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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
W632GU8NB-15	4.6611	RFQ	3263	Winbond电子产品	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	W632GU8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-VFBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	242	667 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
605313-071-C	62.5000	RFQ	2171	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-605313-071-C	Ear99	8473.30.5100	1
71V124HSA10PH	-	RFQ	2739	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	71v124	sram-异步	3.15v〜3.6V	32-TSOP II	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	平行线	10NS
IS49NLS18160A-25WBLI	30.5534	RFQ	2942	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA		rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49NLS18160A-25WBLI			104	400 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	16m x 18	HSTL	-
NDL16PFJ-8KET TR	5.3800	RFQ	5882	Insignis Technology Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-VFBGA	NDL16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,500	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
MT53D1024M32D4BD-046 wt：d	-	RFQ	9130	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53D1024	sdram- lpddr4	1.1V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT53D1024M32D4BD-046WT：DTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	-	-
IDT71V67703S80PF8	-	RFQ	5079	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V67703	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V67703S80PF8	3A991B2A	8542.32.0041	1,000	100 MHz	易挥发的	9Mbit	8 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
A8547957-C	81.7500	RFQ	6331	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A8547957-C	Ear99	8473.30.5100	1
AS4C512M16D3LC-10BCN	21.8600	RFQ	190	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		1450-AS4C512M16D3LC-10BCN			190	933 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
S29GL128S90DHSS30	4.7250	RFQ	9499	Infineon技术	GL-S	托盘	积极的	0°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（9x9）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,600		非易失性	128mbit	90 ns	闪光	8m x 16	平行线	60ns
M3032316045NX0PTBY	108.8828	RFQ	5623	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）		MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	54-tsop	-	rohs3符合条件			800-M3032316045NX0PTBY			96		非易失性	32Mbit	45 ns	内存	2m x 16	平行线	45ns
S25FS128SAGBHI300	2.5900	RFQ	465	Nexperia USA Inc.	-	大部分	过时的								-				2156-S25FS128SAGBHI300			116
70261S12PF	-	RFQ	8498	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	-				800-70261S12PF			1		易挥发的	256kbit	12 ns	SRAM	16k x 16	平行线	12ns
MT53E128M16D1DS-046 wt：a	-	RFQ	3795	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）			MT53E128	sdram- lpddr4	1.1V		-	rohs3符合条件	3（168））		MT53E128M16D1DS-046WT：a	Ear99	8542.32.0036	1,360	2.133 GHz	易挥发的	2Gbit		德拉姆	128m x 16	-	-
W631GG8KB15I TR	-	RFQ	5519	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	W631GG8	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-WBGA（10.5x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000	667 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	-
UPD44165182BF5-E33-EQ3	37.1700	RFQ	140	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1
IS43TR16128D-125KBL	4.6100	RFQ	3	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1720	Ear99	8542.32.0036	190	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
W25Q80EWSNSG	-	RFQ	6458	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	W25Q80	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-SOIC	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q80EWSNSG	过时的		1	104 MHz	非易失性	8mbit	6 ns	闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O。	30µs，800µs
MT42L16M32D1HE-18自动：e tr	7.6800	RFQ	6201	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT42L16M32D1HE-18AUT：ETR			2,500
NDS76PT5-16IT	2.2048	RFQ	2923	Insignis Technology Corporation	NDS76P	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）		Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDS76PT5-16IT			108	166 MHz	易挥发的	128mbit	5 ns	德拉姆	8m x 16	lvttl	12ns
W25Q81EWSSAG	-	RFQ	9244	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	W25Q81	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-SOIC	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q81EWSSAG			1	104 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O。	-
CY7C1463AV33-133CKJ	44.7900	RFQ	215	赛普拉斯半导体公司	NOBL™	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）			CY7C1463	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V		下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	36mbit	6.5 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-
MT62F4G32D8DV-023 IT：b tr	99.5250	RFQ	6240	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C	-	-		sdram- lpddr5	-	-	-				557-MT62F4G32D8DV-023IT：BTR			2,000	4.266 GHz	易挥发的	128Gbit		德拉姆	4G x 32	平行线	-
W29N01HZSINA	3.3924	RFQ	5706	Winbond电子产品	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	W29N01	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W29N01HZSINA	3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	1Gbit	25 ns	闪光	128m x 8	平行线	25ns
W631GG8NB15I	4.7200	RFQ	182	Winbond电子产品	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	W631GG8	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-VFBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W631GG8NB15I	Ear99	8542.32.0032	242	667 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	SSTL_15	15ns
P19041-H21-C	210.0000	RFQ	3576	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-P19041-H21-C	Ear99	8473.30.5100	1
M3016316045NX0PTBY	53.6280	RFQ	1308	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）		MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	54-tsop	-	rohs3符合条件			800-M3016316045NX0PTBY			96		非易失性	16mbit	45 ns	内存	1m x 16	平行线	45ns
CY7C1314TV18-167BZC	39.9400	RFQ	436	赛普拉斯半导体公司	-	包	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1314	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	-	不适用				3A991B2A		8	167 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	512k x 36	平行线	-	未行业行业经验证
IS62WVS5128FBLL-20NLI-TR	3.5832	RFQ	9892	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		sram-同步	2.2v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS62WVS5128FBLL-20NLI-TR			3,000	20 MHz	易挥发的	4Mbit	25 ns	SRAM	512k x 8	Spi -Quad I/O，SDI	-
TMS44460-70DJ	2.3300	RFQ	2	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0002	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²