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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 重量( kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面 sic可编程
IS42S32800J-75ETL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-75ETL 6.0682
RFQ
ECAD 6954 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS42S32800 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 108 133 MHz 易挥发的 256Mbit 6 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 -
FM25L04B-G Cypress Semiconductor Corp FM25L04B-G -
RFQ
ECAD 1078 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 F-RAM™ 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) FM25L04 fram (铁电 ram) 2.7V〜3.6V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 不适用 供应商不确定 153 20 MHz 非易失性 4Kbit 框架 512 x 8 spi - 未行业行业经验证
EM6HC16EWXC-12IH Etron Technology, Inc. EM6HC16EWXC-12IH 4.0102
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA EM6HC16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
IS43TR81024B-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024B-125KBLI-TR 20.9076
RFQ
ECAD 4867 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43TR81024B-125KBLI-TR 2,000 800 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 1G x 8 平行线 15ns
S25FL512SAGMFAR10 Infineon Technologies S25FL512SAGMFAR10 9.8700
RFQ
ECAD 4675 0.00000000 Infineon技术 fl-s 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) S25FL512 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O。 -
SNPWM5YYC/4G-C ProLabs SNPWM5YYC/4G-C 50.0000
RFQ
ECAD 6363 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-SNPWM5YYC/4G-C Ear99 8473.30.5100 1
CY7C199L-15ZI Cypress Semiconductor Corp CY7C199L-15ZI -
RFQ
ECAD 4001 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) CY7C199 sram-异步 4.5V〜5.5V 28-tsop i 下载 Ear99 8542.32.0041 1 易挥发的 256kbit 15 ns SRAM 32K x 8 平行线 15ns
AS6C6264-55STCN Alliance Memory, Inc. AS6C6264-55STCN 3.6124
RFQ
ECAD 4350 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) AS6C6264 sram-异步 2.7V〜5.5V 28-Stsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 234 易挥发的 64kbit 55 ns SRAM 8k x 8 平行线 55ns
S29GL01GT10FAI020 Nexperia USA Inc. S29GL01GT10FAI020 -
RFQ
ECAD 1818年 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 大部分 积极的 - 2156-S29GL01GT10FAI020 1
709079L12PF8 Renesas Electronics America Inc 709079L12PF8 -
RFQ
ECAD 7814 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 709079L sram-双端口,同步 4.5V〜5.5V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 750 易挥发的 256kbit 12 ns SRAM 32K x 8 平行线 -
A2038272-C ProLabs A2038272-C 30.0000
RFQ
ECAD 4833 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-A2038272-C Ear99 8473.30.5100 1
GD25LQ64ESAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64ESAGR 1.4385
RFQ
ECAD 9558 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LQ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LQ64ESAGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O,QPI 100µs,4ms
AS4C64M8D2-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D2-25BCN 4.2446
RFQ
ECAD 3365 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-TFBGA AS4C64 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1450-1128 Ear99 8542.32.0028 264 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
SGIPC-000615 Infineon Technologies SGIPC-000615 -
RFQ
ECAD 7936 0.00000000 Infineon技术 * 托盘 过时的 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1
IS39LV512-70JCE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS39LV512-70JCE -
RFQ
ECAD 2106 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 32-lcc(j-lead) IS39LV512 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 32-PLCC (11.43x13.97) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 32 非易失性 512kbit 70 ns 闪光 64k x 8 平行线 70NS
S34MS08G201BHV000 Cypress Semiconductor Corp S34MS08G201BHV000 1.8000
RFQ
ECAD 578 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 MS-2 大部分 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 63-VFBGA S34MS08 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-BGA(11x9) - rohs3符合条件 3A991B1A 8542.32.0071 1 非易失性 8Gbit 45 ns 闪光 1G x 8 平行线 45ns
