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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
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mtfc64gasaons-it tr	34.2750	RFQ	5351	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	153-TFBGA		Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	153-TFBGA（11.5x13）	-				557-MTFC64GASAONS-ITTR			2,000	52 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	UFS2.1	-
7007S55J	-	RFQ	2763	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	7007S55	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-PLCC （24.21x24.21）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	9		易挥发的	256kbit	55 ns	SRAM	32K x 8	平行线	55ns
CY7C199L-15ZI	-	RFQ	4001	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	CY7C199	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-tsop i	下载					Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	15 ns	SRAM	32K x 8	平行线	15ns
AS6C6264-55STCN	3.6124	RFQ	4350	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	AS6C6264	sram-异步	2.7V〜5.5V	28-Stsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	234		易挥发的	64kbit	55 ns	SRAM	8k x 8	平行线	55ns
709079L12PF8	-	RFQ	7814	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	709079L	sram-双端口，同步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	750		易挥发的	256kbit	12 ns	SRAM	32K x 8	平行线	-
W98AD2KBJX6E TR	-	RFQ	9224	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,500
SM662PAC最佳	29.9800	RFQ	5123	硅运动，Inc。	Ferri-Emmc®	托盘	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	100-LBGA	SM662	Flash -nand（tlc）	-	100-BGA （14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1984-SM662PAC最佳	3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	EMMC	-
MT46H32M16LFBF-5 IT：b tr	-	RFQ	7569	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-vfbga	MT46H32M16	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-vfbga（8x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	200 MHz	易挥发的	512Mbit	5 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
EM6HC16EWXC-12IH	4.0102	RFQ	2	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	EM6HC16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
SGIPC-000615	-	RFQ	7936	Infineon技术	*	托盘	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
CY7C25632KV18-400BZC	55.8800	RFQ	46	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C25632	sram-双端口	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	-	Rohs不合规	不适用	供应商不确定	2832-CY7C25632KV18-400BZC	3A991A2	8542.32.0041	10	400 MHz	易挥发的	72Mbit	450 ps	SRAM	4m x 18	平行线	-	未行业行业经验证
93LC56BT-E/MNY	0.5000	RFQ	101	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	93LC56	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-tdfn （2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,300	2 MHz	非易失性	2kbit		EEPROM	128 x 16	微线	6ms
0607-000023	-	RFQ	4302	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	在sic中停产								-		供应商不确定				0000.00.0000	1
SNPWM5YYC/4G-C	50.0000	RFQ	6363	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-SNPWM5YYC/4G-C	Ear99	8473.30.5100	1
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687462-001-C	36.2500	RFQ	4022	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-687462-001-C	Ear99	8473.30.5100	1
IS39LV512-70JCE	-	RFQ	2106	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	32-lcc（j-lead）	IS39LV512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	32-PLCC （11.43x13.97）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	32		非易失性	512kbit	70 ns	闪光	64k x 8	平行线	70NS
CY7C025AV-25AXIT	-	RFQ	4521	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C025	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,500		易挥发的	128kbit	25 ns	SRAM	8k x 16	平行线	25ns
S25FL256LAGBHI020	-	RFQ	8840	赛普拉斯半导体公司	fl-l	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FL256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-bga（8x6）	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2166-S25FL256LAGBHI020-428			1	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-	未行业行业经验证
M10162040054x0iwar	34.1348	RFQ	5041	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	8-WDFN暴露垫	M10162040054	MRAM （磁磁性 RAM）	1.71V〜2V	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	800-M10162040054X0IWARTR	Ear99	8542.32.0071	4,000	54 MHz	非易失性	16mbit		内存	4m x 4	-	-
CY62256NLL-70SNXAT	-	RFQ	4531	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	CY62256	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	256kbit	70 ns	SRAM	32K x 8	平行线	70NS
SM662GXC最好	27.7300	RFQ	263	硅运动，Inc。	Ferri-Emmc®	托盘	积极的	-	表面安装	100-LBGA		Flash -nand（tlc）	-	100-BGA （14x18）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	980		非易失性	-		闪光		EMMC	-
GS8673ED18BGK-675I	328.1075	RFQ	5543	GSI Technology Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜100°C（TJ）	表面安装	260-BGA	GS8673ED	sram-四边形端口，同步	1.3V〜1.4V	260-BGA （22x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2364-GS8673ED18BGK-675I	3A991B2B	8542.32.0041	8	675 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
CY7C1021B-12VXCT	-	RFQ	4375	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	CY7C1021	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	500		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	64k x 16	平行线	12ns
MT29F2T08EMLEEJ4-QJ：e	52.9800	RFQ	8773	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F2T08EMLEEJ4-QJ：e			1
MT47H64M16NF-25E IT：m	-	RFQ	1839年	微米技术公司	-	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	MT47H64M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,368	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
MX25L1006EZUI-10G	0.4500	RFQ	43	大元	MX25XXX05/06/08	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	MX25L1006	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-uson（2x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	12,000	104 MHz	非易失性	1Mbit		闪光	128K x 8	spi	50µs，3ms
W632GG8AB-15	-	RFQ	8711	Winbond电子产品	-	托盘	在sic中停产	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	W632GG8	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-WBGA（10.5x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	242	667 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²