内存(70500)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	时钟频率	内存类型	内存大小	访QQT	内存格式	记忆组织	内存接口	周期写入T - 字、页	SIC
S25FL132K0XBHIS20	1.1000	询价	2	赛普拉斯半导体公司	FL1-K	托盘	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	24-TBGA	S25FL132	或-NOR	2.7V~3.6V	24-BGA (8x6)	下载	符合ROHS3标准			2832-S25FL132K0XBHIS20			第455章	108兆赫	非活跃性	32兆比特		闪光	4M×8	SPI-四路I/O	3毫秒	未验证
MT28EW512ABA1LPC-1SIT	-	询价	1983年	美光科技公司	-	托盘	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	64-LBGA	MT28EW512	或-NOR	2.7V~3.6V	64-LBGA (11x13)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）			3A991B1A	8542.32.0071	1,104		非活跃性	512兆比特	95纳秒	闪光	64M×8、32M×16	平行线	60纳秒
W25N01GVT	2.8017	询价	5698	华邦电子	SpiFlash®	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	W25N01	附件 - NAND (SLC)	2.7V~3.6V	8-WSON (8x6)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	256-W25N01GVZEIT	3A991B1A	8542.32.0071	第480章	104兆赫	非活跃性	1Gbit	7纳秒	闪光	128M×8	SPI-四路I/O	700微秒
24LC64T-E/SN16KVAO	-	询价	3676	微芯片	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	24LC64	EEPROM	2.5V~5.5V	8-SOIC	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0051	3,300	400kHz	非活跃性	64Kbit	900纳秒	EEPROM	8K×8	I²C	5毫秒
CY7C1024DV33-10BGXI	16.7000	询价	3	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	119-BGA	CY7C1024	SRAM - 异步	3V～3.6V	119-PBGA (14x22)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行				18		易挥发的	3兆比特	10纳秒	静态随机存储器	128K×24	平行线	10纳秒	未验证
71321LA25TFI	-	询价	6207	瑞萨电子美国公司	-	托盘	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	64-LQFP	71321LA	SRAM - 双端口，异步	4.5V～5.5V	64-TQFP (10x10)	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0041	40		易挥发的	16Kbit	25纳秒	静态随机存储器	2K×8	平行线	25纳秒
5962-8687516YA	-	询价	6258	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-55℃～125℃（TA）	表面贴装	48-LCC	5962-8687516	SRAM - 双端口，同步	4.5V～5.5V	48-LCC (14.22x14.22)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	800-5962-8687516YA	过时的		34		易挥发的	8Kbit	45纳秒	静态随机存储器	1K×8	平行线	45纳秒
GS8662R36BGD-350I	146.0353	询价	2478	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	165-LBGA	GS8662R	SRAM - 四端口、同步、DDR II	1.7V~1.9V	165-FPBGA (15x13)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS8662R36BGD-350I	3A991B2B	8542.32.0041	15	350兆赫	易挥发的	72兆比特		静态随机存储器	2M×36	平行线	-
UPD431000AGZ-70X-KJH-A	7.6800	询价	35	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极								下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	供应商未定义		3A991	8542.32.0041	1
7008S12J8	-	询价	6697	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	0℃～70℃（TA）	表面贴装	84-LCC（J导联）		SRAM - 双端口，异步	4.5V～5.5V	84-PLCC (29.31x29.31)	-				800-7008S12J8TR			1		易挥发的	512Kbit	12纳秒	静态随机存储器	64K×8	平行线	12纳秒
71V424S12YG8	-	询价	1098	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	36-BSOJ（0.400英寸，10.16毫米宽）	71V424	SRAM - 异步	3V～3.6V	36-SOJ	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B2A	8542.32.0041	500		易挥发的	4兆比特	12纳秒	静态随机存储器	512K×8	平行线	12纳秒
SM671PBE-BFST	67.8965	询价	6325	慧荣科技	铁-UFS™	大部分	的积极	-40℃～85℃	表面贴装	153-TBGA		忆 - NAND (TLC)	-	153-BGA (11.5x13)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		1984-SM671PBE-BFST	3A991B1A	8542.32.0071	1,520		非活跃性	-		闪光		UFS2.1	-
SM662GXC-最佳	30.0800	询价	1291	慧荣科技	Ferri-eMMC®	大部分	的积极	-	表面贴装	100-LBGA		忆 - NAND (TLC)	-	100-BGA (14x18)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	1984-SM662GXC-最佳	3A991B1A	8542.32.0071	1		非活跃性	-		闪光		多媒体卡	-
MT62F2G32D4DS-023 FAAT:B	63.8550	询价	7803	美光科技公司	汽车，AEC-Q100	盒子	的积极	-	表面贴装	200-WFBGA		SDRAM - 移动 LPDDR5	1.05V	200-WFBGA (10x14.5)	-				557-MT62F2G32D4DS-023FAAT:B			1	4.266GHz	易挥发的	64Gbit		动态随机存取存储器	2G×32	平行线	-
