内存(70500)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	时钟频率	内存类型	内存大小	访QQT	内存格式	记忆组织	内存接口	周期写入T - 字、页	SIC
IS25WP064D-JKLE-TR	1.3012	询价	6796	ISSI，集成硅解决方案公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘		或 - NOR (SLC)	1.65V～1.95V	8-WSON (6x5)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		706-IS25WP064D-JKLE-TR			4,500	166兆赫	非活跃性	64兆比特		闪光	8M×8	SPI - 四路I/O、QPI、DTR	40μs、800μs
647893-B21-C	37.5000	询价	5395	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-647893-B21-C	EAR99	8473.30.5100	1
S25FL064LABNFA011	-	询价	8750	安世半导体美国公司	-	大部分	的积极								-				2156-S25FL064LABNFA011			1
MP2666RB/8G-C	135.0000	询价	4971	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-MP2666RB/8G-C	EAR99	8473.30.5100	1
STK12C68-SF45	-	询价	5956	英飞凌科技	-	管子	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	28-SOIC（0.342英寸，8.69毫米宽）	STK12C68	NVSRAM（非易失性SRAM）	4.5V～5.5V	28-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0041	125		非活跃性	64Kbit	45纳秒	非静态随机仓库	8K×8	平行线	45纳秒
NDL46PFP-9MIT TR	9.0000	询价	3354	英赛尼斯科技公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 95°C（温控）	表面贴装	96-TFBGA		SDRAM-DDR3L	1.283V～1.45V	96-FBGA (7.5x13.5)	-				1982-NDL46PFP-9MITTR			2,500人	933兆赫	易挥发的	4G比特	20纳秒	动态随机存取存储器	256M×16	平行线	15纳秒
NS24LS256C4JYTRG	-	询价	2591	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	4-XFBGA、WLCSP				4-WLCSP (1x1)	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	488-NS24LS256C4JYTRGTR	过时的		5,000
AT25SF041B-MHB-T	0.6400	询价	2	安德斯托科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C（温控）	表面贴装	8-UDFN 裸露焊盘	AT25SF041	或-NOR	2.7V~3.6V	8-UDFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		3A991B1A	8542.32.0071	6,000	108兆赫	非活跃性	4兆比特		闪光	512K×8	SPI-四路I/O	50微秒，2.4毫秒
M3008316035NX0PBCY	30.9944	询价	7294	瑞萨电子美国公司	-	托盘	的积极	-40℃～105℃	表面贴装	484-BGA		MRAM（磁阻RAM）	2.7V~3.6V	484-CABGA (23x23)	-	符合ROHS3标准			800-M3008316035NX0PBCY			168		非活跃性	8兆比特	35纳秒	内存	512K×16	平行线	35纳秒
838083-H21-C	130.0000	询价	3608	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-838083-H21-C	EAR99	8473.30.5100	1
MEM3800-512U768D-C	62.5000	询价	5112	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-MEM3800-512U768D-C	EAR99	8473.30.9100	1
CY7C1069DV33-10BVXIT	-	询价	6321	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	48-VFBGA	CY7C1069	SRAM - 异步	3V～3.6V	48-VFBGA (8x9.5)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	16兆比特	10纳秒	静态随机存储器	2M×8	平行线	10纳秒
S29CD016J0PFAM010	5.3000	询价	86	赛普拉斯半导体公司	宣传册J	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	80-LBGA	S29CD016	或-NOR	1.65V～2.75V	80-FBGA (13x11)	下载							57	66兆赫	非活跃性	16兆比特	54纳秒	闪光	512K×32	平行线	60纳秒	未验证
71421LA4J	-	询价	8163	瑞萨电子美国公司	-	管子	最后一次购买	0℃～70℃（TA）	表面贴装	52-LCC（J导联）		SRAM - 双端口，异步	4.5V～5.5V	52-PLCC (19.13x19.13)	-				800-71421LA4J			1		易挥发的	16Kbit		静态随机存储器	2K×8	平行线	-
41X1081-C	17.5000	询价	7181	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-41X1081-C	EAR99	8473.30.5100	1
CY7C1354BV25-166AC	7.2100	询价	4	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	100-LQFP	CY7C1354	SRAM-同步、SDR	2.375V～2.625V	100-TQFP (14x20)	下载	不适用	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B2A	8542.32.0041	1	166兆赫	易挥发的	9兆比特	3.5纳秒	静态随机存储器	256K×36	平行线	-
S70GL02GT11FHB010	-	询价	3340	模拟器件公司	-	大部分	的积极								-				2156-S70GL02GT11FHB010			1
