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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
A2626073-C	43.7500	RFQ	2441	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A2626073-C	Ear99	8473.30.5100	1
CY7C1263KV18-400BZC	58.1800	RFQ	223	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1263	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	136	400 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	2m x 18	平行线	-	未行业行业经验证
W25R128JVPIQ	2.1494	RFQ	2946	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25R128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25R128JVPIQ	3A991B1A	8542.32.0071	100	104 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms
W25Q32FWSFIG TR	-	RFQ	2994	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	W25Q32	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	5,000	104 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	60µs，5ms
AS4C4M16SB-6TIN	2.7179	RFQ	9444	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	AS4C4M16	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-AS4C4M16SB-6TIN	Ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	易挥发的	64mbit	5 ns	德拉姆	4m x 16	lvttl	12ns
71T75602S150BGI	43.1361	RFQ	3068	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71T75602	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	84	150 MHz	易挥发的	18mbit	3.8 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS26KS512S-DPBLI00	-	RFQ	7827	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-vbga	IS26KS512	闪光灯 -也不	1.7V〜1.95V	24-vfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS26KS512S-DPBLI00	3A991B1A	8542.32.0071	338	166 MHz	非易失性	512Mbit	96 ns	闪光	64m x 8	平行线	-
AT8358H03-IWE1D	-	RFQ	4910	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））		150-AT8358H03-IWE1DTR	过时的		1,000
MT61K512M32KPA-24：U TR	33.4650	RFQ	8915	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	180-TFBGA		sgram -gddr6	1.3095V〜1.3905V	180-FBGA（12x14）	-				557-MT61K512M32KPA-24：UTR			2,000	12 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	POD_135	-
GS882Z36CGD-333i	41.0300	RFQ	36	GSI Technology Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	GS882Z36	sram-同步，ZBT	2.3v〜2.7V，3v〜3.6V	165-FPBGA（13x15）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2364-GS882Z36CGD-333i	Ear99	8542.32.0041	36	333 MHz	易挥发的	9Mbit		SRAM	256K x 36	平行线	-
7142LA20J	-	RFQ	1456	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	52-lcc（j-lead）	7142LA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	24		易挥发的	16kbit	20 ns	SRAM	2k x 8	平行线	20NS
IS61C6416AL-12TLI	2.4500	RFQ	4	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61C6416	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	135		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	64k x 16	平行线	12ns
MT47H64M8JN-25E：G。	-	RFQ	2160	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	60-TFBGA	MT47H64M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0028	1,000	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
W25Q32JVZEJM	-	RFQ	1704年	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25Q32	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1	133 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms
P00926-B21-C	737.5000	RFQ	6904	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-P00926-B21-C	Ear99	8473.30.5100	1
HM1-65162B-9	-	RFQ	9058	哈里斯公司	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1									未行业行业经验证
70V25L35PFG8	-	RFQ	7061	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70V25L	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	-				800-70V25L35PFG8TR	过时的		750		易挥发的	128kbit	35 ns	SRAM	8k x 16	lvttl	35ns
M30162040108x0Pway	44.9063	RFQ	1632年	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	8-WDFN暴露垫	M30162040108	MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	800-M30162040108X0PWAY	Ear99	8542.32.0071	225	108 MHz	非易失性	16mbit		内存	4m x 4	-	-
MT47H512M4THN-25E：h	-	RFQ	8328	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	63-TFBGA	MT47H512M4	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	63-fbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	400 MHz	易挥发的	2Gbit	400 ps	德拉姆	512m x 4	平行线	15ns
MT55L512Y36FT-11	18.6700	RFQ	1	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		SRAM -ZBT	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	90 MHz	易挥发的	18mbit	8.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
MX66UW2G345GXRI00	27.0600	RFQ	4223	大元	-	托盘	积极的								-		3（168））		1092-MX66UW2G345GXRI00			480
N25Q128A13E1441E	-	RFQ	2313	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	N25Q128A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-BGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	187	108 MHz	非易失性	128mbit		闪光	32m x 4	spi	8ms，5ms
CY62138CV30LL-55BVI	1.3400	RFQ	7166	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	36-vfbga	CY62138	sram-异步	2.7V〜3.3V	36-vfbga（6x8）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	2Mbit	55 ns	SRAM	256K x 8	平行线	55ns
MT62F1G32D2DS-023 AAT：c tr	31.9350	RFQ	2943	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1G32D2DS-023AAT：CTR			2,000	3.2 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	-
S29GL01GS11DHV020	14.6100	RFQ	260	Infineon技术	GL-S	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（9x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	260		非易失性	1Gbit	110 ns	闪光	64m x 16	平行线	60ns
IS43LQ16128AL-062BLI	-	RFQ	2173	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4x	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LQ16128AL-062BLI			136	1.6 GHz	易挥发的	2Gbit	3.5 ns	德拉姆	128m x 16	lvstl	18NS
S25FL116K0XNFV010	0.5200	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	-	大部分	过时的								-				2156-S25FL116K0XNFV010			574
MT29F1T08EELEEJ4-QA：e tr	26.4750	RFQ	8139	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F1T08EELEEJ4-QA：ETR			2,000
GD25WQ64Sigr	1.3900	RFQ	3498	gigadevice 半导体（香）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）		闪存-SLC）	1.65V〜3.6V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响				2,000	104 MHz	非易失性	64mbit	12 ns	闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O。	120µs，4ms
M95040-RMC6TG	0.3800	RFQ	7629	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	M95040	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-fufdfpn（2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	20 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8	spi	5ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²