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IS46DR16320D-3DBLA2-TR | 5.9536 | ![]() | 1740年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 84-TFBGA | IS46DR16320 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 333 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 450 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | IS46LD32128A-18BPLA1-TR | - | ![]() | 6426 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 168-VFBGA | IS46LD32128 | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | 168-VFBGA(12x12) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46LD32128A-18BPLA1-TR | 过时的 | 1 | 533 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||
![]() | UPD44325362BF5-E40Y-FQ1-A | 57.0300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991 | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | SST26VF016BT-80E/SN | 2.0700 | ![]() | 5002 | 0.00000000 | 微芯片技术 | SST26SQI® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SST26VF016 | 闪光 | 2.3v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,300 | 80 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 1.5ms | |||
![]() | 593995-001-00 | - | ![]() | 5670 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | 93C46/SM | 0.4900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 93C46 | EEPROM | 4.5V〜5.5V | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | 非易失性 | 1kbit | EEPROM | 64 x 16 | 微线 | 2ms | ||||||
![]() | MT46V64M8BN-6 L:f tr | - | ![]() | 6285 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | MT46V64M8 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 60-fbga(10x12.5) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS43R86400E-6TL | - | ![]() | 2705 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43R86400E-6TL | 108 | 166 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | sstl_2 | 15ns | |||||
![]() | MT53E128M32D2DS-053 AUT:A。 | 12.1200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | MT53E128 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MT53E128M32D2DS-053AUT:a | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 128m x 32 | - | - | ||
![]() | CY7C1361A-100AC | 6.2700 | ![]() | 6835 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 包 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1361 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 100 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 8 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | ||
EM064LXOAB320IS1T | 60.6700 | ![]() | 475 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | emxxlx | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 24-TBGA | MRAM (磁磁性 RAM) | 1.65V〜2V | 24-tbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 819-EM064LXOAB320IS1T | Ear99 | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | 非易失性 | 64mbit | 内存 | 8m x 8 | spi -octal I/o | - | |||||
![]() | IS43LQ32640AL-062BLI | - | ![]() | 9199 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | sdram- lpddr4x | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-VFBGA(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43LQ32640AL-062BLI | 136 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 2Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 64m x 32 | lvstl | 18NS | |||||
![]() | IS42S16400J-6TLI | 1.7537 | ![]() | 6486 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S16400 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 4m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS25LP128F-RHLE-TR | 1.9519 | ![]() | 3506 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC) | 2.3v〜3.6V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25LP128F-RHLE-TR | 2,500 | 166 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 40µs,800µs | ||||||
![]() | IS61NLP51218A-200TQLI | 15.4275 | ![]() | 9926 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61NLP51218 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3.1 ns | SRAM | 512k x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | 24AA32AF-I/MS | 0.5400 | ![]() | 4092 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) | 24AA32 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-msop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 24AA32FIM | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 非易失性 | 32kbit | 900 ns | EEPROM | 4K x 8 | i²c | 5ms | |
![]() | GT28F800B3T120 | 0.6700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 英特尔 | ETOX™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | 闪光灯 -引导块 | 2.7V〜3.6V | 48-UBGA(7.7x9) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 8mbit | 120 ns | 闪光 | 512k x 16 | cui | 165µs | ||||
![]() | CY7C1021CV33-12BAI | 2.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | CY7C1021 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 48-FBGA(7x7) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 12ns | |||
![]() | IS64LF25636B-7.5TQLA3-Tr | 16.1595 | ![]() | 3699 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | sram-标准 | 3.135V〜3.465V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS64LF25636B-7.5TQLA3-TR | 800 | 117 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 7.5 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |||||
![]() | IS61WV10248EDBLL-10BLI | 10.9354 | ![]() | 7549 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS61WV10248 | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 易挥发的 | 8mbit | 10 ns | SRAM | 1m x 8 | 平行线 | 10NS | |||
![]() | PF48F4000P0ZTQE3 | - | ![]() | 6201 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Axcell™ | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 88-VFBGA,CSPBGA | 48F4000P0 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 88-SCSP (8x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 176 | 52 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 100 ns | 闪光 | 16m x 16 | 平行线 | 100ns | ||
![]() | S29AL016J70TAI020A | - | ![]() | 6285 | 0.00000000 | 跨度 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | W631GG8NB09I | 4.9700 | ![]() | 239 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-VFBGA | W631GG8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W631GG8NB09I | Ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 1.066 GHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 8 | SSTL_15 | 15ns | |
![]() | IS62WV2568FBLL-45TLI-TR | 1.5749 | ![]() | 5433 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 32-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS62WV2568FBLL-45TLI-TR | 1,500 | 易挥发的 | 2Mbit | 45 ns | SRAM | 256K x 8 | 平行线 | 45ns | ||||||
![]() | IS43TR16640C-107MBLI-TR | 3.3306 | ![]() | 1719年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43TR16640C-107MBLI-TR | 1,500 | 933 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||
![]() | IS46TR16128A-15HBLA2-TR | - | ![]() | 4833 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 667 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS29GL032-70BLED-TR | 2.6208 | ![]() | 6804 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS29GL032-70BLED-TR | 2,500 | 非易失性 | 32Mbit | 70 ns | 闪光 | 2m x 16 | CFI | 70NS | ||||||
![]() | W29GL128CL9T TR | - | ![]() | 4780 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | W29GL128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 128mbit | 90 ns | 闪光 | 16m x 8,8m x 16 | 平行线 | 90NS | |||
![]() | GS81282Z18GB-250I | 212.4680 | ![]() | 3871 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜100°C(TJ) | 表面安装 | 119-BGA | GS81282Z18 | sram-同步,ZBT | 2.3v〜2.7V,3v〜3.6V | 119-fpbga(22x14) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2364-GS81282Z18GB-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 250 MHz | 易挥发的 | 144Mbit | SRAM | 8m x 18 | 平行线 | - |
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