UCS-EZ7-16GB-MEM-C	123.7500	询价	2321	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-UCS-EZ7-16GB-MEM-C	EAR99	8473.30.5100	1
MT58L128V36P1F-5	7.7500	询价	103	美光科技公司	同步突发™	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	165-TBGA		SRAM - 标准	3.135V～3.6V	165-FBGA (13x15)	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	供应商未定义		3A991B2A	8542.32.0041	1	200兆赫	易挥发的	4兆比特	2.8纳秒	静态随机存储器	128K×36	平行线	-
CY15V116QI-20BKXCT	40.8576	询价	2342	英飞凌科技	Excelon™-LP、F-RAM™	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	24-TBGA		FRAM（铁电RAM）	1.71V～1.89V	24-FBGA (6x8)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行				2,000	20兆赫	非活跃性	16兆比特	20纳秒	铁电存储器	2M×8	SPI	-
BR93G66FVT-3AGE2	0.6300	询价	6	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	BR93G66	EEPROM	1.7V～5.5V	8-TSSOP-B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0051	3,000	3兆赫	非活跃性	4Kbit		EEPROM	256×16	微丝	5毫秒
S25HS01GTFAMHI013	16.2575	询价	6437	英飞凌科技	森帕™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）		或 - NOR (SLC)	1.7V～2V	16-SOIC	下载					3A991B1A	8542.32.0071	1,450	166兆赫	非活跃性	1Gbit		闪光	128M×8	SPI - 四路I/O、QPI	-
CY7C1420LV18-250BZXC	-	询价	8280	英飞凌科技	-	托盘	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	165-LBGA	CY7C1420	SRAM-同步、DDR II	1.7V~1.9V	165-FBGA (13x15)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B2A	8542.32.0041	136	250兆赫	易挥发的	36兆比特		静态随机存储器	1M×36	平行线	-
MTFC128GAJAECE-5M AIT TR	-	询价	1158	美光科技公司	e•MMC™	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	169-LFBGA	MTFC128	NAND-NAND	-	169-LFBGA (14x18)	-		1（无限制）			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非活跃性	1T比特		闪光	128G×8	MMC	-
647904-B21-C	111.2500	询价	4732	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-647904-B21-C	EAR99	8473.30.5100	1
CY7C12451KV18-400BZC	-	询价	2696	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	165-LBGA	CY7C12451	SRAM - 同步，QDR II+	1.7V~1.9V	165-FBGA (13x15)	下载	不符合 RoHS 指令				3A991B2A	8542.32.0041	136	400兆赫	易挥发的	36兆比特		静态随机存储器	1M×36	平行线	-	未验证
051AL016J70TFI020	-	询价	6140	英飞凌科技	-	大部分	过时的								-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	1
MT62F3G32D8DV-023 IT:B	74.6400	询价	2741	美光科技公司	-	盒子	的积极	-40℃～95℃	-	-		SDRAM - 移动 LPDDR5	-	-	-				557-MT62F3G32D8DV-023IT:B			1	4.266GHz	易挥发的	96Gbit		动态随机存取存储器	3G×32	平行线	-
W631GU6NB-11 TR	2.9730	询价	1001	华邦电子	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～95℃（温控）	表面贴装	96-VFBGA	W631GU6	SDRAM-DDR3L	1.283V～1.45V、1.425V～1.575V	96-VFBGA (7.5x13)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	256-W631GU6NB-11TR	EAR99	8542.32.0032	3,000	933兆赫	易挥发的	1Gbit	20纳秒	动态随机存取存储器	64米×16	平行线	15纳秒
CY62256LL-55ZI	1.0600	询价	1	赛普拉斯半导体公司	MoBL®	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	28-TSSOP（0.465英寸，11.80毫米宽）	CY62256	SRAM - 异步	4.5V～5.5V	28-TSOP I	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.32.0041	1		易挥发的	256Kbit	55纳秒	静态随机存储器	32K×8	平行线	55纳秒
CAT25256VE-GT3	-	询价	4716	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	CAT25256	EEPROM	2.5V~5.5V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-CAT25256VE-GT3TR	EAR99	8542.32.0051	3,000	10兆赫	非活跃性	256Kbit		EEPROM	32K×8	SPI	5毫秒
BR24C01-RMN6TP	0.3249	询价	8695	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	BR24C01	EEPROM	1.8V～5.5V	8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0051	2,500人	100kHz	非活跃性	1Kbit		EEPROM	128×8	I²C	10毫秒
SST25PF040C-40E/SN	1.3650	询价	3887	微芯片	汽车、AEC-Q100、SST25	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	不锈钢25PF040	闪光	2.3V～3.6V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0071	100	40兆赫	非活跃性	4兆比特		闪光	512K×8	SPI	5毫秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

内存(70500)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²