内存(70500)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	时钟频率	内存类型	内存大小	访QQT	内存格式	记忆组织	内存接口	周期写入T - 字、页	SIC
CY62148BNLL-70SXI	4.7300	询价	1107	英飞凌科技	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	32-SOIC（0.445英寸，11.30毫米宽）	CY62148	静态随机存储器	4.5V～5.5V	32-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B2A	8542.32.0041	25		易挥发的	4兆比特	70纳秒	静态随机存储器	512K×8	平行线	70纳秒
CY7C1366B-166BGC	-	询价	8509	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	119-BGA	CY7C1366	SRAM-同步、SDR	3.135V～3.6V	119-PBGA (14x22)	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		3A991B2A	8542.32.0041	1	166兆赫	易挥发的	9兆比特	3.5纳秒	静态随机存储器	256K×36	平行线	-
STK15C88-SF25	-	询价	4787	英飞凌科技	-	管子	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	28-SOIC（0.342英寸，8.69毫米宽）	STK15C88	NVSRAM（非易失性SRAM）	4.5V～5.5V	28-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0041	50		非活跃性	256Kbit	25纳秒	非静态随机仓库	32K×8	平行线	25纳秒
24FC08-E/SN36KVAO	-	询价	9908	微芯片	汽车，AEC-Q100	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	24FC08	EEPROM	1.7V～5.5V	8-SOIC	下载			REACH 不出行	150-24FC08-E/SN36KVAO	EAR99	8542.32.0051	100	1兆赫	非活跃性	8Kbit	450纳秒	EEPROM	1K×8	I²C	5毫秒
S29GL512T12DHN010Y	7.0000	询价	132	Spansion	GL-T	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	64-LBGA	S29GL512	或-NOR	2.7V~3.6V	64-FBGA (9x9)	下载	不适用	3（168小时）	供应商未定义		3A991B1A	8542.32.0071	1		非活跃性	512兆比特	120纳秒	闪光	64M×8	平行线	60纳秒
W957D8MFYA5I TR	2.7171	询价	6857	华邦电子	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C（温控）	表面贴装	24-TBGA	W957D8	超级内存	3V～3.6V	24-TFBGA，DDP (6x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	256-W957D8MFYA5ITR	EAR99	8542.32.0002	2,000	200兆赫	易挥发的	128Mbit	36纳秒	动态随机存取存储器	16M×8	超级步行	35纳秒
HX-MR-X16G1RS-HC	195.0000	询价	7186	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-HX-MR-X16G1RS-HC	EAR99	8473.30.5100	1
CY7C1009BN-15VI	2.1300	询价	2	英飞凌科技	-	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	32-BSOJ（0.300英寸，7.62毫米宽）	CY7C1009	SRAM - 异步	4.5V～5.5V	32-SOJ	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0041	1		易挥发的	1兆比特	15纳秒	静态随机存储器	128K×8	平行线	15纳秒
5962-3829414MXA	-	询价	第1352章	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-55℃～125℃（TA）	通孔	28-CDIP（0.600英寸，15.24毫米）	5962-3829414	SRAM - 同步	4.5V～5.5V	28-CDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	800-5962-3829414MXA	过时的		13		易挥发的	64Kbit	25纳秒	静态随机存储器	8K×8	平行线	25纳秒
W29N02KWBIBF	-	询价	5994	华邦电子	-	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	63-VFBGA	W29N02	附件 - NAND (SLC)	1.7V～1.95V	63-VFBGA (9x11)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	256-W29N02KWBIBF	3A991B1A	8542.32.0071	260		非活跃性	2Gbit	22纳秒	闪光	128M×16	平行线	25纳秒
GD9AU8G8E3AMGI	14.6400	询价	3554	兆易创新半导体(香港)有限公司	GD9A	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	48-TFSOP（0.724英寸，18.40毫米宽）		附件 - NAND (SLC)	2.7V~3.6V	48-TSOP I	下载				1970-GD9AU8G8E3AGI			960		非活跃性	8Gbit	18纳秒	闪光	1G×8	平行线	20纳秒
S34MS16G202BHI000	-	询价	2975	Spansion	ML-2	托盘	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	63-VFBGA	S34MS16	附件 - NAND (SLC)	1.7V～1.95V	63-BGA (11x9)	下载	不适用				3A991B1A	8542.32.0051	210		非活跃性	16Gbit	45纳秒	闪光	4G×4	平行线	45纳秒
S29PL064J70BFW072	5.8150	询价	2527	英飞凌科技	PL-J	卷带式 (TR)	的积极	-25°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	56-VFBGA	S29PL064	或-NOR	2.7V~3.6V	56-FBGA (9x7)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B1A	8542.32.0071	800		非活跃性	64兆比特	70纳秒	闪光	4M×16	平行线	70纳秒
MT55V512V36PT-7.5	17.3600	询价	第495章	美光科技公司	ZBT®	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	100-LQFP		静态随机存储器	2.375V～2.625V	100-TQFP (14x20.1)	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B2A	8542.32.0041	1	133兆赫	易挥发的	18兆比特	4.2纳秒	静态随机存储器	512K×36	平行线	-
