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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
gd9fu4g8f3algi	6.7226	RFQ	9481	gigadevice 半导体（香）	-	托盘	积极的								下载				1970-GD9FU4G8F3ALGI			2,100
NV25256MUW3VTBG	2.4600	RFQ	115	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	NV25256	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-udfn（2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	10 MHz	非易失性	256kbit	40 ns	EEPROM	32K x 8	spi	5ms
CAT24C64WGI	0.2900	RFQ	1	催化剂半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT24C64	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-SOIC	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	1 MHz	非易失性	64kbit	400 ns	EEPROM	8k x 8	i²c	5ms
P1N54AT-C	72.0000	RFQ	4034	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-P1N54AT-C	Ear99	8473.30.5100	1
W25Q80EWSSAG	-	RFQ	5428	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	W25Q80	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-SOIC	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q80EWSSAG	过时的		1	104 MHz	非易失性	8mbit	6 ns	闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O。	30µs，800µs
MT40A1G16RC-062E：b	-	RFQ	8406	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A1G16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-fbga（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,360	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit	19 ns	德拉姆	1G x 16	平行线	15ns
IS43TR82560DL-107MBLI	5.2177	RFQ	8327	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR82560DL-107MBLI			242	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
TMS48C121-10DZ	8.0000	RFQ	276	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0071	1
NAND512WA2DZA6E	-	RFQ	2127	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-TFBGA	Nand512	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-NAND512WA2DZA6E	3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	512Mbit	50 ns	闪光	64m x 8	平行线	50ns
S29CL016J0PQFM030	-	RFQ	9899	Infineon技术	cl-j	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	80-BQFP	S29CL016	闪光灯 -也不	1.65V〜3.6V	80-PQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	66	66 MHz	非易失性	16mbit	54 ns	闪光	512K x 32	平行线	60ns
27C512-15/LP	6.3000	RFQ	4	微芯片技术	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-lcc（j-lead）	27C512	EPROM -OTP	4.5V〜5.5V	32-PLCC （11.43x13.97）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1		非易失性	512kbit	150 ns	EPROM	64k x 8	平行线	-
4x70g00093-c	68.7500	RFQ	4024	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-4X70G00093-C	Ear99	8473.30.5100	1
413015-B21-C	125.0000	RFQ	9201	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-413015-B21-C	Ear99	8473.30.5100	1
GS8662D36BGD-400I	194.5700	RFQ	15	GSI Technology Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜100°C（TJ）	表面安装	165-LBGA	GS8662D	sram-四边形端口，同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FPBGA（13x15）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2364-GS8662D36BGD-400I	3A991B2B	8542.32.0041	15	400 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
M29DW256G7ANF6E	-	RFQ	9211	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29DW256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	256Mbit	70 ns	闪光	16m x 16	平行线	70NS
A5649221-C	17.5000	RFQ	3425	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A5649221-C	Ear99	8473.30.5100	1
W631GU8NB-15 TR	2.9626	RFQ	1507	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	W631GU8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V，1.425V〜1.575V	78-VFBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W631GU8NB-15TR	Ear99	8542.32.0032	2,000	667 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
GS8662R36BGD-350I	146.0353	RFQ	2478	GSI Technology Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜100°C（TJ）	表面安装	165-LBGA	GS8662R	sram-四边形端口，同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FPBGA（15x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2364-GS8662R36BGD-350I	3A991B2B	8542.32.0041	15	350 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
CY6264-55SNXI	-	RFQ	4589	Infineon技术	MOBL®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	CY6264	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	270		易挥发的	64kbit	55 ns	SRAM	8k x 8	平行线	55ns
CY14B104N-BA20XC	-	RFQ	6851	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	CY14B104	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-fbga（6x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	299		非易失性	4Mbit	20 ns	NVSRAM	256K x 16	平行线	20NS
MT29F128G08EBCDBJ4-5M：D	-	RFQ	9684	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
CY7C1470BV33-167AXC	193.7000	RFQ	136	Infineon技术	NOBL™	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1470	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	167 MHz	易挥发的	72Mbit	3.4 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-
CY7C1320BV18-167BZCT	-	RFQ	4460	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1320	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	167 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	512k x 36	平行线	-
IS62WV25616EALL-55BLI-TR	4.1409	RFQ	1999	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	IS62WV25616	sram-异步	1.65V〜2.2V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	256K x 16	平行线	55ns
CY7S1041G30-10ZSXI	-	RFQ	1668年	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY7S1041	sram-异步	2.2v〜3.6V	44-TSOP II	下载							1		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS	未行业行业经验证
DS1990A-F5/E4F	-	RFQ	6713	ADI/MAXIM集成	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
S29GL512P11FFI012	13.3400	RFQ	400	赛普拉斯半导体公司	gl-p	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（11x13）	-	rohs3符合条件			2832-S29GL512P11FFI012-Tr	3A991B1A	8542.32.0071	38		非易失性	512Mbit	110 ns	闪光	32m x 16	平行线	110NS
MT29F4T08EULCEM4-QJ：c tr	121.0800	RFQ	8818	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F4T08EULCEM4-QJ：CTR			2,000
CY7C1513V18-200BZC	129.4200	RFQ	141	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1513	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	105	200 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-	未行业行业经验证
IS42S32400B-6B	-	RFQ	4503	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32400	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²