电话:+86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QQT | 内存格式 | 记忆组织 | 内存接口 | 周期写入T - 字、页 | SIC |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AS4C16M16SB-6TINTR | 3.2532 | ![]() | 9874 | 0.00000000 | 联盟内存公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 54-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | 内存 | 3V~3.6V | 54-TSOP II | 下载 | 3(168小时) | 1450-AS4C16M16SB-6TINTR | 1,000 | 166兆赫 | 易挥发的 | 256兆比特 | 5纳秒 | 动态随机存取存储器 | 16M×16 | 左心室TTL | 12纳秒 | |||||||
![]() | NDQ86PFI-7NIT TR | 11.9700 | ![]() | 3291 | 0.00000000 | 英赛尼斯科技公司 | NDQ86P | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 95°C(温控) | 表面贴装 | 96-TFBGA | SDRAM-DDR4 | 1.14V~1.26V | 96-FBGA (7.5x13) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 1982-NDQ86PFI-7NITTR | 1,500人 | 1.333GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 18纳秒 | 动态随机存取存储器 | 512米×16 | 荚 | 15纳秒 | ||||||
![]() | CY7C1325B-117BGC | 4.6400 | ![]() | 960 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 119-BGA | CY7C1325 | SRAM-同步、SDR | 3.15V~3.6V | 119-PBGA (14x22) | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 117兆赫 | 易挥发的 | 4.5兆比特 | 7.5纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×36 | 平行线 | - | |||
![]() | W631GG8MB11I | - | ![]() | 3767 | 0.00000000 | 华邦电子 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 95°C(温控) | 表面贴装 | 78-VFBGA | W631GG8 | SDRAM-DDR3 | 1.425V~1.575V | 78-VFBGA (8x10.5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 256-W631GG8MB11I | EAR99 | 8542.32.0032 | 第242章 | 933兆赫 | 易挥发的 | 1Gbit | 20纳秒 | 动态随机存取存储器 | 128M×8 | SSTL_15 | 15纳秒 | ||
![]() | W63AH6NBVACI | 4.9953 | ![]() | 6374 | 0.00000000 | 华邦电子 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C(温控) | 表面贴装 | 178-VFBGA | W63AH6 | SDRAM - 移动 LPDDR3 | 1.14V~1.3V、1.7V~1.95V | 178-VFBGA (11x11.5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 256-W63AH6NBVACI | EAR99 | 8542.32.0032 | 189 | 933兆赫 | 易挥发的 | 1Gbit | 5.5纳秒 | 动态随机存取存储器 | 64米×16 | HSUL_12 | 15纳秒 | ||
![]() | W971GG6NB25I TR | 3.1427 | ![]() | 9131 | 0.00000000 | 华邦电子 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 95°C(温控) | 表面贴装 | 84-TFBGA | W971GG6 | SDRAM-DDR2 | 1.7V~1.9V | 84-TFBGA (8x12.5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 256-W971GG6NB25ITR | EAR99 | 8542.32.0032 | 2,500人 | 800兆赫 | 易挥发的 | 1Gbit | 400皮秒 | 动态随机存取存储器 | 64米×16 | SSTL_18 | 15纳秒 | ||
![]() | CY7C1021BV33L-10VXC | 1.5400 | ![]() | 第272章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 44-BSOJ(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1021 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 44-SOJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1兆比特 | 10纳秒 | 静态随机存储器 | 64K×16 | 平行线 | 10纳秒 | ||||
![]() | MB85RS512TPNF-G-AWE2 | 4.1436 | ![]() | 3476 | 0.00000000 | 加贺飞美国公司 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | MB85RS512 | FRAM(铁电RAM) | 1.8V~3.6V | 8-SOP | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 865-MB85RS512TPNF-G-AWE2 | EAR99 | 8542.32.0071 | 85 | 30兆赫 | 非活跃性 | 512Kbit | 9纳秒 | 铁电存储器 | 64K×8 | SPI | 400微秒 | |||
