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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
BR24G128F-3GTE2 Rohm Semiconductor BR24G128F-3GTE2 0.7700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) BR24G128 EEPROM 1.6V〜5.5V 8-sop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 2,500 400 kHz 非易失性 128kbit EEPROM 16k x 8 i²c 5ms
BR24G128FVJ-3AGTE2 Rohm Semiconductor BR24G128FVJ-3AGTE2 0.4700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) BR24G128 EEPROM 1.7V〜5.5V 8-TSSOP-BJ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 2,500 1 MHz 非易失性 128kbit EEPROM 16k x 8 i²c 5ms
BR24G128FVJ-3GTE2 Rohm Semiconductor BR24G128FVJ-3GTE2 0.5200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) BR24G128 EEPROM 1.6V〜5.5V 8-TSSOP-BJ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 2,500 400 kHz 非易失性 128kbit EEPROM 16k x 8 i²c 5ms
BR24G128FVM-3AGTTR Rohm Semiconductor BR24G128FVM-3AGTTR 0.7700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vssop,8-msop (0.110英寸,2.80mm宽度) BR24G128 EEPROM 1.7V〜5.5V 8-msop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 3,000 1 MHz 非易失性 128kbit EEPROM 16k x 8 i²c 5ms
BR24G16FVJ-3GTE2 Rohm Semiconductor BR24G16FVJ-3GTE2 0.3200
RFQ
ECAD 713 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) BR24G16 EEPROM 1.6V〜5.5V 8-TSSOP-BJ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 2,500 400 kHz 非易失性 16kbit EEPROM 2k x 8 i²c 5ms
BR24G16FVM-3GTTR Rohm Semiconductor BR24G16FVM-3GTTR 0.3200
RFQ
ECAD 9052 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vssop,8-msop (0.110英寸,2.80mm宽度) BR24G16 EEPROM 1.6V〜5.5V 8-msop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz 非易失性 16kbit EEPROM 2k x 8 i²c 5ms
BR24G256F-3AGTE2 Rohm Semiconductor BR24G256F-3AGTE2 0.7100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) BR24G256 EEPROM 1.7V〜5.5V 8-sop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 2,500 1 MHz 非易失性 256kbit EEPROM 32K x 8 i²c 5ms
BR24G256FVT-3AGE2 Rohm Semiconductor BR24G256FVT-3GAGE2 0.7100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) BR24G256 EEPROM 1.7V〜5.5V 8-TSSOP-B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 3,000 1 MHz 非易失性 256kbit EEPROM 32K x 8 i²c 5ms
BR24G512FVT-3AGE2 Rohm Semiconductor BR24G512FVT-3GAGE2 0.9400
RFQ
ECAD 34 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) BR24G512 EEPROM 1.7V〜5.5V 8-TSSOP-B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 3,000 1 MHz 非易失性 512kbit EEPROM 64k x 8 i²c 5ms
BR24G64F-3AGTE2 Rohm Semiconductor BR24G64F-3AGTE2 0.3900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) BR24G64 EEPROM 1.7V〜5.5V 8-sop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 2,500 1 MHz 非易失性 64kbit EEPROM 8k x 8 i²c 5ms
BR24G64FVT-3GE2 Rohm Semiconductor BR24G64FVT-3GE2 0.3900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) BR24G64 EEPROM 1.6V〜5.5V 8-TSSOP-B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz 非易失性 64kbit EEPROM 8k x 8 i²c 5ms
BR24G08NUX-3TTR Rohm Semiconductor BR24G08NUX-3TTR 0.2700
RFQ
ECAD 87 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-UFDFN暴露垫 BR24G08 EEPROM 1.6V〜5.5V VSON008X2030 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 4,000 400 kHz 非易失性 8kbit EEPROM 1k x 8 i²c 5ms
BR24G32NUX-3ATTR Rohm Semiconductor BR24G32NUX-3TTR 0.5700
RFQ
ECAD 5219 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-UFDFN暴露垫 BR24G32 EEPROM 1.7V〜5.5V VSON008X2030 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 4,000 1 MHz 非易失性 32kbit EEPROM 4K x 8 i²c 5ms
BR93G56NUX-3BTTR Rohm Semiconductor BR93G56NUX-3BTTR 0.3100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-UFDFN暴露垫 BR93G56 EEPROM 1.7V〜5.5V VSON008X2030 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 4,000 3 MHz 非易失性 2kbit EEPROM 128 x 16 微线 5ms
MT29E128G08CECABJ1-10Z:A Micron Technology Inc. MT29E128G08CECABJ1-10Z:a -
RFQ
ECAD 7535 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) - - MT29E128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT29F128G08CFAAAWP-Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CFAAAWP-Z:a tr -
RFQ
ECAD 8014 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT29F16G08ABECBM72A3WC1 TR Micron Technology Inc. MT29F16G08ABECBM72A3WC1 TR -
RFQ
ECAD 5384 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 MT29F16G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1 非易失性 16Gbit 闪光 2G x 8 平行线 -
MT29F1T08CUCABH8-6:A TR Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCABH8-6:a tr -
RFQ
ECAD 7888 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-LBGA MT29F1T08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 152-lbga(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 平行线 -
MT29F256G08CJAAAWP-ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CJAAAWP-ITZ:A TR -
RFQ
ECAD 5743 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F256G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F256G08CJAAAWP-Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CJAAAWP-Z:a tr -
RFQ
ECAD 3644 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F256G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F256G08CMCABH2-10Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCABH2-10Z:a tr -
RFQ
ECAD 6716 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-TBGA MT29F256G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 100-TBGA (12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F32G08CBACAL73A3WC1P Micron Technology Inc. MT29F32G08CBACAL73A3WC1P -
RFQ
ECAD 9935 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 MT29F32G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 683 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 平行线 -
MT29F32G08CBCCBH1-12Z:C Micron Technology Inc. MT29F32G08CBCCBH1-12Z:c -
RFQ
ECAD 5203 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-vbga MT29F32G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 83 MHz 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 平行线 -
MT29F32G08CBECBL73A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F32G08CBECBL73A3WC1 -
RFQ
ECAD 8599 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 MT29F32G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 平行线 -
MT29F32G08CBECBL73A3WC1P Micron Technology Inc. MT29F32G08CBECBL73A3WC1P -
RFQ
ECAD 3610 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 MT29F32G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 平行线 -
MT29F512G08CKCABK7-6:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CKCABK7-6:a tr -
RFQ
ECAD 8439 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F512G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT29F512G08CUCABH3-10R:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABH3-10R:a -
RFQ
ECAD 9255 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LBGA MT29F512G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 100-LBGA (12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT29F64G08AEAAAC5:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AEAAAAAC5:a tr -
RFQ
ECAD 3048 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 52-vlga MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 52-vlga(18x14) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT29F64G08AEAAAC5-IT:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AEAAAAAC5-IT:a tr -
RFQ
ECAD 1961年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 52-vlga MT29F64G08 闪存-NAND 未行业行业经验证 2.7V〜3.6V 52-vlga(18x14) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT29F64G08CBAAAWP-ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBAAAWP-ITZ:A TR -
RFQ
ECAD 7988 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库