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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | 重量( kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | IS42S32800J-75ETL | 6.0682 | ![]() | 6954 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) | IS42S32800 | Sdram | 3v〜3.6V | 86-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 133 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 6 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | - | |||
![]() | FM25L04B-G | - | ![]() | 1078 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | F-RAM™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FM25L04 | fram (铁电 ram) | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 153 | 20 MHz | 非易失性 | 4Kbit | 框架 | 512 x 8 | spi | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | EM6HC16EWXC-12IH | 4.0102 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Etron Technology,Inc。 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | EM6HC16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | IS43TR81024B-125KBLI-TR | 20.9076 | ![]() | 4867 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA(10x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43TR81024B-125KBLI-TR | 2,000 | 800 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 1G x 8 | 平行线 | 15ns | ||||||
![]() | S25FL512SAGMFAR10 | 9.8700 | ![]() | 4675 | 0.00000000 | Infineon技术 | fl-s | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | S25FL512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||
![]() | SNPWM5YYC/4G-C | 50.0000 | ![]() | 6363 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-SNPWM5YYC/4G-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CY7C199L-15ZI | - | ![]() | 4001 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | CY7C199 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-tsop i | 下载 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 15 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 15ns | |||||||
![]() | AS6C6264-55STCN | 3.6124 | ![]() | 4350 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | AS6C6264 | sram-异步 | 2.7V〜5.5V | 28-Stsop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 234 | 易挥发的 | 64kbit | 55 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | S29GL01GT10FAI020 | - | ![]() | 1818年 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | - | 2156-S29GL01GT10FAI020 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 709079L12PF8 | - | ![]() | 7814 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 709079L | sram-双端口,同步 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 易挥发的 | 256kbit | 12 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | A2038272-C | 30.0000 | ![]() | 4833 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-A2038272-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | GD25LQ64ESAGR | 1.4385 | ![]() | 9558 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LQ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-sop | - | 1970-GD25LQ64ESAGRTR | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 6 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 100µs,4ms | ||||||||
![]() | AS4C64M8D2-25BCN | 4.2446 | ![]() | 3365 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | AS4C64 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga(8x10) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1450-1128 | Ear99 | 8542.32.0028 | 264 | 400 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 400 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | SGIPC-000615 | - | ![]() | 7936 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 托盘 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | IS39LV512-70JCE | - | ![]() | 2106 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 32-lcc(j-lead) | IS39LV512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 32-PLCC (11.43x13.97) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 32 | 非易失性 | 512kbit | 70 ns | 闪光 | 64k x 8 | 平行线 | 70NS | ||||
![]() | S34MS08G201BHV000 | 1.8000 | ![]() | 578 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-2 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34MS08 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-BGA(11x9) | - | rohs3符合条件 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 8Gbit | 45 ns | 闪光 | 1G x 8 | 平行线 | 45ns | ||||||
![]() | S29GL01GS10TFA013 | 16.2400 | ![]() | 5113 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100,GL-S | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1Gbit | 100 ns | 闪光 | 128m x 8 | CFI | 60ns | ||||||||
![]() | 7007S55J | - | ![]() | 2763 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 68-LCC(j-lead) | 7007S55 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 68-PLCC (24.21x24.21) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 9 | 易挥发的 | 256kbit | 55 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 55ns | ||||
MT46H32M16LFBF-5 IT:b tr | - | ![]() | 7569 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-vfbga | MT46H32M16 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-vfbga(8x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5 ns | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | CY7C25632KV18-400BZC | 55.8800 | ![]() | 46 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C25632 | sram-双端口 | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | - | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 2832-CY7C25632KV18-400BZC | 3A991A2 | 8542.32.0041 | 10 | 400 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | 450 ps | SRAM | 4m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |
![]() | 687462-001-C | 36.2500 | ![]() | 4022 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-687462-001-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 93LC56BT-E/MNY | 0.5000 | ![]() | 101 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | 93LC56 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-tdfn (2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 2 MHz | 非易失性 | 2kbit | EEPROM | 128 x 16 | 微线 | 6ms | ||||
![]() | W98AD2KBJX6E TR | - | ![]() | 9224 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 2,500 | ||||||||||||||||||
![]() | RM25C64DS-LMAI-T | - | ![]() | 6179 | 0.00000000 | Adesto Technologies | Mavriq™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-UFDFN暴露垫 | RM25C64 | CBRAM | 1.65V〜3.6V | 8-udfn(2x3) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3A991B1B1 | 8542.32.0051 | 5,000 | 20 MHz | 非易失性 | 64kbit | CBRAM® | 32字节页面大小 | spi | 100µs,2.5ms | ||||
![]() | IS45S32200E-6TLA1 | - | ![]() | 2701 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) | IS45S32200 | Sdram | 3v〜3.6V | 86-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 2m x 32 | 平行线 | - | |||
![]() | HM1-6514-9 | - | ![]() | 7063 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 18-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | HM1-6514 | sram-同步 | 4.5V〜5.5V | 18-Cerdip | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Kbit | 320 ns | SRAM | 1k x 4 | 平行线 | 420ns | ||||
![]() | MT53D768M64D4SB-046 XT ES:a | - | ![]() | 2737 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 过时的 | -30°C〜105°C(TC) | MT53D768 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | 过时的 | 1,190 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 48Gbit | 德拉姆 | 768m x 64 | - | - | |||||||||||
![]() | 70V631S15PRFI | 198.6000 | ![]() | 3878 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 128-LQFP | 70v631 | sram-双端口,异步 | 3.15V〜3.45V | 128-TQFP(14x20) | 下载 | Rohs不合规 | 2832-70V631S15PRFI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 易挥发的 | 4.5mbit | 15 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | 15ns | |||||
![]() | CY7C1414SV18-167BZC | - | ![]() | 1987 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 包 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1414 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | - | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | ||||
![]() | W25Q256JWEIM | - | ![]() | 3676 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | W25Q256 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜1.95V | 8-wson(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25Q256JWEIM | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 6 ns | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 5ms |
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