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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
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N25Q128A13E1441E	-	RFQ	2313	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	N25Q128A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-BGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	187	108 MHz	非易失性	128mbit		闪光	32m x 4	spi	8ms，5ms
CY62138CV30LL-55BVI	1.3400	RFQ	7166	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	36-vfbga	CY62138	sram-异步	2.7V〜3.3V	36-vfbga（6x8）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	2Mbit	55 ns	SRAM	256K x 8	平行线	55ns
MT62F1G32D2DS-023 AAT：c tr	31.9350	RFQ	2943	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1G32D2DS-023AAT：CTR			2,000	3.2 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	-
S29GL01GS11DHV020	14.6100	RFQ	260	Infineon技术	GL-S	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（9x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	260		非易失性	1Gbit	110 ns	闪光	64m x 16	平行线	60ns
IS43LQ16128AL-062BLI	-	RFQ	2173	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4x	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LQ16128AL-062BLI			136	1.6 GHz	易挥发的	2Gbit	3.5 ns	德拉姆	128m x 16	lvstl	18NS
S25FL116K0XNFV010	0.5200	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	-	大部分	过时的								-				2156-S25FL116K0XNFV010			574
MT29F1T08EELEEJ4-QA：e tr	26.4750	RFQ	8139	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F1T08EELEEJ4-QA：ETR			2,000
GD25WQ64Sigr	1.3900	RFQ	3498	gigadevice 半导体（香）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）		闪存-SLC）	1.65V〜3.6V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响				2,000	104 MHz	非易失性	64mbit	12 ns	闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O。	120µs，4ms
M95040-RMC6TG	0.3800	RFQ	7629	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	M95040	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-fufdfpn（2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	20 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8	spi	5ms
R1LP0108ESP-5SI ＃B0	-	RFQ	4458	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.450英寸，11.40mm宽度）	R1LP0108	SRAM	4.5V〜5.5V	32 SOP	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	55 ns	SRAM	128K x 8	平行线	55ns
A5272865-C	27.5000	RFQ	5024	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A5272865-C	Ear99	8473.30.5100	1
R1LV0816ASB-7SI ＃B0	-	RFQ	3168	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	R1LV0816A	SRAM	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	8mbit	70 ns	SRAM	512k x 16	平行线	70NS
CY7C1460KV25-167BZXI	82.0600	RFQ	5418	Infineon技术	NOBL™	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1460	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	167 MHz	易挥发的	36mbit	3.4 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-
IS61NLP25672-250B1	-	RFQ	4554	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	209-BGA	IS61NLP25672	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	209-LFBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	84	250 MHz	易挥发的	18mbit	2.6 ns	SRAM	256K x 72	平行线	-
GD25Q64CW2GR	1.3970	RFQ	9623	gigadevice 半导体（香）	GD25Q	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-wson（5x6）	-				1970-GD25Q64CW2GRTR			3,000	120 MHz	非易失性	64mbit	7 ns	闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O。	60µs，4ms
71V67602S166PFG	26.1188	RFQ	3871	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v67602	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	166 MHz	易挥发的	9Mbit	3.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
IS61LPS204818B-200B3L	89.7750	RFQ	2839	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61LPS204818	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	易挥发的	36mbit	3.1 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-
CY7C025AV-25AXI	-	RFQ	4448	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C025	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	90		易挥发的	128kbit	25 ns	SRAM	8k x 16	平行线	25ns
MT45W512KW16PEGA-70 IT TR	-	RFQ	1546年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	48-VFBGA	MT45W512KW16	PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	8mbit	70 ns	PSRAM	512k x 16	平行线	70NS
M29W128GH70N3E	-	RFQ	9953	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	128mbit	70 ns	闪光	16m x 8，8m x 16	平行线	70NS
CY62137CV30LL-70BAI	1.7400	RFQ	204	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	CY62137	sram-异步	2.7V〜3.3V	48-FBGA（7x7）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	2Mbit	70 ns	SRAM	128K x 16	平行线	70NS
CY7C199-35VC	0.9600	RFQ	8511	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	CY7C199	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	27		易挥发的	256kbit	35 ns	SRAM	32K x 8	平行线	35ns
BR93L56RFVJ-WE2	-	RFQ	3254	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	BR93L56	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-TSSOP-BJ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	2 MHz	非易失性	2kbit		EEPROM	128 x 16	微线	5ms
IS46QR16512A-083TBLA2-TR	20.8943	RFQ	1215	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46QR16512A-083TBLA2-TR			2,000	1.2 GHz	易挥发的	8Gbit	18 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
7005L15JG	42.4681	RFQ	3465	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	7005L15	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-PLCC （24.21x24.21）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	18		易挥发的	64kbit	15 ns	SRAM	8k x 8	平行线	15ns
S29GL064N11TFIV13	-	RFQ	5248	Infineon技术	GL-N	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S29GL064	闪光灯 -也不	1.65V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64mbit	110 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	110NS
MT53E1536M64D8HJ-046 AIT：c	82.1100	RFQ	9147	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT53E1536M64D8HJ-046AIT：c			1
24LC04BT-E/SNG	0.4050	RFQ	1122	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	24LC04B	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,300	400 kHz	非易失性	4Kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8 x 2	i²c	5ms
S29GL512T11FHIV30	10.6700	RFQ	336	赛普拉斯半导体公司	GL-T	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	下载	Rohs不合规	不适用	供应商不确定	2832-S29GL512T11FHIV30	3A991B1A	8542.32.0070	47		非易失性	512Mbit	110 ns	闪光	64m x 8	平行线	60ns	未行业行业经验证

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²