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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
IS49NLC36800A-25WBL	27.7833	RFQ	8236	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA		rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49NLC36800A-25WBL			104	400 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	8m x 36	HSTL	-
CY62177EV18LL-70BAXI	-	RFQ	4786	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	CY62177	sram-异步	1.65V〜2.25V	48-fbga（8x9.5）	下载							131		易挥发的	32Mbit	70 ns	SRAM	4m x 8，2m x 16	平行线	70NS	未行业行业经验证
S70GL0AGS00FHCR00	-	RFQ	7202	Infineon技术	*	托盘	过时的								-		3（168））	到达不受影响		过时的		180
MT47H128M8B7-5E L：Tr	-	RFQ	1824年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	0°C〜85°C（TC）	表面安装	92-TFBGA	MT47H128M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	92-FBGA（11x19）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	200 MHz	易挥发的	1Gbit	600 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
S29GL032N90TFI020	-	RFQ	8610	赛普拉斯半导体公司	GL-N	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S29GL032	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				1		非易失性	32Mbit	90 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线	90NS	经过验证
CG6142AA	-	RFQ	6842	赛普拉斯半导体公司	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定				1
IDT71V3578S133PFI	-	RFQ	3594	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V3578	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V3578S133PFI	3A991B2A	8542.32.0041	72	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
SM662GBD BFST	49.3700	RFQ	5	硅运动，Inc。	Ferri-Emmc®	托盘	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	100-LBGA	SM662	Flash -nand（slc），闪光灯-NAND（tlc）	-	100-BGA （14x18）	下载	rohs3符合条件	3（168））		1984-SM662GBDBFST	3A991B1A	8542.32.0071	980		非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	EMMC	-
CY7C11681KV18-450BZXC	48.1000	RFQ	948	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C11681	sram-同步，DDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	136	450 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	1m x 18	平行线	-	未行业行业经验证
S34ML01G200TFV003	-	RFQ	6199	Skyhigh Memory Limited	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产				S34ML01				-	Rohs符合条件	3（168））		2120-S34ML01G200TFV003	3A991B1A	8542.32.0071	1,000									未行业行业经验证
273503-002 09	-	RFQ	1558年	Infineon技术	-	大部分	过时的								-		供应商不确定	到达不受影响	273503-00209	过时的	0000.00.0000	1
CY7C1470BV25-167BZXC	-	RFQ	7742	Infineon技术	NOBL™	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1470	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	167 MHz	易挥发的	72Mbit	3.4 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-
71321LA55TF	-	RFQ	1070	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	64-LQFP	71321LA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	64-TQFP（10x10）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	40		易挥发的	16kbit	55 ns	SRAM	2k x 8	平行线	55ns
IS61NLP102418-250B3I-Tr	-	RFQ	1486年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NLP102418	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	250 MHz	易挥发的	18mbit	2.6 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
34LC02-i/sn	0.3200	RFQ	774	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	34LC02	EEPROM	2.2v〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	34LC02ISN	Ear99	8542.32.0051	100	1 MHz	非易失性	2kbit	400 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
MT53D384M32D2DS-053 wt：c tr	-	RFQ	9237	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53D384	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	2,000	1.866 GHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	-	-
A8650534-C	81.7500	RFQ	1669年	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A8650534-C	Ear99	8473.30.5100	1
mtfc32gasaons-aat	23.2950	RFQ	4687	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	153-TFBGA		Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	153-TFBGA（11.5x13）	-				557-MTFC32GASAONS-AAT			1	52 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	UFS2.1	-
IS45S16400F-7TLA2	-	RFQ	8590	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	50-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS45S16400	Sdram	3v〜3.6V	50-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	-
DS28E02Q-W01+3T	-	RFQ	5830	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-20°C〜85°C（TA）	表面安装	6-WDFN暴露垫	DS28E02	EEPROM	1.75V〜3.65V	6-TDFN （3x3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		175-DS28E02Q-W01+3TTR	过时的		2,500		非易失性	1kbit	2 µs	EEPROM	256 x 4	1-Wire®	25ms
IS43R16320E-5TLI	7.4065	RFQ	1847年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R16320	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	108	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
mtfc16gapalgt-ait	-	RFQ	3887	微米技术公司	-	大部分	上次购买	-40°C〜85°C（TA）			MTFC16	闪存-NAND	-		-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MTFC16GAPALGT-AIT	3A991B1A	8542.32.0071	1,520		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	MMC	-
S25FL132K0XBHIS20Y	-	RFQ	2592	赛普拉斯半导体公司	fl1-k	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FL132	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-bga（8x6）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B1A	8542.32.0071	1	108 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms
CAT24C128WIGT-QQ	0.1700	RFQ	8242	Onmi	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT24C128	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0071	3,000	1 MHz	非易失性	128kbit	400 ns	EEPROM	16k x 8	i²c	5ms
NDD36PT6-2AET TR	2.3914	RFQ	1830年	Insignis Technology Corporation	NDD	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）		sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	-				1982-ND36PT6-2AETTR			1,000	200 MHz	易挥发的	256Mbit		德拉姆	16m x 16	sstl_2	-
BR25H256FJ-2ACE2	2.7800	RFQ	232	Rohm半导体	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BR25H256	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOP-J	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	10 MHz	非易失性	256kbit		EEPROM	32K x 8	spi	4ms
M5M5256DVP-70G be	5.7800	RFQ	10	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1
71V416S15BEG	8.1496	RFQ	1798年	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	71v416s	sram-异步	3v〜3.6V	48-cabga（9x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	250		易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	256K x 16	平行线	15ns
LE24L042CS-LV-TFM-E	-	RFQ	9884	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	4-XFBGA，WLBGA	LE24L	EEPROM	1.7v〜3.6V	4-WLP（0.79x1.06）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	400 kHz	非易失性	4Kbit	900 ns	EEPROM	512 x 8	i²c	10ms
MT62F2G64D8EK-026 wt：c tr	90.4650	RFQ	7627	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	441-TFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F2G64D8EK-026WT：CTR			2,000	3.2 GHz	易挥发的	128Gbit		德拉姆	2G x 64	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²