内存(70500)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	时钟频率	内存类型	内存大小	访QQT	内存格式	记忆组织	内存接口	周期写入T - 字、页	SIC
IS25WP512M-RMLE	-	询价	2882	ISSI，集成硅解决方案公司	-	管子	过时的	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）		或-NOR	1.7V～1.95V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	706-IS25WP512M-RMLE	过时的		1	133兆赫	非活跃性	512兆比特		闪光	64M×8	SPI - 四路I/O、QPI、DTR	50微秒，2毫秒
90Y4551-C	22.5000	询价	5416	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-90Y4551-C	EAR99	8473.30.5100	1
M95160-FDW6TP	-	询价	第1774章	意法半导体	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	M95160	EEPROM	1.7V～5.5V	8-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0051	4,000	10兆赫	非活跃性	16Kbit		EEPROM	2K×8	SPI	5毫秒
CY7C0833AV-133BBC	215.9900	询价	18	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	144-LBGA	CY7C0833	SRAM - 双端口，同步	3.135V～3.465V	144-FBGA (13x13)	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		3A991B2A	8542.32.0041	1	100兆赫	易挥发的	9兆比特		静态随机存储器	512K×18	平行线	-
MT29F4G01ABAFDWB-IT:F TR	3.0165	询价	9912	美光科技公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-UDFN	MT29F4G01	附件 - NAND (SLC)	2.7V~3.6V	8-UPDFN (8x6) (MLP8)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	MT29F4G01ABAFDWB-IT:FTR		8542.32.0071	2,000		非活跃性	4G比特		闪光	4G×1	SPI	-
C-1066D3QRLPR/16G	51.2500	询价	3321	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-C-1066D3QRLPR/16G	EAR99	8473.30.5100	1
5962-8866202NA	38.8776	询价	2287	瑞萨电子美国公司	-	管子	最后一次购买	-55℃～125℃（TA）	通孔	28-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）	5962-8866202	SRAM - 同步	4.5V～5.5V	28-CDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	800-5962-8866202NA			13		易挥发的	256Kbit	70纳秒	静态随机存储器	32K×8	平行线	70纳秒
CG7815AAT	-	询价	6101	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的								-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	1,000
CG7816AA	4.2300	询价	第557章	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的								-	不适用						71									未验证
S26HS02GTFPBHM053	51.5375	询价	5907	英飞凌科技	森帕™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	24-VBGA		或 - NOR (SLC)	1.7V～2V	24-FBGA (8x8)	下载		3（168小时）			3A991B1A	8542.32.0071	2,000	166兆赫	非活跃性	2Gbit		闪光	256M×8	超级步行	-
AS6C4008-70SAN	9.1300	询价	213	联盟内存公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	32-SOIC（0.445英寸，11.30毫米宽）		SRAM - 异步	2.7V～5.5V	32-SOP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	1450-AS6C4008-70SAN	3A991B2A	8542.32.0041	72		易挥发的	4兆比特	70纳秒	静态随机存储器	512K×8	平行线	70纳秒
S28HL01GTFPBHI030	22.9700	询价	2	英飞凌科技	HL-T	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	24-VBGA	S28HL01	或-NOR	2.7V~3.6V	24-FBGA (6x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B1A	8542.32.0071	260	166兆赫	非活跃性	1Gbit		闪光	128M×8	SPI-八路I/O	-
7015L12J8	-	询价	7990	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	68-LCC（J导联）	7015L12	SRAM - 双端口，异步	4.5V～5.5V	68-PLCC (24.21x24.21)	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0041	250		易挥发的	72Kbit	12纳秒	静态随机存储器	8K×9	平行线	12纳秒
FM24C02UEN	0.6300	询价	7096	仙童	-	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	FM24C02	EEPROM	4.5V～5.5V	8-DIP	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.32.0051	1	100kHz	非活跃性	2Kbit	3.5微秒	EEPROM	128×16	I²C	15毫秒
