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CY7C1550KV18-400BZC	245.4375	RFQ	4940	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1550	sram-同步，DDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	400 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
CY7C1550KV18-400BZXC	245.4375	RFQ	2397	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1550	sram-同步，DDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	680	400 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
CY7C1550KV18-450BZXC	-	RFQ	4202	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1550	sram-同步，DDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	450 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
CY7C1565KV18-400BZXC	-	RFQ	1736年	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1565	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	400 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
CY7C1568KV18-450BZXI	-	RFQ	8890	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1568	sram-同步，DDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	450 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
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CY7C2568KV18-400BZC	-	RFQ	8158	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C2568	sram-同步，DDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	400 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
W25Q16BVZPIG	-	RFQ	5082	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25Q16	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	50µs，3ms
W25Q32BVSFIG	-	RFQ	3087	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	W25Q32	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	44	104 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O。	50µs，3ms
W25x20bvzpig	-	RFQ	9806	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25x20	闪光	2.7V〜3.6V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	spi	3ms
JS28F00AP33TF	-	RFQ	4095	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	JS28F00AP33	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Q4518329	3A991B1A	8542.32.0071	576	40 MHz	非易失性	1Gbit	105 ns	闪光	64m x 16	平行线	105ns
M95640-RDW6TP	0.4500	RFQ	4390	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	M95640	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	4,000	20 MHz	非易失性	64kbit		EEPROM	8k x 8	spi	5ms
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RC28F256M29EWHA	-	RFQ	1768年	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	RC28F256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（11x13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0051	1,104		非易失性	256Mbit	100 ns	闪光	32m x 8，16m x 16	平行线	100ns
24vl025t/st	0.6900	RFQ	2	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-20°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	24VL025	EEPROM	1.5V〜3.6V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
93LC86BT-I/SN	0.5600	RFQ	1253	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	93LC86	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,300	3 MHz	非易失性	16kbit		EEPROM	1k x 16	微线	5ms
M29W256GH70ZS6E	-	RFQ	3490	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	M29W256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	256Mbit	70 ns	闪光	32m x 8，16m x 16	平行线	70NS
M29W256GH70ZS6F TR	-	RFQ	8595	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	M29W256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,800		非易失性	256Mbit	70 ns	闪光	32m x 8，16m x 16	平行线	70NS
M29W256GSL70ZS6E	-	RFQ	9514	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	M29W256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（11x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-M29W256GSL70ZS6E	3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	256Mbit	70 ns	闪光	32m x 8，16m x 16	平行线	70NS
CY14B104L-BA25XC	-	RFQ	5744	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	CY14B104	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-fbga（6x10）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	299		非易失性	4Mbit	25 ns	NVSRAM	512k x 8	平行线	25ns
CY14B104L-BA45XC	-	RFQ	9095	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	CY14B104	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-fbga（6x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	299		非易失性	4Mbit	45 ns	NVSRAM	512k x 8	平行线	45ns
CY14B104L-BA45XI	-	RFQ	3653	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	CY14B104	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-fbga（6x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	299		非易失性	4Mbit	45 ns	NVSRAM	512k x 8	平行线	45ns
CY14B104L-ZS20XC	-	RFQ	4021	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY14B104	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		非易失性	4Mbit	20 ns	NVSRAM	512k x 8	平行线	20NS
CY14B104L-ZS25XCT	-	RFQ	1529年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY14B104	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		非易失性	4Mbit	25 ns	NVSRAM	512k x 8	平行线	25ns
CY14B104L-ZS25XI	-	RFQ	2813	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY14B104	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		非易失性	4Mbit	25 ns	NVSRAM	512k x 8	平行线	25ns
CY14B104L-ZS45XCT	-	RFQ	5470	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY14B104	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		非易失性	4Mbit	45 ns	NVSRAM	512k x 8	平行线	45ns
CY14B104N-BA20XC	-	RFQ	6851	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	CY14B104	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-fbga（6x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	299		非易失性	4Mbit	20 ns	NVSRAM	256K x 16	平行线	20NS
CY14B104N-BA20XCT	-	RFQ	8609	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	CY14B104	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-fbga（6x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		非易失性	4Mbit	20 ns	NVSRAM	256K x 16	平行线	20NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²