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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
7164L55DB	31.4962	RFQ	6692	Renesas Electronics America Inc	-	管子	上次购买	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	28-CDIP （0.600英寸，15.24毫米）	7164L	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-CDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		3A001A2C	8542.32.0041	13		易挥发的	64kbit	55 ns	SRAM	8k x 8	平行线	55ns
7164L55TDB	-	RFQ	1974年	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	28-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	7164L	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-CDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		3A001A2C	8542.32.0041	13		易挥发的	64kbit	55 ns	SRAM	8k x 8	平行线	55ns
7164S20TDB	-	RFQ	3217	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	28-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	7164	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-CDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		3A001A2C	8542.32.0041	13		易挥发的	64kbit	20 ns	SRAM	8k x 8	平行线	20NS
7164S35TDB	-	RFQ	2006	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	28-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	7164	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-CDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		3A001A2C	8542.32.0041	13		易挥发的	64kbit	35 ns	SRAM	8k x 8	平行线	35ns
7164S55DB	30.5777	RFQ	8729	Renesas Electronics America Inc	-	管子	上次购买	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	28-CDIP （0.600英寸，15.24毫米）	7164	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-CDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		3A001A2C	8542.32.0041	13		易挥发的	64kbit	55 ns	SRAM	8k x 8	平行线	55ns
7164S85DB	30.5777	RFQ	8323	Renesas Electronics America Inc	-	管子	上次购买	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	28-CDIP （0.600英寸，15.24毫米）	7164	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-CDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		3A001A2C	8542.32.0041	13		易挥发的	64kbit	85 ns	SRAM	8k x 8	平行线	85ns
71V321L25TFG8	29.7761	RFQ	1368	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	64-LQFP	71v321l	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	64-TQFP（10x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	500		易挥发的	16kbit	25 ns	SRAM	2k x 8	平行线	25ns
71V321L35JG8	20.8416	RFQ	7891	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	52-lcc（j-lead）	71v321l	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	52-PLCC （19.13x19.13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	400		易挥发的	16kbit	35 ns	SRAM	2k x 8	平行线	35ns
71v321l35pfgi	28.5737	RFQ	6802	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LQFP	71v321l	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	64-TQFP （14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	45		易挥发的	16kbit	35 ns	SRAM	2k x 8	平行线	35ns
M24M02-DRCS6TP/k	3.6700	RFQ	16	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-ubga，WLCSP	M24M02	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-wlcsp （3.56x2.01）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1B1	8542.32.0051	2,500	1 MHz	非易失性	2Mbit	450 ns	EEPROM	256K x 8	i²c	10ms
CY14E256LA-SZ45XQT	-	RFQ	5838	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.295（7.50mm）	CY14E256	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	32-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SP005644017	Ear99	8542.32.0041	1,000		非易失性	256kbit	45 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	45ns
CY14E256Q5A-SXQT	11.0250	RFQ	8621	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CY14E256	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	2,500	40 MHz	非易失性	256kbit		NVSRAM	32K x 8	spi	-
CY14U256LA-BA35XIT	14.6125	RFQ	6070	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	CY14U256	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-fbga（6x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	2,000		非易失性	256kbit	35 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	35ns
CY62177EV18LL-70BAXIT	34.7550	RFQ	4964	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	CY62177	sram-异步	1.65V〜2.25V	48-fbga（8x9.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	32Mbit	70 ns	SRAM	4m x 8，2m x 16	平行线	70NS
CY7C028AV-25AXC	-	RFQ	6930	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C028	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	90		易挥发的	1Mbit	25 ns	SRAM	64k x 16	平行线	25ns
CY7C1041CV33-10BAJXE	-	RFQ	1151	Infineon技术	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	CY7C1041	sram-异步	3v〜3.6V	48-fbga（7x8.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
CY7C1145LV18-400BZXC	44.9925	RFQ	2429	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1145	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	400 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	512k x 36	平行线	-
CY7C1315LV18-250BZC	-	RFQ	2372	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1315	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	250 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	512k x 36	平行线	-
CY7C1420LV18-250BZXC	-	RFQ	8280	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1420	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	250 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	-
CY7C1425LV18-250BZC	-	RFQ	5433	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1425	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	-	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	250 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	4m x 9	平行线	-
CY7C1514LV18-250BZXC	-	RFQ	4196	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1514	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	250 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
CY7C1520LV18-250BZC	-	RFQ	2848	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1520	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	-	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	250 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
CY7C2265KV18-400BZXI	73.1500	RFQ	4731	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C2265	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	680	400 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	-
CY7C2642KV18-333BZXC	382.6900	RFQ	3827	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C2642	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	210	333 MHz	易挥发的	144Mbit		SRAM	8m x 18	平行线	-
STK14C88-NF35U	-	RFQ	5086	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.295（7.50mm）	STK14C88	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	32-Soic	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	22		非易失性	256kbit	35 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	35ns
R1EX24128BSAS0I ＃K0	-	RFQ	9257	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	R1EX24128	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	4,000	400 kHz	非易失性	128kbit	900 ns	EEPROM	16k x 8	i²c	5ms
S25FL164K0XBHI033	-	RFQ	8548	Infineon技术	fl1-k	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FL164	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-BGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms
S25FL164K0XNFI010	-	RFQ	7385	Infineon技术	fl1-k	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	S25FL164	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	490	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms
AT45DB641E-MWHN-T	5.6600	RFQ	12	Adesto Technologies	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	8-vdfn暴露垫	AT45DB641	闪光	1.7v〜3.6V	8-vdfn（6x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	85 MHz	非易失性	64mbit		闪光	264字节x 32k页面	spi	8µs，5ms
AT45DB641E-MHN2B-T	5.6300	RFQ	10	Adesto Technologies	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	8-udfn裸露的垫子	AT45DB641	闪光	1.7v〜3.6V	8-udfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	6,000	85 MHz	非易失性	64mbit		闪光	256字节x 32k页面	spi	8µs，5ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²