![]() | 7025S12PFI8 | - | ![]() | 1995年 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 最后一次购买 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | SRAM - 双端口,异步 | 4.5V~5.5V | 100-TQFP (14x14) | - | 800-7025S12PFI8TR | 1 | 易挥发的 | 128Kbit | 12纳秒 | 静态随机存储器 | 8K×16 | 平行线 | 12纳秒 | |||||||||
![]() | A0643480-C | 17.5000 | ![]() | 8322 | 0.00000000 | 专业实验室 | * | 零售套餐 | 的积极 | - | 符合RoHS标准 | 4932-A0643480-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CY7C1420JV18-300BZC | - | ![]() | 3581 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1420 | SRAM-同步、DDR II | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (15x17) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 300兆赫 | 易挥发的 | 36兆比特 | 静态随机存储器 | 1M×36 | 平行线 | - | 未验证 | |||||
![]() | 7025L45FB | - | ![]() | 1214 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | REACH 不出行 | 800-7025L45FB | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | SM662PXD BFST | 44.7300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 慧荣科技 | Ferri-eMMC® | 托盘 | 的积极 | -25℃~85℃ | 表面贴装 | 153-TFBGA | SM662 | 忆 - NAND (TLC) | - | 153-BGA (11.5x13) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 非活跃性 | 1T比特 | 闪光 | 128G×8 | 多媒体卡 | - | ||||||
![]() | CF-WMBA802G-C | 17.5000 | ![]() | 2302 | 0.00000000 | 专业实验室 | * | 零售套餐 | 的积极 | - | 符合RoHS标准 | 4932-CF-WMBA802G-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CY62167ELL-45ZXIT | 14.4375 | ![]() | 1500 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | MoBL® | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | CY62167 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 48-TSOP I | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 16兆比特 | 45纳秒 | 静态随机存储器 | 2M×8、1M×16 | 平行线 | 45纳秒 | ||||
![]() | W25N01GWZEIT TR | - | ![]() | 7837 | 0.00000000 | 华邦电子 | SpiFlash® | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-WDFN 裸露焊盘 | W25N01 | 附件 - NAND (SLC) | 1.7V~1.95V | 8-WSON (8x6) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 256-W25N01GWZEITTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 104兆赫 | 非活跃性 | 1Gbit | 8纳秒 | 闪光 | 128M×8 | SPI——四路I/O | 700微秒 | ||
![]() | 7025S35JG | - | ![]() | 6692 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 84-LCC(J导联) | 7025S35 | SRAM - 双端口,异步 | 4.5V~5.5V | 84-PLCC (29.31x29.31) | - | 800-7025S35JG | 过时的 | 1 | 易挥发的 | 128Kbit | 35纳秒 | 静态随机存储器 | 8K×16 | 平行线 | 35纳秒 | |||||||
![]() | W25N04KWZEIR TR | 5.7750 | ![]() | 6445 | 0.00000000 | 华邦电子 | SpiFlash® | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-WDFN 裸露焊盘 | 附件 - NAND (SLC) | 1.7V~1.95V | 8-WSON (8x6) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 256-W25N04KWZEIRTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 104兆赫 | 非活跃性 | 4G比特 | 8纳秒 | 闪光 | 512米×8 | SPI——四路I/O | 700微秒 | ||||
![]() | NDT16PFJ-8KIT TR | 4.5000 | ![]() | 142 | 0.00000000 | 英赛尼斯科技公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 95°C(温控) | 表面贴装 | 96-VFBGA | 无损检测16 | SDRAM-DDR3 | 1.425V~1.575V | 96-FBGA (8x13) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.32.0032 | 2,500人 | 800兆赫 | 易挥发的 | 1Gbit | 20纳秒 | 动态随机存取存储器 | 64米×16 | 平行线 | 15纳秒 | |||
