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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 时钟频率 内存类型 内存大小 访QQT 内存格式 记忆组织 内存接口 周期写入T - 字、页 SIC
AS4C16M16SB-6TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M16SB-6TINTR 3.2532
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ECAD 9874 0.00000000 联盟内存公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 54-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) 内存 3V~3.6V 54-TSOP II 下载 3(168小时) 1450-AS4C16M16SB-6TINTR 1,000 166兆赫 易挥发的 256兆比特 5纳秒 动态随机存取存储器 16M×16 左心室TTL 12纳秒
NDQ86PFI-7NIT TR Insignis Technology Corporation NDQ86PFI-7NIT TR 11.9700
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ECAD 3291 0.00000000 英赛尼斯科技公司 NDQ86P 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 95°C(温控) 表面贴装 96-TFBGA SDRAM-DDR4 1.14V~1.26V 96-FBGA (7.5x13) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) 1982-NDQ86PFI-7NITTR 1,500人 1.333GHz 易挥发的 8Gbit 18纳秒 动态随机存取存储器 512米×16 15纳秒
CY7C1325B-117BGC Cypress Semiconductor Corp CY7C1325B-117BGC 4.6400
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ECAD 960 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 的积极 0℃~70℃(TA) 表面贴装 119-BGA CY7C1325 SRAM-同步、SDR 3.15V~3.6V 119-PBGA (14x22) 下载 不适用 3(168小时) 供应商未定义 3A991B2A 8542.32.0041 1 117兆赫 易挥发的 4.5兆比特 7.5纳秒 静态随机存储器 128K×36 平行线 -
W631GG8MB11I Winbond Electronics W631GG8MB11I -
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ECAD 3767 0.00000000 华邦电子 - 托盘 过时的 -40°C ~ 95°C(温控) 表面贴装 78-VFBGA W631GG8 SDRAM-DDR3 1.425V~1.575V 78-VFBGA (8x10.5) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 256-W631GG8MB11I EAR99 8542.32.0032 第242章 933兆赫 易挥发的 1Gbit 20纳秒 动态随机存取存储器 128M×8 SSTL_15 15纳秒
W63AH6NBVACI Winbond Electronics W63AH6NBVACI 4.9953
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ECAD 6374 0.00000000 华邦电子 - 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C(温控) 表面贴装 178-VFBGA W63AH6 SDRAM - 移动 LPDDR3 1.14V~1.3V、1.7V~1.95V 178-VFBGA (11x11.5) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 256-W63AH6NBVACI EAR99 8542.32.0032 189 933兆赫 易挥发的 1Gbit 5.5纳秒 动态随机存取存储器 64米×16 HSUL_12 15纳秒
W971GG6NB25I TR Winbond Electronics W971GG6NB25I TR 3.1427
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ECAD 9131 0.00000000 华邦电子 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 95°C(温控) 表面贴装 84-TFBGA W971GG6 SDRAM-DDR2 1.7V~1.9V 84-TFBGA (8x12.5) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 256-W971GG6NB25ITR EAR99 8542.32.0032 2,500人 800兆赫 易挥发的 1Gbit 400皮秒 动态随机存取存储器 64米×16 SSTL_18 15纳秒
CY7C1021BV33L-10VXC Cypress Semiconductor Corp CY7C1021BV33L-10VXC 1.5400
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ECAD 第272章 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 的积极 0℃~70℃(TA) 表面贴装 44-BSOJ(0.400英寸,10.16毫米宽) CY7C1021 SRAM - 异步 3V~3.6V 44-SOJ 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1兆比特 10纳秒 静态随机存储器 64K×16 平行线 10纳秒
MB85RS512TPNF-G-AWE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS512TPNF-G-AWE2 4.1436
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ECAD 3476 0.00000000 加贺飞美国公司 - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) MB85RS512 FRAM(铁电RAM) 1.8V~3.6V 8-SOP - 符合ROHS3标准 3(168小时) 865-MB85RS512TPNF-G-AWE2 EAR99 8542.32.0071 85 30兆赫 非活跃性 512Kbit 9纳秒 铁电存储器 64K×8 SPI 400微秒
7025S12PFI8 Renesas Electronics America Inc 7025S12PFI8 -