S29GL01GS10TFA013 Infineon Technologies S29GL01GS10TFA013 16.2400
RFQ
ECAD 5113 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q100,GL-S 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 56-tsop 下载 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 1Gbit 100 ns 闪光 128m x 8 CFI 60ns
7007S55J Renesas Electronics America Inc 7007S55J -
RFQ
ECAD 2763 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 68-LCC(j-lead) 7007S55 sram-双端口,异步 4.5V〜5.5V 68-PLCC (24.21x24.21) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 9 易挥发的 256kbit 55 ns SRAM 32K x 8 平行线 55ns
MT46H32M16LFBF-5 IT:B TR Micron Technology Inc. MT46H32M16LFBF-5 IT:b tr -
RFQ
ECAD 7569 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-vfbga MT46H32M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-vfbga(8x9) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 易挥发的 512Mbit 5 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
CY7C25632KV18-400BZC Cypress Semiconductor Corp CY7C25632KV18-400BZC 55.8800
RFQ
ECAD 46 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA CY7C25632 sram-双端口 1.7V〜1.9V 165-FBGA(13x15) - Rohs不合规 不适用 供应商不确定 2832-CY7C25632KV18-400BZC 3A991A2 8542.32.0041 10 400 MHz 易挥发的 72Mbit 450 ps SRAM 4m x 18 平行线 - 未行业行业经验证
687462-001-C ProLabs 687462-001-C 36.2500
RFQ
ECAD 4022 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-687462-001-C Ear99 8473.30.5100 1
93LC56BT-E/MNY Microchip Technology 93LC56BT-E/MNY 0.5000
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ECAD 101 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-WFDFN暴露垫 93LC56 EEPROM 2.5V〜5.5V 8-tdfn (2x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 3,300 2 MHz 非易失性 2kbit EEPROM 128 x 16 微线 6ms
W98AD2KBJX6E TR Winbond Electronics W98AD2KBJX6E TR -
RFQ
ECAD 9224 0.00000000 Winbond电子产品 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 2,500
RM25C64DS-LMAI-T Adesto Technologies RM25C64DS-LMAI-T -
RFQ
ECAD 6179 0.00000000 Adesto Technologies Mavriq™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-UFDFN暴露垫 RM25C64 CBRAM 1.65V〜3.6V 8-udfn(2x3) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1B1 8542.32.0051 5,000 20 MHz 非易失性 64kbit CBRAM® 32字节页面大小 spi 100µs,2.5ms
IS45S32200E-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200E-6TLA1 -
RFQ
ECAD 2701 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS45S32200 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 易挥发的 64mbit 5.5 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
HM1-6514-9 Harris Corporation HM1-6514-9 -
RFQ
ECAD 7063 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 18-CDIP (0.300英寸,7.62mm) HM1-6514 sram-同步 4.5V〜5.5V 18-Cerdip 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 Ear99 8542.32.0041 1 易挥发的 4Kbit 320 ns SRAM 1k x 4 平行线 420ns
MT53D768M64D4SB-046 XT ES:A Micron Technology Inc. MT53D768M64D4SB-046 XT ES:a -
RFQ
ECAD 2737 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 -30°C〜105°C(TC) MT53D768 sdram- lpddr4 1.1V - 过时的 1,190 2.133 GHz 易挥发的 48Gbit 德拉姆 768m x 64 - -
70V631S15PRFI Renesas Electronics America Inc 70V631S15PRFI 198.6000
RFQ
ECAD 3878 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 128-LQFP 70v631 sram-双端口,异步 3.15V〜3.45V 128-TQFP(14x20) 下载 Rohs不合规 2832-70V631S15PRFI 3A991B2A 8542.32.0041 72 易挥发的 4.5mbit 15 ns SRAM 256K x 18 平行线 15ns
CY7C1414SV18-167BZC Infineon Technologies CY7C1414SV18-167BZC -
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ECAD 1987 0.00000000 Infineon技术 - 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA CY7C1414 Sram-同步,QDR II 1.7V〜1.9V 165-FBGA(13x15) - Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 167 MHz 易挥发的 36mbit SRAM 1m x 36 平行线 -
W25Q256JWEIM Winbond Electronics W25Q256JWEIM -
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ECAD 3676 0.00000000 Winbond电子产品 Spiflash® 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 W25Q256 闪光灯 -也不 1.7V〜1.95V 8-wson(8x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 256-W25Q256JWEIM 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库