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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
MB85RS2MTYPN-GS-AWEWE1	5.4170	RFQ	1973	Kaga Fei America，Inc。	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MB85RS2	fram （铁电 ram）	1.8v〜3.6V	8-DFN（5x6）	-	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0071	1,500	50 MHz	非易失性	2Mbit		框架	256K x 8	spi	-
GD25WQ40EIGR	0.4222	RFQ	3181	gigadevice 半导体（香）	GD25WQ	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-xfdfn暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜3.6V	8-uson（3x2）	下载				1970-GD25WQ40EEIGRTR			3,000	104 MHz	非易失性	4Mbit	7 ns	闪光	512k x 8	Spi -Quad I/O。	120µs，4ms
MX25UM51245GXDIH0	6.4740	RFQ	3782	大元	Octabus™	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA，CSPBGA		闪存-SLC）	1.7V〜2V	24-cspbga（6x8）	-		3（168））		1092-MX25UM51245GXDIH0			480	250 MHz	非易失性	512Mbit	5 ns	闪光	64m x 8，512m x 1	spi -octal I/o	60µs，750µs
S25FS128SAGMFI101	-	RFQ	9865	赛普拉斯半导体公司	FS-S	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	S25FS128	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	8-SOIC	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2166-S25FS128SAGMFI101-428			1	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-	经过验证
IS42S32160F-75EBLI	13.0470	RFQ	4006	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32160	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	240	133 MHz	易挥发的	512Mbit	6 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	-
IS42S32800D-6BI	-	RFQ	2686	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32800	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	240	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
MT53B768M32D4NQ-062 AIT：b tr	-	RFQ	9970	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-VFBGA	MT53B768	sdram- lpddr4	1.1V	200-VFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	1.6 GHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	768m x 32	-	-
CY7C199D-10VXI	3.0700	RFQ	723	Infineon技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	CY7C199	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,350		易挥发的	256kbit	10 ns	SRAM	32K x 8	平行线	10NS
NDS76PT5-16AT TR	2.6335	RFQ	4158	Insignis Technology Corporation	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDS76PT5-16ATTR			1,000
MX29GL512GUXFI-11Q	7.3590	RFQ	7804	大元	MX29GL	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA，CSPBGA		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	64-LFBGA，CSP （11x13）	-		3（168））		1092-MX29GL512GUXFI-11Q			144		非易失性	512Mbit	110 ns	闪光	64m x 8，32m x 16	CFI	110NS
7008L12PFI	-	RFQ	6204	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	-				800-7008L12PFI			1		易挥发的	512kbit	12 ns	SRAM	64k x 8	平行线	12ns
7130LA25TFI8	-	RFQ	4091	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LQFP	7130LA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	64-TQFP（10x10）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	500		易挥发的	8kbit	25 ns	SRAM	1k x 8	平行线	25ns
CY62137BV18LL-70BAI	3.2000	RFQ	6	赛普拉斯半导体公司	MOBL2™	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	CY62137	sram-异步	1.75V〜1.95V	48-FBGA（7x7）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	2Mbit	70 ns	SRAM	128K x 16	平行线	70NS
STK14CA8-NF45ITR	-	RFQ	3215	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.295（7.50mm）	STK14CA8	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	32-Soic	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		非易失性	1Mbit	45 ns	NVSRAM	128K x 8	平行线	45ns
AS7C1024B-12JCNTR	2.9779	RFQ	7595	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	AS7C1024	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
24lc16b-i/stg	-	RFQ	2316	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	24LC16B	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.32.0051	100	400 kHz	非易失性	16kbit	900 ns	EEPROM	2k x 8	i²c	5ms
5YZ54AA-C	197.5000	RFQ	1132	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-5YZ54AA-C	Ear99	8473.30.5100	1
mtfc32gakaeef-o1 ait tr	-	RFQ	7103	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	169-TFBGA	mtfc32g	闪存-NAND	-	169-TFBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-
MX25U25635FXDI-10G	-	RFQ	1246	大元	MX25XXX35/36 -MXSMIO™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MX25U25635	闪光灯 -也不	1.65V〜2V	24-cspbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	480	108 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O。	30µs，3ms
93C76BT-I/MS	-	RFQ	4621	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	93C76	EEPROM	4.5V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	3 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	512 x 16	微线	2ms
MTFC64GBCAQTC-AAT ES TR	29.4000	RFQ	7673	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MTFC64GBCAQTC-AATESTR			2,000
W987D6HBGX7E	-	RFQ	8443	Winbond电子产品	-	托盘	过时的	-25°C 〜85°C（TC）	表面安装	54-TFBGA	W987D6	sdram- lpsdr	1.7V〜1.95V	54-vfbga（8x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	312	133 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
MX29F040CTI-70G	4.3700	RFQ	10	大元	MX29F	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	MX29F040	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	32-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	156		非易失性	4Mbit	70 ns	闪光	512k x 8	平行线	70NS
AS4C64M8D3-12BIN	4.8188	RFQ	8635	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TA）	表面安装	78-VFBGA	AS4C64	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-1430	Ear99	8542.32.0028	242	800 MHz	易挥发的	512Mbit	20 ns	德拉姆	64m x 8	平行线
CY62167DV30LL-55ZXI	17.6700	RFQ	63	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	CY62167	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-tsop i	下载							17		易挥发的	16mbit	55 ns	SRAM	1m x 16	平行线	55ns	未行业行业经验证
IS61DDB41M36A-300M3LI	-	RFQ	2884	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61DDB41	Sram-同步，DDR II	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0002	105	300 MHz	易挥发的	36mbit	8.4 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-
AS7C34098B-10BAN	5.2554	RFQ	2315	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	48-LFBGA		sram-异步	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-AS7C34098B-10BAN	3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
R1EX24004ATAS0A ＃S0	0.8200	RFQ	42	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	R1EX24004	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tssop	下载	不适用				Ear99	8542.32.0051	3,000	400 kHz	非易失性	4Kbit	900 ns	EEPROM	512 x 8	i²c	5ms
GS8662D18BGD-400I	194.5700	RFQ	15	GSI Technology Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜100°C（TJ）	表面安装	165-LBGA	GS8662D	sram-四边形端口，同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FPBGA（13x15）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2364-GS8662D18BGD-400I	3A991B2B	8542.32.0041	15	400 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
S29GL512S10TFI020	9.1200	RFQ	4	赛普拉斯半导体公司	GL-S	条	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S29GL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件			2832-S29GL512S10TFI020			55		非易失性	512Mbit	100 ns	闪光	32m x 16	平行线	60ns	未行业行业经验证

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²