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ECAD 1995年 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 最后一次购买 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 100-LQFP SRAM - 双端口,异步 4.5V~5.5V 100-TQFP (14x14) - 800-7025S12PFI8TR 1 易挥发的 128Kbit 12纳秒 静态随机存储器 8K×16 平行线 12纳秒
A0643480-C ProLabs A0643480-C 17.5000
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ECAD 8322 0.00000000 专业实验室 * 零售套餐 的积极 - 符合RoHS标准 4932-A0643480-C EAR99 8473.30.5100 1
CY7C1420JV18-300BZC Cypress Semiconductor Corp CY7C1420JV18-300BZC -
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ECAD 3581 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 托盘 过时的 0℃~70℃(TA) 表面贴装 165-LBGA CY7C1420 SRAM-同步、DDR II 1.7V~1.9V 165-FBGA (15x17) 下载 不符合 RoHS 指令 3A991B2A 8542.32.0041 105 300兆赫 易挥发的 36兆比特 静态随机存储器 1M×36 平行线 - 未验证
7025L45FB Renesas Electronics America Inc 7025L45FB -
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ECAD 1214 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 大部分 过时的 - REACH 不出行 800-7025L45FB 过时的 1
SM662PXD BFST Silicon Motion, Inc. SM662PXD BFST 44.7300
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ECAD 1 0.00000000 慧荣科技 Ferri-eMMC® 托盘 的积极 -25℃~85℃ 表面贴装 153-TFBGA SM662 忆 - NAND (TLC) - 153-BGA (11.5x13) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 非活跃性 1T比特 闪光 128G×8 多媒体卡 -
CF-WMBA802G-C ProLabs CF-WMBA802G-C 17.5000
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ECAD 2302 0.00000000 专业实验室 * 零售套餐 的积极 - 符合RoHS标准 4932-CF-WMBA802G-C EAR99 8473.30.5100 1
CY62167ELL-45ZXIT Infineon Technologies CY62167ELL-45ZXIT 14.4375
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ECAD 1500 0.00000000 英飞凌科技 MoBL® 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 48-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) CY62167 SRAM - 异步 4.5V~5.5V 48-TSOP I 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 16兆比特 45纳秒 静态随机存储器 2M×8、1M×16 平行线 45纳秒
W25N01GWZEIT TR Winbond Electronics W25N01GWZEIT TR -
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ECAD 7837 0.00000000 华邦电子 SpiFlash® 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-WDFN 裸露焊盘 W25N01 附件 - NAND (SLC) 1.7V~1.95V 8-WSON (8x6) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 256-W25N01GWZEITTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 104兆赫 非活跃性 1Gbit 8纳秒 闪光 128M×8 SPI——四路I/O 700微秒
7025S35JG Renesas Electronics America Inc 7025S35JG -
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ECAD 6692 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 托盘 过时的 0℃~70℃(TA) 表面贴装 84-LCC(J导联) 7025S35 SRAM - 双端口,异步 4.5V~5.5V 84-PLCC (29.31x29.31) - 800-7025S35JG 过时的 1 易挥发的 128Kbit 35纳秒 静态随机存储器 8K×16 平行线 35纳秒
W25N04KWZEIR TR Winbond Electronics W25N04KWZEIR TR 5.7750
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ECAD 6445 0.00000000 华邦电子 SpiFlash® 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-WDFN 裸露焊盘 附件 - NAND (SLC) 1.7V~1.95V 8-WSON (8x6) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) 256-W25N04KWZEIRTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 104兆赫 非活跃性 4G比特 8纳秒 闪光 512米×8 SPI——四路I/O 700微秒
NDT16PFJ-8KIT TR Insignis Technology Corporation NDT16PFJ-8KIT TR 4.5000
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ECAD 142 0.00000000 英赛尼斯科技公司 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 95°C(温控) 表面贴装 96-VFBGA 无损检测16 SDRAM-DDR3 1.425V~1.575V 96-FBGA (8x13) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.32.0032 2,500人 800兆赫 易挥发的 1Gbit 20纳秒 动态随机存取存储器 64米×16 平行线 15纳秒
CAT25160VE-GC onsemi CAT25160VE-GC -