S29GL256P10TFI020	6.0700	询价	1974年	赛普拉斯半导体公司	GL-P	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	56-TFSOP（0.724英寸，18.40毫米宽）	S29GL256	或-NOR	2.7V~3.6V	56-TSOP	下载	符合ROHS3标准			2832-S29GL256P10TFI020			1		非活跃性	256兆比特	100纳秒	闪光	32M×8	平行线	100纳秒	未验证
MT29GZ6A6BPIET-046AIT.112	18.3750	询价	9376	美光科技公司	汽车，AEC-Q100	盒子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	149-VFBGA		边框 - NAND (SLC)、DRAM - LPDDR4	1.06V～1.17V、1.7V～1.95V	149-VFBGA (8x9.5)	-				557-MT29GZ6A6BPIET-046AIT.112			1	2.133GHz	非活跃性、活跃性	8Gbit (NAND)、8Gbit (LPDDR4)	25纳秒	直观、内存	1G x 8 (NAND)、512M x 16 (LPDDR4)	ONFI	20纳秒、30纳秒
IS29GL256-70DLET-TR	4.8235	询价	4919	ISSI，集成硅解决方案公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	64-LBGA		或 - NOR (SLC)	3V～3.6V	64-LFBGA (9x9)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		706-IS29GL256-70DLET-TR			2,500人		非活跃性	256兆比特	70纳秒	闪光	32M×8	CFI	70纳秒、200微秒
CY7C1371KV33-100AXI	33.2900	询价	144	英飞凌科技	诺BL™	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	100-LQFP	CY7C1371	SRAM-同步、SDR	3.135V～3.6V	100-TQFP (14x20)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B2A	8542.32.0041	72	100兆赫	易挥发的	18兆比特	8.5纳秒	静态随机存储器	512K×36	平行线	-
W25Q64JVZESQ	-	询价	3361	华邦电子	SpiFlash®	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	W25Q64	或-NOR	2.7V~3.6V	8-WSON (8x6)	-		3（168小时）	REACH 不出行	256-W25Q64JVZESQ			1	133兆赫	非活跃性	64兆比特	6纳秒	闪光	8M×8	SPI-四路I/O	3毫秒
CG7871AA	-	询价	5614	英飞凌科技	-	托盘	过时的								-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		过时的		1
UPD48576118FF-E24-DW1-E2	69.8200	询价	10	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极								下载	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.32.0032	1,000
CAT25C08LGI-26736	0.1400	询价	7	onsemi	-	大部分	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	CAT25C08	EEPROM	2.5V~5.5V	8-PDIP	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-CAT25C08LGI-26736-488	EAR99	8542.32.0071	1	10兆赫	非活跃性	8Kbit	40纳秒	EEPROM	1K×8	SPI	5毫秒
R1LV1616HSA-4SI#S1	-	询价	5209	瑞萨电子美国公司	R1LV1616HSA-I	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	48-TFSOP（0.724英寸，18.40毫米宽）	R1LV1616H	SRAM - 异步	2.7V~3.6V	48-TSOP I	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	559-R1LV1616HSA-4SI#S1TR	3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	16兆比特	45纳秒	静态随机存储器	1M×16、2M×8	平行线	45纳秒
70121L35JG	-	询价	1939年	瑞萨电子美国公司	-	管子	最后一次购买	0℃～70℃（TA）	表面贴装	52-LCC（J导联）		SRAM - 双端口，异步	4.5V～5.5V	52-PLCC (19.13x19.13)	-				800-70121L35JG			1		易挥发的	18Kbit	35纳秒	静态随机存储器	2K×9	平行线	35纳秒
S25HS512TFAMHV013	10.4650	询价	4194	英飞凌科技	森帕™	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）		或 - NOR (SLC)	1.7V～2V	16-SOIC	下载					3A991B1A	8542.32.0071	1,450	166兆赫	非活跃性	512兆比特		闪光	64M×8	SPI - 四路I/O、QPI	-
IS25LP016D-JULE-TR	0.7583	询价	3691	ISSI，集成硅解决方案公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	8-UFDFN 裸露焊盘	IS25LP016	或-NOR	2.3V～3.6V	8-USON (2x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0071	5,000	133兆赫	非活跃性	16兆比特	7纳秒	闪光	2M×8	SPI、QPI	800微秒
7100790-C	67.5000	询价	1306	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-7100790-C	EAR99	8473.30.5100	1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

内存(70500)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²