CAT25160VE-GC | - | ![]() | 9208 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | CAT25160 | EEPROM | 2.5V~5.5V | 8-SOIC | - | 1(无限制) | REACH 不出行 | 过时的 | 100 | 10兆赫 | 非活跃性 | 16Kbit | EEPROM | 2K×8 | SPI | 5毫秒 | |||||||
![]() | SST26VF080AT-104I/SN | 1.5000 | ![]() | 9359 | 0.00000000 | 微芯片 | SST26 SQI® | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 不锈钢26VF080 | 闪光 | 2.7V~3.6V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,300 | 104兆赫 | 非活跃性 | 8兆比特 | 闪光 | 1M×8 | SPI——四路I/O | 1.5毫秒 | ||||
![]() | IS46LD32128C-18BPLA2-TR | - | ![]() | 6254 | 0.00000000 | ISSI,集成硅解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃(温控) | 表面贴装 | 168-VFBGA | IS46LD32128 | SDRAM - 移动 LPDDR2 | 1.14V~1.3V、1.7V~1.95V | 168-VFBGA (12x12) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 706-IS46LD32128C-18BPLA2-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 533兆赫 | 易挥发的 | 4G比特 | 5.5纳秒 | 动态随机存取存储器 | 128米×32 | HSUL_12 | 15纳秒 | ||
![]() | IS43LR16160H-6BL | 4.8239 | ![]() | 2579 | 0.00000000 | ISSI,集成硅解决方案公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 60-TFBGA | SDRAM - 移动 LPDDR | 1.7V~1.95V | 60-TFBGA (8x10) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 706-IS43LR16160H-6BL | 300 | 166兆赫 | 易挥发的 | 256兆比特 | 5.5纳秒 | 动态随机存取存储器 | 16M×16 | 平行线 | 15纳秒 | ||||||
![]() | CY7C1046BV33-12VC | 7.0000 | ![]() | 63 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 32-BSOJ(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1046 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 32-SOJ | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 2(1年) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4兆比特 | 12纳秒 | 静态随机存储器 | 1M×4 | 平行线 | 12纳秒 | ||||
W25Q80EWZPAG | - | ![]() | 6798 | 0.00000000 | 华邦电子 | SpiFlash® | 管子 | 过时的 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 8-WDFN 裸露焊盘 | W25Q80 | 或-NOR | 1.65V~1.95V | 8-WSON (6x5) | - | 3(168小时) | REACH 不出行 | 256-W25Q80EWZPAG | 过时的 | 1 | 104兆赫 | 非活跃性 | 8兆比特 | 6纳秒 | 闪光 | 1M×8 | SPI——四路I/O | 30μs、800μs | |||||
![]() | A5816816-C | 37.0000 | ![]() | 8845 | 0.00000000 | 专业实验室 | * | 零售套餐 | 的积极 | - | 符合RoHS标准 | 4932-A5816816-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | STK14D88-NF35 | - | ![]() | 7934 | 0.00000000 | 辛泰克 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 32-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | STK14D88 | NVSRAM(非易失性SRAM) | 2.7V~3.6V | 32-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 非活跃性 | 256Kbit | 35纳秒 | 非静态随机仓库 | 32K×8 | 平行线 | 35纳秒 | ||||
S26KS512SDGBHB030 | 12.5200 | ![]() | 第954章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车、AEC-Q100、HyperFlash™ KS | 大部分 | 的积极 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 24-VBGA | S26KS512 | 或-NOR | 1.7V~1.95V | 24-FBGA (6x8) | 下载 | 24 | 133兆赫 | 非活跃性 | 512兆比特 | 96纳秒 | 闪光 | 64M×8 | 平行线 | - | 未验证 | ||||||||
![]() | 819800-001-C | 73.5000 | ![]() | 4189 | 0.00000000 | 专业实验室 | * | 零售套餐 | 的积极 | - | 符合RoHS标准 | 4932-819800-001-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 8905503276 | - | ![]() | 9425 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | - | 3(168小时) | REACH 不出行 | 过时的 | 1,600 |
日平均询价量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库