MTFC64GAJAECE-AAT	-	询价	9054	美光科技公司	e•MMC™	托盘	过时的	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	169-LFBGA	MTFC64	NAND-NAND	-	169-LFBGA (14x18)	-		1（无限制）			3A991B1A	8542.32.0071	980		非活跃性	512Gbit		闪光	64G×8	MMC	-
7025S35PF8	-	询价	6560	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	100-LQFP	7025S35	SRAM - 双端口，异步	4.5V～5.5V	100-TQFP (14x14)	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0041	750		易挥发的	128Kbit	35纳秒	静态随机存储器	8K×16	平行线	35纳秒
CY7C1411KV18-250BZC	44.8200	询价	第396章	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	165-LBGA	CY7C1411	SRAM - 同步，QDR II	1.7V~1.9V	165-FBGA (13x15)	下载							7	250兆赫	易挥发的	36兆比特		静态随机存储器	4M×8	平行线	-	未验证
MX25U25643GZ4I00	3.0448	询价	6317	旺宏	MXSMIO™	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘		或 - NOR (SLC)	1.65V～2V	8-WSON (8x6)	-		3（168小时）		1092-MX25U25643GZ4I00			第480章	133兆赫	非活跃性	256兆比特	8纳秒	闪光	64M×4、128M×2、256M×1	SPI - 四路I/O、QPI、DTR	40微秒、3毫秒
UCS-MR-1X161RV-AC	180.0000	询价	1	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-UCS-MR-1X161RV-AC	EAR99	8473.30.5100	1
501541-001-C	35.0000	询价	第1556章	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-501541-001-C	EAR99	8473.30.5100	1
MT29F512G08EBLEEJ4-R:E TR	10.7250	询价	1826年	美光科技公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃	表面贴装	132-VBGA		忆 - NAND (TLC)	2.6V~3.6V	132-VBGA (12x18)	-				557-MT29F512G08EBLEEJ4-R:ETR			2,000		非活跃性	512Gbit		闪光	64G×8	平行线	-
24CS512T-E/OT66KVAO	-	询价	3000	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	SC-74A、SOT-753	24CS512	EEPROM	1.7V～5.5V	SOT-23-5	下载			REACH 不出行	150-24CS512T-E/OT66KVAOTR	EAR99	8542.32.0051	3,000	3.4兆赫	非活跃性	512Kbit	400纳秒	EEPROM	64K×8	I²C	5毫秒
BR24G04FV-3GTE2	0.1900	询价	2	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	BR24G04	EEPROM	1.6V～5.5V	8-SSOP-B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0051	2,500人	400kHz	非活跃性	4Kbit		EEPROM	512×8	I²C	5毫秒
MT29AZ5A5CMGWD-18AIT.87C	-	询价	9067	美光科技公司	-	管子	过时的				MT29AZ5				-	符合ROHS3标准	3（168小时）		557-MT29AZ5A5CMGWD-18AIT.87C	过时的		1,440
P770011C-F9C975	-	询价	5940	英飞凌科技	-	大部分	SIC停产								-			REACH 不出行				1
MT29F1T08CUCBBH8-6ITR:B	-	询价	8973	美光科技公司	-	托盘	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	152-LBGA	MT29F1T08	NAND-NAND	2.7V~3.6V	152-LBGA (14x18)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）			3A991B1A	8542.32.0071	980	167兆赫	非活跃性	1T比特		闪光	128G×8	平行线	-
MTFC4GLWDM-4M AAT Z TR	-	询价	7143	美光科技公司	-	卷带式 (TR)	过时的				MTFC4				-	符合ROHS3标准	3（168小时）		MTFC4GLWDM-4MAATZTR	过时的		1,000
MT29F2T08EMLEEJ4-R:E TR	42.9300	询价	4484	美光科技公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃	表面贴装	132-VBGA		忆 - NAND (TLC)	2.6V~3.6V	132-VBGA (12x18)	-				557-MT29F2T08EMLEEJ4-R:ETR			2,000		非活跃性	2T比特		闪光	256G×8	平行线	-
AT93C86A-10SU-1.8-T	0.4100	询价	7	微芯片	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AT93C86A	EEPROM	1.8V～5.5V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0051	4,000	2兆赫	非活跃性	16Kbit		EEPROM	2K×8、1K×16	3线串	10毫秒
S25FL512SAGBHB213	10.5875	询价	2426	英飞凌科技	FL-S	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	24-TBGA		或 - NOR (SLC)	2.7V~3.6V	24-BGA (8x6)	下载					3A991B1A	8542.32.0071	2,500人	133兆赫	非活跃性	512兆比特	6.5纳秒	闪光	64M×8	SPI-四路I/O	750微秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

内存(70500)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²