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参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
S34ML04G200TFI503 Cypress Semiconductor Corp S34ML04G200TFI503 -
RFQ
 ECAD 9402 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 ML-2 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） S34ML04 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-TSOP - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 平行线 25ns
S34MS01G200BHI003 Cypress Semiconductor Corp S34MS01G200BHI003 -
RFQ
 ECAD 4630 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 MS-2 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 63-VFBGA S34MS01 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-BGA（11x9） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,300 非易失性 1Gbit 45 ns 闪光 128m x 8 平行线 45ns
S34MS01G200BHI900 Cypress Semiconductor Corp S34MS01G200BHI900 -
RFQ
 ECAD 3702 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 MS-2 托盘 在sic中停产 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 63-VFBGA S34MS01 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-BGA（11x9） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 210 非易失性 1Gbit 45 ns 闪光 128m x 8 平行线 45ns
S34MS01G200TFI900 Cypress Semiconductor Corp S34MS01G200TFI900 -
RFQ
 ECAD 6569 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 MS-2 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） S34MS01 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 48-TSOP 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 96 非易失性 1Gbit 45 ns 闪光 128m x 8 平行线 45ns
S34MS01G200TFI903 Cypress Semiconductor Corp S34MS01G200TFI903 -
RFQ
 ECAD 1592年 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 MS-2 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） S34MS01 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 48-TSOP 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 1Gbit 45 ns 闪光 128m x 8 平行线 45ns
S34MS02G100BHI000 Cypress Semiconductor Corp S34MS02G100BHI000 -
RFQ
 ECAD 4402 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 MS-1 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 63-VFBGA S34MS02 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-BGA（11x9） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 210 非易失性 2Gbit 45 ns 闪光 256m x 8 平行线 45ns
S34MS04G100BHI003 Cypress Semiconductor Corp S34MS04G100BHI003 -
RFQ
 ECAD 2462 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 MS-1 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 63-VFBGA S34MS04 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-BGA（11x9） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,300 非易失性 4Gbit 45 ns 闪光 512m x 8 平行线 45ns
S34MS04G200BHI903 Cypress Semiconductor Corp S34MS04G200BHI903 -
RFQ
 ECAD 8943 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 MS-2 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 63-VFBGA S34MS04 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-BGA（11x9） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,300 非易失性 4Gbit 45 ns 闪光 512m x 8 平行线 45ns
S34MS04G204TFI013 Cypress Semiconductor Corp S34MS04G204TFI013 -
RFQ
 ECAD 7751 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 MS-2 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） S34MS04 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 48-TSOP 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 4Gbit 45 ns 闪光 256m x 16 平行线 45ns
S70FL256P0XMFI003 Infineon Technologies S70FL256P0XMFI003 3.6096
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon技术 fl-p 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） S70FL256 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,450 104 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 5µs
IS42VM16160K-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160K-75BLI 6.6300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 ISSI，综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 54-TFBGA IS42VM16160 sdram-移动 1.7V〜1.95V 54-tfbga（8x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 706-1313 Ear99 8542.32.0024 348 133 MHz 易挥发的 256Mbit 6 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
MX25L1006EZUI-10G Macronix MX25L1006EZUI-10G 0.4500
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 大元 MX25XXX05/06/08 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-UFDFN暴露垫 MX25L1006 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 12,000 104 MHz 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 spi 50µs，3ms
AT24C04D-PUM Microchip Technology AT24C04D-PUM 0.5100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） AT24C04 EEPROM 1.7v〜3.6V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 50 1 MHz 非易失性 4Kbit 450 ns EEPROM 512 x 8 i²c 5ms
FM28V202A-TG Infineon Technologies FM28V202A-TG 29.8900
RFQ
 ECAD 5089 0.00000000 Infineon技术 F-RAM™ 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度） FM28V202 fram （铁电 ram） 2v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 135 非易失性 2Mbit 90 ns 框架 128K x 16 平行线 90NS
FM28V202A-TGTR Infineon Technologies FM28V202A-TGTR 28.5775
RFQ
