		易挥发的	144kbit	9 ns	SRAM	8k x 18	平行线	-
70V24L20JGI8	42.4681	RFQ	2539	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-LCC（j-lead）	70V24L	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	84-PLCC （29.31x29.31）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	200		易挥发的	64kbit	20 ns	SRAM	4K x 16	平行线	20NS
W631GU6NB09I	4.9700	RFQ	192	Winbond电子产品	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-VFBGA	W631GU6	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V，1.425V〜1.575V	96-VFBGA（7.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W631GU6NB09I	Ear99	8542.32.0032	198	1.066 GHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
W25Q80DVWS	-	RFQ	4224	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	-	-	W25Q80	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	-	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q80DVWS			1	104 MHz	非易失性	8mbit	6 ns	闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O。	30µs，3ms
IDT71V35761S166PF	-	RFQ	7158	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V35761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V35761S166PF	3A991B2A	8542.32.0041	72	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
70v9279l12prfi	-	RFQ	2308	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	128-LQFP	70v9279	sram-双端口，同步	3v〜3.6V	128-TQFP（14x20）	下载	Rohs不合规	3（168））			3A991B2B	8542.32.0041	72		易挥发的	512kbit	12 ns	SRAM	32k x 16	平行线	-
71V25761S200PFG8	12.0407	RFQ	1114	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v25761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
MT53D1024M32D4DT-046 AAT：d	-	RFQ	2010	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-VFBGA	MT53D1024	sdram- lpddr4	1.1V	200-VFBGA（10x14.5）	-		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,360	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²