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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
STK17T88-RF45I	-	RFQ	6114	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-bessop（0.295英寸，7.50mm宽度）	STK17T88	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-SSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	60		非易失性	256kbit	45 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	45ns
STK17TA8-RF25	-	RFQ	1680年	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-bessop（0.295英寸，7.50mm宽度）	STK17TA8	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-SSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	60		非易失性	1Mbit	25 ns	NVSRAM	128K x 8	平行线	25ns
STK17TA8-RF25I	-	RFQ	6995	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-bessop（0.295英寸，7.50mm宽度）	STK17TA8	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-SSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	60		非易失性	1Mbit	25 ns	NVSRAM	128K x 8	平行线	25ns
STK17TA8-RF45	-	RFQ	1343	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-bessop（0.295英寸，7.50mm宽度）	STK17TA8	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-SSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	60		非易失性	1Mbit	45 ns	NVSRAM	128K x 8	平行线	45ns
STK17TA8-RF45I	-	RFQ	6719	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-bessop（0.295英寸，7.50mm宽度）	STK17TA8	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-SSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	60		非易失性	1Mbit	45 ns	NVSRAM	128K x 8	平行线	45ns
STK22C48-NF25I	-	RFQ	7125	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	STK22C48	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	27		非易失性	16kbit	25 ns	NVSRAM	2k x 8	平行线	25ns
STK22C48-SF25	-	RFQ	4944	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-SOIC （0.342“，8.69mm宽度）	STK22C48	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	125		非易失性	16kbit	25 ns	NVSRAM	2k x 8	平行线	25ns
STK22C48-SF25I	-	RFQ	9421	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-SOIC （0.342“，8.69mm宽度）	STK22C48	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	50		非易失性	16kbit	25 ns	NVSRAM	2k x 8	平行线	25ns
STK22C48-SF45I	-	RFQ	5945	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-SOIC （0.342“，8.69mm宽度）	STK22C48	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	25		非易失性	16kbit	45 ns	NVSRAM	2k x 8	平行线	45ns
M25PX16-VZM6TP TR	-	RFQ	3403	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	M25PX16	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500	75 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	spi	15ms，5ms
M25PX32SOVZM6F TR	-	RFQ	3211	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	M25PX32	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	75 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	spi	15ms，5ms
M25PX64-VZM6TP TR	-	RFQ	7101	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	M25PX64	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	75 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	spi	15ms，5ms
M29W256GH70ZA6F TR	-	RFQ	6856	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	M29W256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-TBGA（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500		非易失性	256Mbit	70 ns	闪光	32m x 8，16m x 16	平行线	70NS
M29W256GL70ZA6F TR	-	RFQ	3995	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	M29W256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-TBGA（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500		非易失性	256Mbit	70 ns	闪光	32m x 8，16m x 16	平行线	70NS
NAND01GR3B2CZA6E	-	RFQ	6641	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-TFBGA	NAND01	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-VFBGA （9.5x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-NAND01GR3B2CZA6E	3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	1Gbit	25 ns	闪光	128m x 8	平行线	25ns
NAND512R3A2DZA6E	-	RFQ	7321	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-TFBGA	Nand512	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-NAND512R3A2DZA6E	3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	512Mbit	50 ns	闪光	64m x 8	平行线	50ns
NAND512WA2DZA6E	-	RFQ	2127	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-TFBGA	Nand512	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-NAND512WA2DZA6E	3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	512Mbit	50 ns	闪光	64m x 8	平行线	50ns
NAND08GAH0JZC5E	-	RFQ	2687	微米技术公司	-	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	153-LFBGA	Nand08g	闪存-NAND	3.135V〜3.465V	153-LFBGA（11.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-NAND08GAH0JZC5E	3A991B1A	8542.32.0071	136	52 MHz	非易失性	8Gbit		闪光	1G x 8	MMC	-
JS28F256J3F105A	-	RFQ	9844	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	JS28F256J3	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1B1	8542.32.0071	576		非易失性	256Mbit	105 ns	闪光	32m x 8，16m x 16	平行线	105ns
CY14E256L-SZ25XCT	-	RFQ	8164	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.295（7.50mm）	CY14E256	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	32-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		非易失性	256kbit	25 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	25ns
CY14E256L-SZ25XI	-	RFQ	5794	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.295（7.50mm）	CY14E256	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	32-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	22		非易失性	256kbit	25 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	25ns
CY7C1011CV33-12ZSXET	-	RFQ	9531	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY7C1011	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	2Mbit	12 ns	SRAM	128K x 16	平行线	12ns
CY7C1034DV33-10BGXIT	-	RFQ	9672	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	CY7C1034	sram-异步	3v〜3.6V	119-PBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	500		易挥发的	6mbit	10 ns	SRAM	256K x 24	平行线	10NS
CY7C1049CV33-12ZSXAT	-	RFQ	3842	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY7C1049	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	512k x 8	平行线	12ns
CY7C10612DV33-10ZSXI	-	RFQ	3730	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY7C10612	sram-异步	3v〜3.6V	54-TSOP II	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	108		易挥发的	16mbit	10 ns	SRAM	1m x 16	平行线	10NS
CY7C1315JV18-300BZC	-	RFQ	8221	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1315	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	300 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	512k x 36	平行线	-
CY7C1315JV18-300BZXC	-	RFQ	5334	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1315	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	300 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	512k x 36	平行线	-
CY7C1354DV25-200BZI	-	RFQ	9434	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1354	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-FBGA（13x15）	-	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	200 MHz	易挥发的	9Mbit	3.2 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
CY7C1423JV18-250BZXC	-	RFQ	8390	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1423	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	2m x 18	平行线	-
CY7C1474BV25-167BGCT	-	RFQ	8369	Infineon技术	NOBL™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	209-BGA	CY7C1474	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	209-fbga（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	500	167 MHz	易挥发的	72Mbit	3.4 ns	SRAM	1m x 72	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²