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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
MT29F256G08CKCBBH2-10：b tr	-	RFQ	8275	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-TBGA	MT29F256G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	100-TBGA （12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	100 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
R1LV0416DBG-7LI ＃B0	21.3100	RFQ	817	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	R1LV0416D	SRAM	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（7.5x8.5）	下载	不适用				3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	70 ns	SRAM	256K x 16	平行线	70NS
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES：B TR	-	RFQ	4008	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53D512	sdram- lpddr4	1.1V	-	-		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	1.866 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
S25FL128P0XMFI003	3.5400	RFQ	8961	赛普拉斯半导体公司	fl-p	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	S25FL128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件				3A991B1A	8542.32.0071	71	104 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	spi	3ms
AS7C31026B-20TIN	4.5800	RFQ	135	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-AS7C31026B-20TIN	3A991B2B	8542.32.0041	135		易挥发的	1Mbit	20 ns	SRAM	64k x 16	平行线	20NS
S70KL0BGT00FHCR00	-	RFQ	8710	Infineon技术	-	托盘	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的		1
S25FL128LAGMFB000	-	RFQ	9808	Nexperia USA Inc.	-	大部分	积极的								-				2156-S25FL128LAGMFB000			1
IS43R86400D-5TL-Tr	5.3325	RFQ	6850	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R86400	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,500	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
S25FS256SAGMFI003	4.4000	RFQ	36	赛普拉斯半导体公司	FS-S	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	S25FS256	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	16-Soic	下载	Rohs不合规	不适用	供应商不确定	2832-S25FS256SAGMFI003TR	3A991B1A	8542.32.0050	114	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-	未行业行业经验证
gd9fu1g8f2dmgi	2.3296	RFQ	1747年	gigadevice 半导体（香）	GD9F	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）		Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载				1970-GD9FU1G8F2DMGI			960		非易失性	1Gbit	9 ns	闪光	128m x 8	onfi	12ns，600µs
AS4C512M16D3LA-10BANTR	26.0015	RFQ	3042	联盟记忆，Inc。	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.275V〜1.425V	96-FBGA（13.5x9）	下载		3（168））		1450-AS4C512M16D3LA-10BANTR			2,000	933 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
IS43LR32320C-6BLI	8.7116	RFQ	9083	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA		sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LR32320C-6BLI			240	166 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	32m x 32	平行线	15ns
CY7C1354C-166BGC	10.8800	RFQ	7	赛普拉斯半导体公司	NOBL™	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	CY7C1354	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	28	166 MHz	易挥发的	9Mbit	3.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-	未行业行业经验证
IS42S16160B-7B-Tr	-	RFQ	7841	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-LFBGA	IS42S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-LFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
S25FL256LAGNFN010	9.0700	RFQ	3	赛普拉斯半导体公司	fl-l	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	S25FL256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（6x8）	-	Rohs不合规	不适用	供应商不确定	2832-S25FL256LAGNFN010TR	3A991B1A	8542.32.0070	56	133 MHz	非易失性	256Mbit	6 ns	闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	60µs，1.2ms
NDL28PFR-9MIT	6.7500	RFQ	8385	Insignis Technology Corporation	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	NDL28	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（7.5x10.5）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	1982-NDL28PFR-9MIT	Ear99	8542.32.0036	210	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
S25FS256SAGBHI300	-	RFQ	7888	Infineon技术	FS-S	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FS256	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	24-BGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SP005654609	3A991B1A	8542.32.0071	676	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
MT29F64G08AECABJ1-10ITZ：a	-	RFQ	9549	微米技术公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	-	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	100 MHz	非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
AS4C2M32SA-7TCNTR	2.9779	RFQ	6676	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	AS4C2M32	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.5 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	2NS
MT53E768M64D4HJ-046 AIT：c tr	58.2150	RFQ	4412	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	556-TFBGA		sdram- lpddr4	1.06V〜1.17V	556-WFBGA （12.4x12.4）	-	rohs3符合条件			557-MT53E768M64D4HJ-046AIT：CTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	48Gbit	3.5 ns	德拉姆	768m x 64	平行线	18NS
MEM-DR464L-SL01-ER32-C	770.0000	RFQ	5421	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-MEM-DR464L-SL01-ER32-C	Ear99	8473.30.5100	1
S25FL164K0XMFA011	-	RFQ	1900	Nexperia USA Inc.	-	大部分	积极的								-				2156-S25FL164K0XMFA011			1
S29GL128S10TFB023	4.8311	RFQ	1206	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，GL-S	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	56-tsop	-	rohs3符合条件		到达不受影响				1,000		非易失性	128mbit	100 ns	闪光	16m x 8	CFI	60ns
W25N01JWSFIT	3.3924	RFQ	1526年	Winbond电子产品	Spiflash®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	W25N01	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25N01JWSFIT	3A991B1A	8542.32.0071	44	166 MHz	非易失性	1Gbit	6 ns	闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O，Dtr	700µs
7132SA55P	-	RFQ	7294	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	48 浸（0.600英寸，15.24毫米）	7132SA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	48-PDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	7		易挥发的	16kbit	55 ns	SRAM	2k x 8	平行线	55ns
W9464G6JH-5I	-	RFQ	9301	Winbond电子产品	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	W9464G6	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	200 MHz	易挥发的	64mbit	55 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	15ns
IS43DR82560B-25EBLI	-	RFQ	6851	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43DR82560	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（10.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	136	400 MHz	易挥发的	2Gbit	400 ps	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
CY7C2565KV18-500BZC	688.2700	RFQ	67	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C2565	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	136	500 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-	未行业行业经验证
S26KS128SDABHB030	7.8400	RFQ	7824	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，HyperFlash™KS	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-vbga	S26KS128	闪光灯 -也不	1.7V〜1.95V	24-fbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,690	100 MHz	非易失性	128mbit	96 ns	闪光	16m x 8	平行线	-
FM93C6666EMT8	-	RFQ	2329	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	93C66	EEPROM	4.5V〜5.5V	8-tssop	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	1 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	256 x 16	微线	10ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²