 ECAD 8592 0.00000000 Infineon技术 F-RAM™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度） FM28V202 fram （铁电 ram） 2v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,000 非易失性 2Mbit 90 ns 框架 128K x 16 平行线 90NS
FM25V20A-DGTR Infineon Technologies FM25V20A-DGTR 18.2875
RFQ
 ECAD 7014 0.00000000 Infineon技术 F-RAM™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 FM25V20 fram （铁电 ram） 2v〜3.6V 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,500 40 MHz 非易失性 2Mbit 框架 256K x 8 spi -
W9425G6KH-5 Winbond Electronics W9425G6KH-5 1.9307
RFQ
 ECAD 9650 0.00000000 Winbond电子产品 - 托盘 积极的 0°C〜70°C（TA） 表面安装 66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽） W9425G6 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 200 MHz 易挥发的 256Mbit 55 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
W9816G6JB-6 Winbond Electronics W9816G6JB-6 2.3023
RFQ
 ECAD 4210 0.00000000 Winbond电子产品 - 托盘 不适合新设计 0°C〜70°C（TA） 表面安装 60-TFBGA W9816G6 Sdram 3v〜3.6V 60-vfbga（6.4x10.1） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 286 166 MHz 易挥发的 16mbit 5 ns 德拉姆 1m x 16 平行线 -
W949D6DBHX5E Winbond Electronics W949D6DBHX5E 2.9441
RFQ
 ECAD 6169 0.00000000 Winbond电子产品 - 托盘 积极的 -25°C 〜85°C（TC） 表面安装 60-TFBGA W949d6 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-vfbga（8x9） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 312 200 MHz 易挥发的 512Mbit 5 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
M24C32S-FCU6T/T STMicroelectronics M24C32S-FCU6T/t -
RFQ
 ECAD 7569 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-XFBGA，WLCSP M24C32 EEPROM 1.7V〜5.5V 4-wlcsp - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 497-15027-2 Ear99 8542.32.0051 2,500 1 MHz 非易失性 32kbit 650毫秒 EEPROM 4K x 8 i²c 5ms
MT46V32M16CV-5B IT:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16CV-5B IT：j tr -
RFQ
 ECAD 2908 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.5v〜2.7V 60-fbga（8x12.5） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.32.0024 2,000 200 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
MT46V32M16CV-5B:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16CV-5B：j tr -
RFQ
 ECAD 1580 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 0°C〜70°C（TA） 表面安装 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.5v〜2.7V 60-fbga（8x12.5） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.32.0024 2,000 200 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
MT46V32M16TG-5B:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-5B：j tr -
RFQ
 ECAD 4425 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 0°C〜70°C（TA） 表面安装 66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽） MT46V32M16 sdram -ddr 2.5v〜2.7V 66-TSOP 下载 Rohs不合规 3（168）） Ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
MT46V64M8CV-5B:J TR Micron Technology Inc. MT46V64M8CV-5B：j tr -
RFQ
 ECAD 3014 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 0°C〜70°C（TA） 表面安装 60-vfbga MT46V64M8 sdram -ddr 2.5v〜2.7V 60-fbga（8x12.5） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT TR Micron Technology Inc. MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT TR -
RFQ
 ECAD 3946 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 168-VFBGA MT29C8G96 flash -nand，移动lpdram 1.7V〜1.9V 168-VFBGA（12x12） - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 208 MHz 非易失性，挥发性 8Gbit（NAND），4Gbit lpdram） 闪光，ram 512m x 16 nand），128m x 32 lpdram） 平行线 -
MT46H128M16LFDD-48 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT46H128M16LFDD-48 AIT：c tr 14.8400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 微米技术公司 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 60-vfbga MT46H128M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-vfbga（8x9） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 208 MHz 易挥发的 2Gbit 5 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 14.4ns
MTFC16GJGEF-AIT Z TR Micron Technology Inc. mtfc16gjgef-ait z tr -
RFQ
 ECAD 5925 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 169-TFBGA mtfc16g 闪存-NAND 1.65V〜3.6V 169-TFBGA（14x18） - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 MMC -
MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C Micron Technology Inc. MT46H64M32LFBQ-48 AIT：c 9.8850
RFQ
 ECAD 3730 0.00000000 微米技术公司 汽车，AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 90-VFBGA MT46H64M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-vfbga（8x13） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,440 208 MHz 易挥发的 2Gbit 5 ns 德拉姆 64m x 32 平行线 14.4ns
MT46H64M32LFBQ-48 WT:C Micron Technology Inc. MT46H64M32LFBQ-48 wt：c -
RFQ
 ECAD 4406 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -25°C〜85°C（TA） 表面安装 90-VFBGA MT46H64M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-vfbga（8x13） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,440 208 MHz 易挥发的 2Gbit 5 ns 德拉姆 64m x 32 平行线 14.4ns
MTFC4GLGDM-AIT Z Micron Technology Inc. mtfc4glgdm-ait z -
RFQ
 ECAD 8791 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 153-TFBGA mtfc4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 153-TFBGA（11.5x13） - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 MMC -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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