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ECAD 9208 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) CAT25160 EEPROM 2.5V~5.5V 8-SOIC - 1(无限制) REACH 不出行 过时的 100 10兆赫 非活跃性 16Kbit EEPROM 2K×8 SPI 5毫秒
SST26VF080AT-104I/SN Microchip Technology SST26VF080AT-104I/SN 1.5000
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ECAD 9359 0.00000000 微芯片 SST26 SQI® 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 不锈钢26VF080 闪光 2.7V~3.6V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 3A991B1A 8542.32.0071 3,300 104兆赫 非活跃性 8兆比特 闪光 1M×8 SPI——四路I/O 1.5毫秒
IS46LD32128C-18BPLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128C-18BPLA2-TR -
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ECAD 6254 0.00000000 ISSI,集成硅解决方案公司 汽车,AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃(温控) 表面贴装 168-VFBGA IS46LD32128 SDRAM - 移动 LPDDR2 1.14V~1.3V、1.7V~1.95V 168-VFBGA (12x12) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 706-IS46LD32128C-18BPLA2-TR EAR99 8542.32.0036 1 533兆赫 易挥发的 4G比特 5.5纳秒 动态随机存取存储器 128米×32 HSUL_12 15纳秒
IS43LR16160H-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16160H-6BL 4.8239
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ECAD 2579 0.00000000 ISSI,集成硅解决方案公司 - 大部分 的积极 0℃~70℃(TA) 表面贴装 60-TFBGA SDRAM - 移动 LPDDR 1.7V~1.95V 60-TFBGA (8x10) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) 706-IS43LR16160H-6BL 300 166兆赫 易挥发的 256兆比特 5.5纳秒 动态随机存取存储器 16M×16 平行线 15纳秒
CY7C1046BV33-12VC Cypress Semiconductor Corp CY7C1046BV33-12VC 7.0000
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ECAD 63 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 过时的 0℃~70℃(TA) 表面贴装 32-BSOJ(0.400英寸,10.16毫米宽) CY7C1046 SRAM - 异步 3V~3.6V 32-SOJ 下载 不符合 RoHS 指令 2(1年) REACH旅行 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4兆比特 12纳秒 静态随机存储器 1M×4 平行线 12纳秒
W25Q80EWZPAG Winbond Electronics W25Q80EWZPAG -
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ECAD 6798 0.00000000 华邦电子 SpiFlash® 管子 过时的 -40℃~105℃(TA) 表面贴装 8-WDFN 裸露焊盘 W25Q80 或-NOR 1.65V~1.95V 8-WSON (6x5) - 3(168小时) REACH 不出行 256-W25Q80EWZPAG 过时的 1 104兆赫 非活跃性 8兆比特 6纳秒 闪光 1M×8 SPI——四路I/O 30μs、800μs
A5816816-C ProLabs A5816816-C 37.0000
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ECAD 8845 0.00000000 专业实验室 * 零售套餐 的积极 - 符合RoHS标准 4932-A5816816-C EAR99 8473.30.5100 1
STK14D88-NF35 Simtek STK14D88-NF35 -
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ECAD 7934 0.00000000 辛泰克 - 大部分 的积极 0℃~70℃(TA) 表面贴装 32-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) STK14D88 NVSRAM(非易失性SRAM) 2.7V~3.6V 32-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) 供应商未定义 EAR99 8542.32.0041 1 非活跃性 256Kbit 35纳秒 非静态随机仓库 32K×8 平行线 35纳秒
S26KS512SDGBHB030 Cypress Semiconductor Corp S26KS512SDGBHB030 12.5200
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ECAD 第954章 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 汽车、AEC-Q100、HyperFlash™ KS 大部分 的积极 -40℃~105℃(TA) 表面贴装 24-VBGA S26KS512 或-NOR 1.7V~1.95V 24-FBGA (6x8) 下载 24 133兆赫 非活跃性 512兆比特 96纳秒 闪光 64M×8 平行线 - 未验证
819800-001-C ProLabs 819800-001-C 73.5000
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ECAD 4189 0.00000000 专业实验室 * 零售套餐 的积极 - 符合RoHS标准 4932-819800-001-C EAR99 8473.30.5100 1
8905503276 Infineon Technologies 8905503276 -
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ECAD 9425 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 过时的 - 3(168小时) REACH 不出行 过时的 1,600
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库