CY7C0241E-25AXC	24.7000	询价	1	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	100-LQFP	CY7C0241	SRAM - 双端口，异步	4.5V～5.5V	100-TQFP (14x14)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.32.0041	13		易挥发的	72Kbit	25纳秒	静态随机存储器	4K×18	平行线	25纳秒	未验证
MT62F1536M64D8EK-023 FAAT:B	94.8300	询价	3945	美光科技公司	汽车，AEC-Q100	盒子	的积极	-40℃～105℃	表面贴装	441-TFBGA		SDRAM - 移动 LPDDR5	-	441-TFBGA (14x14)	-				557-MT62F1536M64D8EK-023FAAT:B			1	4.266GHz	易挥发的	96Gbit		动态随机存取存储器	1.5G×64	平行线	-
GD55LE511美伊	4.3092	询价	8110	兆易创新半导体(香港)有限公司	-	托盘	的积极								-				1970-GD55LE511MEYIGY			4,800
R1RP0416DSB-0PI#D0	-	询价	第1466章	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		3A991	8542.32.0041	1
DS28E02P-W10+8T	-	询价	4289	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	过时的	-20℃～85℃（TA）	表面贴装	6-SMD，J 引脚	DS28E02	EEPROM	1.75V～3.65V	6-TSOC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		175-DS28E02P-W10+8TTR	过时的		4,000		非活跃性	1Kbit	2微秒	EEPROM	256×4	1-Wire®	25毫秒
70V27S25PFG	-	询价	3462	瑞萨电子美国公司	-	托盘	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	100-LQFP	70V27S	SRAM - 双端口，异步	3V～3.6V	100-TQFP (14x14)	-				800-70V27S25PFG	过时的		1		易挥发的	512Kbit	25纳秒	静态随机存储器	32K×16	左心室TTL	25纳秒
5962-9166205MYA	-	询价	9481	瑞萨电子美国公司	-	管子	最后一次购买	-55℃～125℃（TA）	表面贴装	84-薄纸包装		SRAM - 双端口，异步	4.5V～5.5V	84-FPACK	-				800-5962-9166205MYA			1		易挥发的	64Kbit	45纳秒	静态随机存储器	4K×16	平行线	45纳秒
MR25H128APDF	7.0792	询价	8788	Everspin技术公司	-	托盘	的积极				MR25H128				-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0071	第570章
MT53E512M64D2NZ-46 WT:B	26.1150	询价	8555	美光科技公司	-	大部分	的积极	-25°C ~ 85°C（温控）	表面贴装	376-WFBGA	MT53E512	SDRAM - 移动 LPDDR4	1.06V～1.17V	376-WFBGA (14x14)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	557-MT53E512M64D2NZ-46WT:B			1,190 人	2.133GHz	易挥发的	32Gbit	3.5纳秒	动态随机存取存储器	512米×64	平行线	18纳秒
CY7C195-35VC	3.8400	询价	2	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	24-BSOJ（0.300英寸，7.62毫米宽）	CY7C195	SRAM - 异步	4.5V～5.5V	24-SOJ	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.32.0041	1		易挥发的	256Kbit	35纳秒	静态随机存储器	64K×4	平行线	35纳秒
DS2433X-300-EC+	-	询价	3404	ADI/Maxim 集成	-	托盘	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	6-XBGA、FCBGA	DS2433	EEPROM	-	6-倒装芯片 (2.82x2.54)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0051	1		非活跃性	4Kbit	2微秒	EEPROM	256×16	1-Wire®	-
M87C257-15C1	-	询价	6326	意法半导体	-	管子	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	32-LCC（J导联）	M87C257	EPROM-OTP	4.5V～5.5V	32-PLCC (11.43x13.97)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0061	32		非活跃性	256Kbit	150纳秒	EPROM	32K×8	平行线	-
SM671PED-AFSS	-	询价	1368	慧荣科技	铁-UFS™	托盘	的积极	-40℃～85℃	表面贴装	153-TFBGA	SM671	边框 - NAND (SLC)、边框 - NAND (TLC)	-	153-BGA (11.5x13)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	1984-SM671PED-AFSS			1		非活跃性	320Gbit		闪光	40G×8	UFS2.1	-
7130LA25PF8	-	询价	9453	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	64-LQFP	7130LA	SRAM - 双端口，异步	4.5V～5.5V	64-TQFP (14x14)	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0041	750		易挥发的	8Kbit	25纳秒	静态随机存储器	1K×8	平行线	25纳秒
CY15B104QN-20LPXCT	21.0175	询价	7819	英飞凌科技	汽车、AEC-Q100、Excelon™-Auto、F-RAM™	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-UQFN		FRAM（铁电RAM）	1.8V~3.6V	8-GQFN (3.23x3.28)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）			3A991B1B2	8542.32.0071	2,500人	20兆赫	非活跃性	4兆比特	20纳秒	铁电存储器	512K×8	SPI	-
71V424L15YG	-	询价	4485	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	36-BSOJ（0.400英寸，10.16毫米宽）	71V424	SRAM - 异步	3V～3.6V	36-SOJ	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B2A	8542.32.0041	20		易挥发的	4兆比特	15纳秒	静态随机存储器	512K×8	平行线	15纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

内存(70500)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²