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71V432S6PFG8	-	RFQ	6823	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v432	sram-同步，sdr	3.135V〜3.63V	100-TQFP（14x14）	下载		3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1,000	83 MHz	易挥发的	1Mbit	6 ns	SRAM	32K x 32	平行线	-
IDT71V432S7PF	-	RFQ	6077	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V432	sram-同步，sdr	3.135V〜3.63V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71v432s7pf	3A991B2B	8542.32.0041	72		易挥发的	1Mbit	7 ns	SRAM	32K x 32	平行线	-
IDT71V432S7PF8	-	RFQ	8844	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V432	sram-同步，sdr	3.135V〜3.63V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V432S7PF8	3A991B2B	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1Mbit	7 ns	SRAM	32K x 32	平行线	-
IDT71V432S7PFGI8	-	RFQ	1762年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V432	sram-同步，sdr	3.135V〜3.63V	100-TQFP（14x14）	下载		3（168））	到达不受影响	71V432S7PFGI8	3A991B2B	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1Mbit	7 ns	SRAM	32K x 32	平行线	-
IDT71V432S7PFI	-	RFQ	3446	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V432	sram-同步，sdr	3.135V〜3.63V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71v432s7pfi	3A991B2B	8542.32.0041	72		易挥发的	1Mbit	7 ns	SRAM	32K x 32	平行线	-
IDT71V432S7PFI8	-	RFQ	8463	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V432	sram-同步，sdr	3.135V〜3.63V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V432S7PFI8	3A991B2B	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1Mbit	7 ns	SRAM	32K x 32	平行线	-
IDT71V432S8PFG8	-	RFQ	4994	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V432	sram-同步，sdr	3.135V〜3.63V	100-TQFP（14x14）	-		3（168））	到达不受影响	71V432S8PFG8	3A991B2B	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1Mbit	8 ns	SRAM	32K x 32	平行线	-
71v546s100pfgi	10.8383	RFQ	6522	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v546	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	100 MHz	易挥发的	4.5mbit	5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V546S133PFG8	7.4983	RFQ	4102	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v546	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
IDT71V546S133PFI	-	RFQ	1773年	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V546	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V546S133PFI	3A991B2A	8542.32.0041	72	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
IDT71V546XS133PF8	-	RFQ	5027	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V546	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71v546xs133pf8	3A991B2A	8542.32.0041	1,000	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
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M24256-BRCS6TP/A。	-	RFQ	3614	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-ufbga	M24256	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-wlcsp	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	1 MHz	非易失性	256kbit	450 ns	EEPROM	32K x 8	i²c	5ms
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M27C322-100F1	-	RFQ	8872	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	42-CDIP （0.600英寸，15.24毫米）	M27C322	EPROM -UV	4.5V〜5.5V	42-CDIP板条密封与窗户	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0061	9		非易失性	32Mbit	100 ns	EPROM	2m x 16	平行线	-
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M87C257-90C1	-	RFQ	7261	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-lcc（j-lead）	M87C257	EPROM -OTP	4.5V〜5.5V	32-PLCC （11.43x13.97）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0061	32		非易失性	256kbit	90 ns	EPROM	32K x 8	平行线	-
M24M01-HRMN6P	-	RFQ	8356	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M24M01	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	1 MHz	非易失性	1Mbit	500 ns	EEPROM	128K x 8	i²c	5ms
M24256-BRDW6P	2.9582	RFQ	1901年	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	M24256	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	1 MHz	非易失性	256kbit	450 ns	EEPROM	32K x 8	i²c	5ms
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DS2433X＃t	-	RFQ	4214	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	6-vbga，fcbga	DS2433	EEPROM	-	6-Flipchip（2.82x2.54）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	10,000		非易失性	4Kbit	2 µs	EEPROM	256 x 16	1-Wire®	-
DS1270W-100IND＃	-	RFQ	9799	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	36 DIP 模块（0.610英寸，15.49毫米）	DS1270W	NVSRAM（SRAM）	3v〜3.6V	36-Edip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	9		非易失性	16mbit	100 ns	NVSRAM	2m x 8	平行线	100ns
DS1258W-100IND＃	-	RFQ	9390	ADI/MAXIM集成	-	盒子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	40 DIP 模块（0.610英寸，15.495mm）	DS1258W	NVSRAM（SRAM）	3v〜3.6V	40-Edip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	9		非易失性	2Mbit	100 ns	NVSRAM	128K x 16	平行线	100ns
DS1249Y-70＃	65.2900	RFQ	29	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	32 滴模块（0.600英寸，15.24毫米）	DS1249Y	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	32-Edip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	9		非易失性	2Mbit	70 ns	NVSRAM	256K x 8	平行线	70NS
DS1249Y-85IND＃	70.5100	RFQ	8	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	32 滴模块（0.600英寸，15.24毫米）	DS1249Y	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	32-Edip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	9		非易失性	2Mbit	85 ns	NVSRAM	256K x 8	平行线	85ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²